什么是負(fù)離子,沃壹小編給大家分析一下
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【負(fù)離子科普二】自然界中的負(fù)離子從哪里來的?
多地呼吸道ganran高發(fā),門診爆滿,秋冬呼吸道疾病高發(fā)期的易踩誤區(qū)
負(fù)離子發(fā)生器的原理是什么呢?
負(fù)離子到底是什么,一般涉及到的行業(yè)、產(chǎn)品有哪些?
負(fù)離子空氣凈化器去除PM2.5
關(guān)于負(fù)離子的常見十問
運(yùn)動(dòng),需要選對(duì)時(shí)間和地點(diǎn)
負(fù)離子給我們生活帶來的好處-空氣凈化負(fù)離子發(fā)生器制造商
PCB設(shè)計(jì)對(duì)芯片的穩(wěn)定可靠工作至關(guān)重要,請(qǐng)遵循以下指南設(shè)計(jì)以獲得比較好的電路工作性能:1.輸入陶瓷電容盡可能靠近VIN和GND引腳放置。2.功率回路CIN→L→COUT→GND的走線應(yīng)該盡可能短和寬以減小回路壓降,提高轉(zhuǎn)換效率。3.SW節(jié)點(diǎn)的電壓波形為高頻方波,適當(dāng)減小SW節(jié)點(diǎn)的鋪銅可以改善EMI性能,另一方面適當(dāng)增大SW節(jié)點(diǎn)的鋪銅可以優(yōu)化散熱性能,可根據(jù)實(shí)際情況適當(dāng)折衷考慮。4.FB引腳的走線盡可能遠(yuǎn)離噪聲源,比如SW節(jié)點(diǎn)和BST節(jié)點(diǎn)。5.輸出電壓VOUT的采樣點(diǎn)靠近輸出電容末端放置,且分壓采樣電阻靠近FB引腳放置。6.VIN和GND的走線和鋪銅盡可能寬以幫助散熱。在多層板的PCB設(shè)計(jì)中,推薦為GND引腳設(shè)置一個(gè)完整的GND層,并在GND層和芯片層間增加足夠多的過孔??山o藍(lán)牙芯片提供穩(wěn)定客戶的電壓。中國(guó)臺(tái)灣交流高壓220V轉(zhuǎn)3.3V供電WIFI非隔離BUCK電源芯片庫存
另外為了優(yōu)化芯片的 EMI 性能和保證芯片的可靠穩(wěn)定運(yùn)行,在使用陶瓷電容作為輸入電容 CIN 外,推薦另外再添加一個(gè) 0.1μF 的陶瓷電容(0603/0402 封裝) 盡可能近地放置在芯片的VIN 和 GND 引腳旁。需要注意的是,雖然陶瓷電容具有優(yōu)良的高頻性能和穩(wěn)定的使用壽命,但是在某些輸入電壓熱插拔的使用場(chǎng)景下,實(shí)際VIN 引腳上的電壓可能會(huì)由于陶瓷電容的低ESR 特性出現(xiàn)振蕩,**惡劣時(shí)甚至?xí)袷幍? 倍的 VIN 電壓,從而過壓擊穿芯片。此時(shí),推薦在輸入電壓端額外并聯(lián)加入一顆具有較大ESR 的電解電容或者在輸入電壓端添加一顆TVS 二極管以限制輸入過壓的情況。中國(guó)臺(tái)灣交流高壓220V轉(zhuǎn)3.3V供電WIFI非隔離BUCK電源芯片庫存在某些情況下(如重載或者輸出短路等),系統(tǒng)的電 感電流峰值將上升過于劇烈。
芯片引腳內(nèi)部有一個(gè)上拉電流源(IEN(P)),使得芯片在EN 引腳外部懸空時(shí)處于使能狀態(tài)。同時(shí),上拉電流源同樣也可被用于設(shè)置外部VIN UVLO 功能的電壓閾值和遲滯。引腳EN 引腳電壓 VEN 由 VIN 分壓得到,當(dāng)VEN 隨著 VIN 上升而大于VEN(R) 時(shí),額外的一個(gè)上拉遲滯電流源(IEN(H)) 會(huì)被打開從而改變VEN 的電壓比,實(shí)現(xiàn)上升和下降閾值分別自定義配置的功能。使用如下公式9-1 和公式9-2 可以計(jì)算得到指定VIN UVLO 閾值的REN(TOP) 和 REN(BOT) 配置,其中VIN(START) 和 VIN(STOP) 為自定義配置的輸入啟動(dòng)電壓和關(guān)閉電壓值。
