智能功率模塊（IPM）由高速，低功耗的IGBT芯片和優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)電路及多種保護(hù)電路集成在同一模塊內(nèi)。IPM的通態(tài)損耗和開關(guān)損耗都比較低，散熱器的尺寸小，故整個(gè)系統(tǒng)的尺寸更小。智能功率模塊接口光耦，內(nèi)置一個(gè)砷化鎵光電二極管和集成高增益光電探測(cè)器，具有較低的傳輸延遲時(shí)間及**小化脈沖失真寬度，從而有利于提升轉(zhuǎn)換電路效率，減少切換的死區(qū)時(shí)間。智能功率模塊接口光耦具有開路集電極輸出、反相和同相的圖騰柱配置。IPM控制輸入會(huì)隨著dv/dt的大小而變，所以用于直接驅(qū)動(dòng)的光耦要求共模抑制高于10KV/μs。在輸入和輸出電壓間增加屏蔽和將電流接地可改進(jìn)光耦的共模抑制。群芯可提供高于15KV/μs的共模抑制產(chǎn)品。***用于IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)、IPM隔離驅(qū)動(dòng)、交流/直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)、變頻器、工業(yè)逆變器等。光電耦合器在多種電子設(shè)備中的應(yīng)用非常常見。山東晶體管光耦群芯微代理樣品
高壓可控硅輸出光耦適合用于控制交流負(fù)載。這種光耦，既有雙向可控硅輸出，也有單向可控硅輸出。過零型雙向可控硅輸出光耦，內(nèi)置過零檢測(cè)模塊，它在收到輸入端的控制信號(hào)時(shí)，并不是馬上開啟雙向可控硅模塊，而是等到“過零”后才觸發(fā)雙向可控硅進(jìn)行導(dǎo)通，這是在零點(diǎn)附近進(jìn)行啟動(dòng)，能有效地防止對(duì)負(fù)載和電網(wǎng)的沖擊，減少電磁干擾。可控硅具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制?？煽毓韫怦畋粡V泛應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點(diǎn)電子開關(guān)、逆變及變頻、可控硅調(diào)功器、電機(jī)控制與驅(qū)動(dòng)、以及家用電器等產(chǎn)品。高電壓可控硅光耦群芯微代理代理光耦在數(shù)字電路上獲得***的應(yīng)用。
光耦以光信號(hào)為媒介來實(shí)現(xiàn)電信號(hào)的耦合與傳遞，輸入與輸出在電氣上完全隔離，具有抗干擾性能強(qiáng)的特點(diǎn)。對(duì)于既包括弱電控制部分，又包括強(qiáng)電控制部分的工業(yè)應(yīng)用測(cè)控系統(tǒng)，采用光耦隔離可以很好地實(shí)現(xiàn)弱電和強(qiáng)電的隔離，達(dá)到抗干擾目的。但是，使用光耦隔離需要考慮以下幾個(gè)問題：①光耦直接用于隔離傳輸模擬量時(shí)，要考慮光耦的非線性問題；②光耦隔離傳輸數(shù)字量時(shí)，要考慮光耦的響應(yīng)速度問題；③如果輸出有功率要求的話，還得考慮光耦的功率接口設(shè)計(jì)問題。
光耦合器的技術(shù)參數(shù)主要有發(fā)光二極管正向壓降VF、正向電流IF、電流傳輸比CTR、輸入級(jí)與輸出級(jí)之間的絕緣電阻、集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓V(BR)CEO、集電極-發(fā)射極飽和壓降VCE(sat）。此外，在傳輸數(shù)字信號(hào)時(shí)還需考慮上升時(shí)間、下降時(shí)間、延遲時(shí)間和存儲(chǔ)時(shí)間等參數(shù)。電流傳輸比是光耦合器的重要參數(shù)，通常用直流電流傳輸比來表示。當(dāng)輸出電壓保持恒定時(shí)，它等于直流輸出電流IC與直流輸入電流IF的百分比。