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北京低功耗30V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片加工

來源: 發(fā)布時間:2023-06-10

40V低功耗降壓DCDC電源芯片,40V,1A易用高性能同步降壓轉換器KP52140X(A)是一款簡單易用的同步降壓直流/直流轉換器,能夠驅(qū)動高達1A的負載電流。它具有6V至40V的寬輸入范圍,因此適用于工業(yè)領域中非穩(wěn)壓電源的電源調(diào)節(jié)。KP52140X(A)內(nèi)部集成低導通電阻的P型高側MOSFET和N型低側MOSFET,省掉了外部自舉電容和肖特基二極管。在內(nèi)部實現(xiàn)了軟啟動和補償電路減少了**元器件的數(shù)量,固定5V或3.3V的輸出方式可進一步減少**元器件數(shù)量,從而輕松實現(xiàn)單層PCB布局。KP52140X(A)典型開關頻率為100kHz,采用低開關速率設計適用于有EMI要求的應用場合。KP52140X(A)內(nèi)置有完善的保護功能:輸入過壓保護(VINOVP)、輸入欠壓鎖定(UVLO)、逐周期電流限制(OCL)、輸出過壓保護(VOUTOVP)、輸出欠壓保護(VOUTUVP),和過溫保護(OTP),以確保其在不同的工作條件下保持安全、可靠運行。KP52140X(A)采用TSOT23-5和TSOT23-6封裝,可節(jié)約布局空間。集成式線電壓和輸出電壓補償優(yōu)化調(diào)整率。北京低功耗30V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片加工

高性能、低成本離線式PWM控制開關KP3501A是一款非隔離型、高集成度且低成本的PWM功率開關,適用于降壓型電路。KP3501A采用高壓單晶圓工藝,在同一片晶圓上集成有500V高壓MOSFET和采用開關式峰值電流模式控制的控制器。在全電壓輸入的范圍內(nèi)可以保證高精度的5V默認輸出。在芯片內(nèi)部,芯片內(nèi)部**小Toff時間固定為20μs且?guī)в卸额l功能,在保證輸出功率的條件下優(yōu)化了EMI效果。同時,芯片設計有輕重載模式,可輕松獲得低于50mW的待機功耗。KP3501A集成有完備的保護功能:VDD欠壓保護、逐周期電流限制、異常過流保護、過熱保護、過載保護和短路保護等。主要特點?高精度5V默認輸出?集成500V高壓MOSFET和高壓啟動電路?集成續(xù)流二極管?集成采樣電阻,**系統(tǒng)成本?支持**壓輸入(15V以上)應用?支持降壓電路?開關式峰值電流模式控制?**待機功耗小于50Mw?比較高45kHz開關頻率?**工作電流,支持小VDD電容?集成軟啟動電路?集成式保護功能:?過載保護(OLP)?過熱保護(OTP)?逐周期電流限制(OCP)?異常過流保護(AOCP)?前沿消隱(LEB)?VDD欠壓保護?封裝類型SOP-4中國香港低功耗100V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片代理AC交流輸入,輸出12V/500mA電流的低成本BUCK降壓芯片。

固定5V輸出、高性能低成本離線式PWM控制功率KP320X是一款系列化的高性能低成本PWM控制功率開關,適用于離線式小功率降壓型應用場合,外圍電路簡單、器件個數(shù)少。同時產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同,KP320X內(nèi)部無固定時鐘驅(qū)動MOSFET,系統(tǒng)開關頻率隨負載變化可實現(xiàn)自動調(diào)節(jié)。同時芯片采用了多模式PWM控制技術,有效簡化了外圍電路設計,提升線性調(diào)整率和負載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。此外,芯片內(nèi)部峰值電流檢測閾值可跟隨實際負載情況自動調(diào)節(jié),可以有效降低空載情況下的待機功耗。

交流高壓AC220降壓12VDC電壓電源芯片,KP1505X高性能、低成本離線式PWM控制功率開關KP1505X系列是一款高性能低成本PWM控制功率開關,適用于離線式小功率降壓型應用場合,外圍電路簡單、器件個數(shù)少。同時產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同,KP1505X內(nèi)部無固定時鐘驅(qū)動MOSFET,系統(tǒng)開關頻率隨負載變化可實現(xiàn)自動調(diào)節(jié)。同時芯片采用了多模式PWM控制技術,有效簡化了外圍電路設計,提升線性調(diào)整率和負載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。此外,芯片內(nèi)部峰值電流檢測閾值可跟隨實際負載情況自動調(diào)節(jié),可以有效降低空載情況下的待機功耗。KP1505X集成有完備的帶自恢復功能的保護功能:VDD欠壓保護、逐周期電流限制、輸出過壓保護、過熱保護、過載保護和VDD過壓保護等。同時產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓 MOSFET 可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。

如果輸出電容在芯片啟動時已經(jīng)處于預偏置電壓狀態(tài),芯片*在內(nèi)部參考電壓SS 大于反饋電壓VFB 后才啟動開關,VOUT 開始上升。該預偏置軟啟動方案保證了芯片輸出電壓平穩(wěn)地上升進入穩(wěn)定狀態(tài)。集成了輸出欠壓打嗝保護(UVP) 功能,通過不斷監(jiān)測反饋電壓VFB 防止芯片輸出過載或短路。如果VFB 低于輸出欠壓保護閾值(VUVP) (典型值為內(nèi)部反饋參考電壓的65%),欠壓比較器的輸出將會置高,以關閉內(nèi)部高側和低側MOSFET 開關管,阻止芯片繼續(xù)開關工作。在實際 工作中,系統(tǒng)開關頻率取決于負載狀態(tài)以及VDD 電壓與輸出電壓基準的高低,所以系統(tǒng)工作在調(diào)頻 模式中。中國香港AC高壓降12V供電非隔離BUCK電源芯片技術支持

提升線性調(diào)整 率和負載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。北京低功耗30V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片加工

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