什么是負(fù)離子,沃壹小編給大家分析一下
負(fù)離子室內(nèi)呼吸健唐解決方案燃爆國際綠色建博覽會
【負(fù)離子科普二】自然界中的負(fù)離子從哪里來的?
多地呼吸道ganran高發(fā),門診爆滿,秋冬呼吸道疾病高發(fā)期的易踩誤區(qū)
負(fù)離子發(fā)生器的原理是什么呢?
負(fù)離子到底是什么,一般涉及到的行業(yè)、產(chǎn)品有哪些?
負(fù)離子空氣凈化器去除PM2.5
關(guān)于負(fù)離子的常見十問
運(yùn)動,需要選對時(shí)間和地點(diǎn)
負(fù)離子給我們生活帶來的好處-空氣凈化負(fù)離子發(fā)生器制造商
主要特點(diǎn)?集成500V高壓MOSFET和高壓啟動電路?優(yōu)化輕載噪音、提升系統(tǒng)抗干擾能力?多模式控制、無異音工作?支持降壓和升降壓拓?fù)?默認(rèn)12V輸出(FB腳懸空)?待機(jī)功耗<50mW?良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率?集成軟啟動電路?內(nèi)部保護(hù)功能:?過載保護(hù)(OLP)?逐周期電流限制(OCP)?輸出過壓保護(hù)(OVP)?VDD過壓、欠壓和電壓箝位保護(hù)?封裝類型SOP-8,可以滿足客戶不同電壓需求:220V交流轉(zhuǎn)12V,220V交流轉(zhuǎn)5V,220V交流轉(zhuǎn)15V,220V交流轉(zhuǎn)24V。芯片采用管腳復(fù)用技術(shù),內(nèi)部差分采樣電路采樣 VDD 管腳與CS 管腳之間的壓差作為內(nèi)部過流比較 器的輸入。北京低功耗150V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片定制
芯片引腳內(nèi)部有一個(gè)上拉電流源(IEN(P)),使得芯片在EN 引腳外部懸空時(shí)處于使能狀態(tài)。同時(shí),上拉電流源同樣也可被用于設(shè)置外部VIN UVLO 功能的電壓閾值和遲滯。引腳EN 引腳電壓 VEN 由 VIN 分壓得到,當(dāng)VEN 隨著 VIN 上升而大于VEN(R) 時(shí),額外的一個(gè)上拉遲滯電流源(IEN(H)) 會被打開從而改變VEN 的電壓比,實(shí)現(xiàn)上升和下降閾值分別自定義配置的功能。使用如下公式9-1 和公式9-2 可以計(jì)算得到指定VIN UVLO 閾值的REN(TOP) 和 REN(BOT) 配置,其中VIN(START) 和 VIN(STOP) 為自定義配置的輸入啟動電壓和關(guān)閉電壓值。重慶AC高壓220V降30V非隔離BUCK電源芯片庫存芯片采用了多模式 PWM 控 制技術(shù),有效簡化了外圍電路設(shè)計(jì)。
220V交流降壓3.3V100mA電流,給藍(lán)牙提供穩(wěn)定的電壓及各種保護(hù)功能,KP35062是一款高性能低成本PWM控制功率開關(guān),適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場合,外圍電路簡單、器件個(gè)數(shù)少。同時(shí)產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同,KP35062內(nèi)部無固定時(shí)鐘驅(qū)動MOSFET,系統(tǒng)開關(guān)頻率隨負(fù)載變化可實(shí)現(xiàn)自動調(diào)節(jié)。同時(shí)芯片采用了多模式PWM控制技術(shù),有效簡化了外圍電路設(shè)計(jì),提升線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。
如果輸出電容在芯片啟動時(shí)已經(jīng)處于預(yù)偏置電壓狀態(tài),芯片*在內(nèi)部參考電壓SS 大于反饋電壓VFB 后才啟動開關(guān),VOUT 開始上升。該預(yù)偏置軟啟動方案保證了芯片輸出電壓平穩(wěn)地上升進(jìn)入穩(wěn)定狀態(tài)。集成了輸出欠壓打嗝保護(hù)(UVP) 功能,通過不斷監(jiān)測反饋電壓VFB 防止芯片輸出過載或短路。如果VFB 低于輸出欠壓保護(hù)閾值(VUVP) (典型值為內(nèi)部反饋參考電壓的65%),欠壓比較器的輸出將會置高,以關(guān)閉內(nèi)部高側(cè)和低側(cè)MOSFET 開關(guān)管,阻止芯片繼續(xù)開關(guān)工作。反饋輸入管腳,該引腳懸空時(shí)默認(rèn) 12V 輸出。
