在輕載工作條件下自動進入脈沖頻率調(diào)制模式(PFM),以保持輕載高效率。當負載電流逐漸減小時,電感電流紋波的波谷逐漸下降,直至電感電流波谷為0A,此時即為電感電流連續(xù)導通模式和不連續(xù)導通模式的臨界——電感電流臨界導通模式。繼續(xù)降低負載電流,當檢測到電感電流過零時,將會關閉低側(cè)MOSFET (LSF),從而電感電流保持為零。在這種情況下,輸出電容只被負載電流放電,輸出電壓下降速度變慢,從而開關頻率將會降低。由于開關頻率的降低,輕載時的開關損耗也將降低,從而提高了系統(tǒng)的輕載效率。為了避免開通瞬間的 干擾, 芯片內(nèi)設計有前沿消隱電路( 典型值 300ns)。中國臺灣AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片價格
高性能、低成本離線式PWM控制開關KP3501A是一款非隔離型、高集成度且低成本的PWM功率開關,適用于降壓型電路。KP3501A采用高壓單晶圓工藝,在同一片晶圓上集成有500V高壓MOSFET和采用開關式峰值電流模式控制的控制器。在全電壓輸入的范圍內(nèi)可以保證高精度的5V默認輸出。在芯片內(nèi)部,芯片內(nèi)部**小Toff時間固定為20μs且?guī)в卸额l功能,在保證輸出功率的條件下優(yōu)化了EMI效果。同時,芯片設計有輕重載模式,可輕松獲得低于50mW的待機功耗。KP3501A集成有完備的保護功能:VDD欠壓保護、逐周期電流限制、異常過流保護、過熱保護、過載保護和短路保護等。主要特點?高精度5V默認輸出?集成500V高壓MOSFET和高壓啟動電路?集成續(xù)流二極管?集成采樣電阻,**系統(tǒng)成本?支持**壓輸入(15V以上)應用?支持降壓電路?開關式峰值電流模式控制?**待機功耗小于50Mw?比較高45kHz開關頻率?**工作電流,支持小VDD電容?集成軟啟動電路?集成式保護功能:?過載保護(OLP)?過熱保護(OTP)?逐周期電流限制(OCP)?異常過流保護(AOCP)?前沿消隱(LEB)?VDD欠壓保護?封裝類型SOP-4江蘇AC高壓降3.3V藍牙WIFI供電非隔離BUCK電源芯片技術支持多模式控制、無異音工作,支持降壓和升降壓拓撲。
當過流或者過熱故障發(fā)生時,芯片進入到自動重啟和VDD振蕩模式中。在此過程中高壓MOSFET不允許導通,同時VDD電容上電壓持續(xù)在4.87V和4.38V之間振蕩。通過芯片內(nèi)部數(shù)字計數(shù)器對振蕩周期的計數(shù),當振蕩周期數(shù)超過511次時芯片退出保護模式并重新開始工作。如果故障解除,系統(tǒng)開始正常工作;否則系統(tǒng)再次進入振蕩模式。為確保系統(tǒng)工作穩(wěn)定,推薦KP311A系統(tǒng)工作于淺度CCM狀態(tài),即電感電流紋波ΔI接近于OCP峰值電流(210mA)。具體感量計算公式如下:L=(Vo+Vf)*Toff_min/ΔI其中:Vo:輸出電壓;Vf:續(xù)流二極管壓降;Toff_min:IC設定內(nèi)部**小Toff時間,約32us;ΔI:電感紋波電流,CCM條件下為2*(Iocp-Io_max)。舉例來講,參考5V-100mA輸出規(guī)格,設定Io_max為額定輸出電流的1.2倍,即120mA;
在輕載條件下工作在強制脈寬調(diào)制模式(FPWM),以保持開關頻率的恒定和維持低的輸出電壓紋波。當HSF 處于關斷狀態(tài)時,LSF 將在 10ns 后的死區(qū)時間后被強制打開,直到在下一個周期HSF 打開前關閉。這種工作模式不檢測電感電流過零點,允許電感電流通過LSF 的漏-源極從輸出電容流到開關節(jié)點,稱為反向電流。在這種情況下,開關頻率在整個負載電流范圍內(nèi)幾乎保持恒定,實現(xiàn)低輕載輸出電壓波紋。低功耗DCDC降壓轉(zhuǎn)換器,低紋波,高效率,電路簡潔。AC交流輸入,輸出12V/500mA電流的低成本BUCK降壓芯片。
40V降壓DCDC低功耗電源芯片,主要特點?用于條件嚴苛的工業(yè)應用?輸入電壓范圍:6V~40V?1A持續(xù)輸出電流?100%比較大占空比可實現(xiàn)**壓降?支持預偏置輸出軟啟動?輸出過壓/欠壓保護?輸入過壓保護/欠壓鎖定?過溫保護?±1%輸出電壓精度?方案小巧且易于使用?集成270mΩP型高側(cè)MOSFET?集成135mΩN型低側(cè)MOSFET?內(nèi)置補償電路?內(nèi)置軟啟動電路?固定5V輸出(KP521405,KP521405A)?固定3.3V輸出(KP521403,KP521403A)?為家電應用優(yōu)化設計?可實現(xiàn)單層PCB布局?低開關速率減輕EMI問題典型應用?白電,小家電?電動工具?智能照明?通用寬輸入電壓軌內(nèi)部功率MOSFET 漏極,當輸入電壓下降至充電窗口區(qū)間 時向后級提供能量。山東AC高壓220V降24V非隔離BUCK電源芯片庫存
為了降低系統(tǒng)損 耗,隨著負載的降低芯片會自動降低峰值電流 基準以滿足**待機的要求。中國臺灣AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片價格
同步降壓變換器的輸出級主要由電感和電容組成,通過內(nèi)部集成的功率MOSFET管的開關切換,將能量存儲并傳遞給負載,并形成二階低通濾波器平滑開關節(jié)點電壓,得到穩(wěn)定的輸出直流電壓。本節(jié)基于設計實例主要描述詳細的設計過程。芯片可以通過使用外部分壓電阻連接到FB引腳來設置不同的輸出電壓。輸出電壓與外部分壓電阻的公式如下:????????+×=FB(B)FB(T)REFOUTRR1VV其中VREF=0.768V推薦從分壓下電阻RFB(B)開始設計。過大的RFB(B)會導致FB引腳更容易收到外界噪聲干擾,而過小的RFB(B)會增大分壓電阻的功率損耗。綜合考慮二者,推薦選擇RFB(B)=10kΩ~50kΩ。則分壓上電阻RFB(T)可由如下公式計算得到:?????????×=1REFOUTFB(B)FB(T)VVRR其中VREF=0.768V中國臺灣AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片價格
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