高效率低功耗30V降壓DCDC電源芯片，30V3A，500kHz同步降壓轉(zhuǎn)換器KP52330X是一款簡單易用高效率的同步降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器，它具有4.5V至30V的寬輸入電壓范圍，能夠驅(qū)動高達3A的負載電流，非常適合用于12V和24V等常見的輸入電源軌。KP523302輕載下工作在脈沖頻率調(diào)制模式(PFM)以維持高輕載效率；KP523308輕載下工作在強制脈寬調(diào)制模式(FPWM)以實現(xiàn)全負載電流下固定的開關(guān)頻率和低輸出紋波。通過集成MOSFET并采用TSOT23-6封裝，該器件可實現(xiàn)高功率密度，并且在印刷電路板(PCB)上的占用空間非常小。采用具有內(nèi)部補償?shù)姆逯惦娏髂Ｊ娇刂萍軜?gòu)，用于維持穩(wěn)定運行和超小的輸出電容。借助EN精密使能功能，可對器件啟動和關(guān)斷進行精確控制。內(nèi)置有完善的保護功能：輸入欠壓鎖定(UVLO)、逐周期電流限制(OCL)、輸出過壓保護(VOUTOVP)、輸出欠壓保護(VOUTUVP)，和過溫保護(OTP)，以確保其在不同的工作條件下保持安全、可靠運行?？烧{(diào)輸出電壓，比較高輸出電流限制的特 點，適用于非隔離型AC-DC。四川AC高壓降5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片價格

持續(xù)的研發(fā)是保持產(chǎn)品競爭力的關(guān)鍵，而模擬芯片的研發(fā)與設(shè)計需要電子、材料、半導體等跨學科知識的積累和跨行業(yè)技術(shù)的整合，且對研發(fā)人員的專業(yè)水平和工作經(jīng)驗要求較高。必易微的**研發(fā)團隊均具備國內(nèi)外名校的學歷背景，并曾在國內(nèi)外**科技企業(yè)擔任高層研發(fā)和管理職務(wù)，擁有豐富的行業(yè)經(jīng)驗，對模擬集成電路設(shè)計有著深刻的理解。必易微在市場開拓的進程中專注客戶服務(wù)，對客戶的需求能夠快速響應(yīng)，以解決客戶痛點、**市場潮流為市場價值導向，取得了行業(yè)頭部客戶的認可和采用，推動了公司產(chǎn)品打破國外廠商對市場的壟斷地位，為公司新產(chǎn)品、新業(yè)務(wù)的發(fā)展提供了***遼闊的市場空間。安徽AC高壓降5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片庫存PWM控制電路、**的過零檢測電 路以及各種保護電路，用以實現(xiàn)臨界導通驅(qū)動控制。

VIN 欠壓鎖定功能(UVLO) 禁止芯片在輸入供電電壓過低時工作。UVLO 比較器監(jiān)測內(nèi)部穩(wěn)壓電源VCC 的輸出電壓大小。當VIN 下降到VUVLO(F) 以下時，芯片停止開關(guān)工作，禁止使能。當VIN 上升到VUVLO(R) 以上時，如果此時VEN 也大于VEN(R)，則芯片使能，開始軟啟動恢復正常工作。芯片的 VIN UVLO 的上升和下降閾值為固定值，且典型遲滯電壓為400mV。如果實際應(yīng)用中需要設(shè)置更高的閾值和遲滯電壓，芯片支持在EN 引腳外接分壓電阻實現(xiàn)VIN UVLO 上升閾值和VIN UVLO 下降閾值自定義設(shè)置，從而避免芯片在開關(guān)機時刻由于VIN 的尖峰噪聲和紋波導致芯片反復重啟。

當過流或者過熱故障發(fā)生時，芯片進入到自動重啟和VDD振蕩模式中。在此過程中高壓MOSFET不允許導通，同時VDD電容上電壓持續(xù)在4.87V和4.38V之間振蕩。通過芯片內(nèi)部數(shù)字計數(shù)器對振蕩周期的計數(shù)，當振蕩周期數(shù)超過511次時芯片退出保護模式并重新開始工作。如果故障解除，系統(tǒng)開始正常工作；否則系統(tǒng)再次進入振蕩模式。為確保系統(tǒng)工作穩(wěn)定，推薦KP311A系統(tǒng)工作于淺度CCM狀態(tài)，即電感電流紋波ΔI接近于OCP峰值電流(210mA)。具體感量計算公式如下：L=(Vo+Vf)*Toff_min/ΔI其中：Vo：輸出電壓；Vf：續(xù)流二極管壓降；Toff_min：IC設(shè)定內(nèi)部**小Toff時間，約32us；ΔI：電感紋波電流，CCM條件下為2*(Iocp-Io_max)。舉例來講，參考5V-100mA輸出規(guī)格，設(shè)定Io_max為額定輸出電流的1.2倍，即120mA；芯片靜態(tài)工作電流典型值為 200uA。如此 低的工作電流降低了對于 VDD 電容大小的要求， 同時也可以提高系統(tǒng)效率。

集成了逐周期谷底限流保護(OCL) 功能。每當內(nèi)部低側(cè)MOSFET 導通時，芯片檢測電感電流，當電感電流大于電流限流閾值(ILS(OC)) 時，限流比較器翻轉(zhuǎn)，芯片 進入 OCL模式。此時，芯片內(nèi)部高側(cè)MOSFET 保持關(guān)斷狀態(tài)，直到電感電流下降小于電流限流閾值(ILS(OC)) 后才會再次開啟。如果芯片的負載電流超過電感電流(電感電流被OCL 鉗位)，則輸出電容需要提供額外的電流，從而輸出電容放電，輸出電壓開始下降。當輸出電壓低于輸出欠壓保護閾值(VUVP) 時，芯片將停止工作，進入到UVP 打嗝模式，以避免溫升過高的情況出現(xiàn)。采用恒定導通時間控制實現(xiàn)超快速的動態(tài)響應(yīng)。安徽AC高壓降5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片庫存

該芯片通過智能控制交流能 量輸入以減小系統(tǒng)損耗，提高系統(tǒng)效率，同時有效 降低系統(tǒng)待機。四川AC高壓降5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片價格

芯片BST 引腳和 SW 引腳間需要加入一顆陶瓷電容以穩(wěn)定支撐芯片內(nèi)部高側(cè)N-MOSFET 的驅(qū)動電源。此處推薦使用不低于10V 耐壓的 X5R 或者 X7R 的 0.1μF 陶瓷電容(0603 封裝)。采用 COT 控制架構(gòu)可以實現(xiàn)超快的負載瞬態(tài)響應(yīng)性能。在某些對負載瞬態(tài)響應(yīng)要求更高的應(yīng)用條件下，還可以通過在輸出反饋分壓電阻上添加前饋電阻RFF 和電容CFF 來進一步提升瞬態(tài)響應(yīng)性能?？紤]到噪聲耦合影響，推薦使用RFF = 2 kΩ~10kΩ，另外不要使用高于100pF 的 CFF。注意，實際RFF 和 CFF 為可選器件，推薦以實測負載瞬態(tài)響應(yīng)和輸出調(diào)整率的結(jié)果優(yōu)化選取。四川AC高壓降5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片價格

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