另外為了優(yōu)化芯片的 EMI 性能和保證芯片的可靠穩(wěn)定運(yùn)行,在使用陶瓷電容作為輸入電容 CIN 外,推薦另外再添加一個(gè) 0.1μF 的陶瓷電容(0603/0402 封裝) 盡可能近地放置在芯片的VIN 和 GND 引腳旁。需要注意的是,雖然陶瓷電容具有優(yōu)良的高頻性能和穩(wěn)定的使用壽命,但是在某些輸入電壓熱插拔的使用場景下,實(shí)際VIN 引腳上的電壓可能會由于陶瓷電容的低ESR 特性出現(xiàn)振蕩,**惡劣時(shí)甚至?xí)袷幍? 倍的 VIN 電壓,從而過壓擊穿芯片。此時(shí),推薦在輸入電壓端額外并聯(lián)加入一顆具有較大ESR 的電解電容或者在輸入電壓端添加一顆TVS 二極管以限制輸入過壓的情況。當(dāng) CS 電壓高于該閾值時(shí),內(nèi)部功率MOSFET 即刻關(guān) 斷并保持關(guān)斷狀態(tài)持續(xù)3 個(gè)PWM 周期.。北京低功耗150V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片定制
工作在強(qiáng)制脈寬調(diào)制模式(FPWM) 下以實(shí)現(xiàn)全負(fù)載電流下固定的開關(guān)頻率和低輸出紋波。北京低功耗150V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片定制
在輕載條件下,系統(tǒng)工作在斷續(xù)模式下。故實(shí)際輸入功率取決于電感電流峰值大小。為了降低系統(tǒng)損耗,隨著負(fù)載的降低會自動降低峰值電流基準(zhǔn)以滿足**待機(jī)的要求。內(nèi)集成有4ms(典型值)周期的軟啟動功能,當(dāng)芯片***次啟動時(shí)過流保護(hù)閾值逐漸增加,而且每次系統(tǒng)的重新啟動都會伴隨著一次軟啟動過程。當(dāng)過流或短路情況發(fā)生時(shí),輸出電壓和VDD將降低,如果在128ms(典型值)的時(shí)間內(nèi)每次振蕩器的周期里高壓MOSFET都被開通,則芯片識別此情況為過流或短路故障已發(fā)生,并停止開關(guān)動作之后進(jìn)入自動重啟模式(如下描述)。北京低功耗150V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片定制
互勤(深圳)科技有限公司一直專注于經(jīng)營范圍包括一般經(jīng)營項(xiàng)目是:電子產(chǎn)品、電子元器件、半導(dǎo)體芯片、系統(tǒng)集成的銷售;電池、電池管理系統(tǒng)、電子類板卡,PCBA、電子產(chǎn)品的技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)支撐、研發(fā)、設(shè)計(jì)、銷售。(法律、行政法規(guī)、決定規(guī)定在登記前須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目除外),是一家電子元器件的企業(yè),擁有自己**的技術(shù)體系。公司目前擁有較多的高技術(shù)人才,以不斷增強(qiáng)企業(yè)重點(diǎn)競爭力,加快企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新,實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健生產(chǎn)經(jīng)營。誠實(shí)、守信是對企業(yè)的經(jīng)營要求,也是我們做人的基本準(zhǔn)則。公司致力于打造***的電源芯片,MOS管,MCU方案,必易芯片。公司深耕電源芯片,MOS管,MCU方案,必易芯片,正積蓄著更大的能量,向更廣闊的空間、更寬泛的領(lǐng)域拓展。