使用光電耦合器主要是為了提供輸入電路和輸出電路間的隔離，在設(shè)計(jì)電路時(shí)，必須遵循下列原則：所選用的光電耦合器件必須符合國(guó)內(nèi)和國(guó)際的有關(guān)隔離擊穿電壓的標(biāo)準(zhǔn)；由英國(guó)埃索柯姆（Isocom）公司、美國(guó)FAIRCHILD生產(chǎn)的4N××系列（如4N25、4N26、4N35）光耦合器，在國(guó)內(nèi)應(yīng)用地十分普遍?？梢杂糜趩纹瑱C(jī)的輸出隔離；所選用的光耦器件必須具有較高的耦合系數(shù)。 當(dāng)需要對(duì)輸出功率進(jìn)行控制時(shí)，可以采用光電雙向可控硅驅(qū)動(dòng)器。
多路輸出式電源變換器電路如圖2所示。其輸入電壓為36V到90V的準(zhǔn)方波電壓，三路輸出分別為：UO1=+5V(2A），UO2=+15V(0.17A），UO3=－15V(0.17A）。現(xiàn)將UO1定為主輸出，其電壓調(diào)整率SV=±0.4%；UO2和UO3為輔輸出，總電源效率可達(dá)75%～80%。電路中采用一片***04Y型三端單片開關(guān)電源集成電路。主輸出繞組電壓經(jīng)過VD2、C2、L1和C3整流濾波后，得到+5V電壓。VD2采用MBR735型35V/7.5A肖特基二極管。兩個(gè)輔輸出繞組及輸出電路完全呈對(duì)稱結(jié)構(gòu)。因?yàn)椤?5V輸出電流較小，故整流管VD4和VD5均采用UF4002型100V/1A的超快恢復(fù)二極管。由線性光耦CNY17-2和可調(diào)式精密并聯(lián)穩(wěn)壓器TL431C構(gòu)成光耦反饋式精密開關(guān)電源，可以對(duì)+5V電壓進(jìn)行精密調(diào)整。反饋繞組電壓通過VD3、C4整流濾波后，得到12V反饋電壓。由P6KE120型瞬態(tài)電壓抑制器和UF4002型超快恢復(fù)二極管構(gòu)成的漏極鉗位保護(hù)電路，能吸收由高頻變壓器漏感形成的尖峰電壓，保護(hù)芯片內(nèi)部的功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET不受損壞。光電耦合器應(yīng)用于數(shù)字電路，可以將脈沖信號(hào)進(jìn)行放大。遼寧智能柵極驅(qū)動(dòng)光耦群芯微代理定制
它在長(zhǎng)線傳輸信息中作為終端隔離元件可以**提高信噪比。山東晶體管光耦群芯微代理樣品
以下為光電耦合器的常用參數(shù)：反向電流IR：在被測(cè)管兩端加規(guī)定反向工作電壓VR時(shí)，二極管中流過的電流。反向擊穿電壓VBR：被測(cè)管通過的反向電流IR為規(guī)定值時(shí)，在兩極間所產(chǎn)生的電壓降。正向壓降VF：二極管通過的正向電流為規(guī)定值時(shí)，正負(fù)極之間所產(chǎn)生的電壓降。正向電流IF：在被測(cè)管兩端加一定的正向電壓時(shí)二極管中流過的電流。結(jié)電容CJ：在規(guī)定偏壓下，被測(cè)管兩端的電容值。反向擊穿電壓V(BR)CEO：發(fā)光二極管開路，集電極電流IC為規(guī)定值，集電極與發(fā)射集間的電壓降。輸出飽和壓降VCE(sat)：發(fā)光二極管工作電流IF和集電極電流IC為規(guī)定值時(shí)，并保持IC/IF≤CTRmin時(shí)（CTRmin在被測(cè)管技術(shù)條件中規(guī)定）集電極與發(fā)射極之間的電壓降。反向截止電流ICEO：發(fā)光二極管開路，集電極至發(fā)射極間的電壓為規(guī)定值時(shí)，流過集電極的電流為反向截止電流。電流傳輸比CTR：輸出管的工作電壓為規(guī)定值時(shí)，輸出電流和發(fā)光二極管正向電流之比為電流傳輸比CTR。 山東晶體管光耦群芯微代理樣品
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