設(shè)計(jì)在 4.5V 到 17V 范圍內(nèi)工作,BUCK 降壓變換器要求輸入電壓高于輸出電壓才能正常工作,建議比較大工作占空比為75%,則建議的**小輸入電壓為VOUT/0.75。芯片不允許輸出電壓高于輸入電壓,這種情況下輸出電壓通過高側(cè)功率體二極管向輸入電源放電,由此產(chǎn)生的反向電流可能導(dǎo)致不可預(yù)測(cè)的行為。如果有這種應(yīng)用條件出現(xiàn),可以添加串聯(lián)二極管等方式以阻斷此反向電流。電感的選型關(guān)系到芯片方案的體積、成本、效率和暫態(tài)響應(yīng)性能。主要考慮電感的3 個(gè)關(guān)鍵參數(shù):電感量(L),電感飽和電流(ISAT) 和電感直流電阻(DCR)。同時(shí)產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓 MOSFET 可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。
輸出電容選擇:對(duì)于常規(guī)的5V-100mA規(guī)格,輸出電容根據(jù)實(shí)際紋波電壓需求選擇100uF-220uF即可。假負(fù)載選擇:需在空載輸出電壓和待機(jī)損耗上折中:即過大的假負(fù)載可以壓制空載輸出上飄電壓,但系統(tǒng)待機(jī)損耗也隨之加大;而過小的假負(fù)載則反之。一般而言,芯片系統(tǒng)推薦假負(fù)載阻值范圍在1-2k范圍內(nèi)(隨輸出電壓調(diào)整),假負(fù)載損耗控制在10-15mW左右即可。內(nèi)集成有4ms(典型值)周期的軟啟動(dòng)功能,當(dāng)芯片***次啟動(dòng)時(shí)過流保護(hù)閾值逐漸增加,而且每次系統(tǒng)的重新啟動(dòng)都會(huì)伴隨著一次軟啟動(dòng)過程。集成有快速動(dòng)態(tài)影響功能,可降低負(fù)載 切換時(shí)的輸出電壓跌落。北京交流高壓220V轉(zhuǎn)3.3V供電藍(lán)牙非隔離BUCK電源芯片加工
系列是一款高性能低成本 PWM 控制功 率開關(guān),適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場(chǎng)合,**電路簡(jiǎn)單、器件個(gè)數(shù)少。中國(guó)臺(tái)灣交流高壓220V轉(zhuǎn)3.3V供電WIFI非隔離BUCK電源芯片庫存
220V交流降壓3.3V100mA電流,給藍(lán)牙提供穩(wěn)定的電壓及各種保護(hù)功能,KP35062是一款高性能低成本PWM控制功率開關(guān),適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場(chǎng)合,外圍電路簡(jiǎn)單、器件個(gè)數(shù)少。同時(shí)產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同,KP35062內(nèi)部無固定時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)MOSFET,系統(tǒng)開關(guān)頻率隨負(fù)載變化可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)調(diào)節(jié)。同時(shí)芯片采用了多模式PWM控制技術(shù),有效簡(jiǎn)化了外圍電路設(shè)計(jì),提升線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。中國(guó)臺(tái)灣交流高壓220V轉(zhuǎn)3.3V供電WIFI非隔離BUCK電源芯片庫存
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