持續(xù)的研發(fā)是保持產(chǎn)品競爭力的關鍵，而模擬芯片的研發(fā)與設計需要電子、材料、半導體等跨學科知識的積累和跨行業(yè)技術的整合，且對研發(fā)人員的專業(yè)水平和工作經(jīng)驗要求較高。必易微的**研發(fā)團隊均具備國內(nèi)外名校的學歷背景，并曾在國內(nèi)外**科技企業(yè)擔任高層研發(fā)和管理職務，擁有豐富的行業(yè)經(jīng)驗，對模擬集成電路設計有著深刻的理解。必易微在市場開拓的進程中專注客戶服務，對客戶的需求能夠快速響應，以解決客戶痛點、**市場潮流為市場價值導向，取得了行業(yè)頭部客戶的認可和采用，推動了公司產(chǎn)品打破國外廠商對市場的壟斷地位，為公司新產(chǎn)品、新業(yè)務的發(fā)展提供了***遼闊的市場空間。支持使用MLCC 陶瓷電容，且支持低輸出電容數(shù)量。北京AC高壓220V降24V非隔離BUCK電源芯片資料

集成了逐周期谷底限流保護(OCL) 功能。每當內(nèi)部低側(cè)MOSFET 導通時，芯片檢測電感電流，當電感電流大于電流限流閾值(ILS(OC)) 時，限流比較器翻轉(zhuǎn)，芯片 進入 OCL模式。此時，芯片內(nèi)部高側(cè)MOSFET 保持關斷狀態(tài)，直到電感電流下降小于電流限流閾值(ILS(OC)) 后才會再次開啟。如果芯片的負載電流超過電感電流(電感電流被OCL 鉗位)，則輸出電容需要提供額外的電流，從而輸出電容放電，輸出電壓開始下降。當輸出電壓低于輸出欠壓保護閾值(VUVP) 時，芯片將停止工作，進入到UVP 打嗝模式，以避免溫升過高的情況出現(xiàn)。湖南非隔離BUCK電源芯片定制AC交流輸入，輸出3.3V/400mA.

WIFI供電**芯片，精度高，動態(tài)優(yōu)，功耗低，**精簡。KP35026是一款高性能低成本PWM控制功率開關，適用于3.3V供電的應用場合，外圍電路簡單、器件個數(shù)少。同時IC內(nèi)置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同，KP35026內(nèi)部無固定時鐘驅(qū)動MOSFET，系統(tǒng)開關頻率隨負載變化可實現(xiàn)自動調(diào)節(jié)。芯片采用了多模式PWM控制技術和動態(tài)響應優(yōu)化電路，有效提升了動態(tài)響應能力，優(yōu)化了線性調(diào)整率和負載調(diào)整率，同時明顯降低了系統(tǒng)工作中的可聞噪音。

交流高壓AC220降壓12VDC電壓電源芯片，KP1505X高性能、低成本離線式PWM控制功率開關KP1505X系列是一款高性能低成本PWM控制功率開關，適用于離線式小功率降壓型應用場合，外圍電路簡單、器件個數(shù)少。同時產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同，KP1505X內(nèi)部無固定時鐘驅(qū)動MOSFET，系統(tǒng)開關頻率隨負載變化可實現(xiàn)自動調(diào)節(jié)。同時芯片采用了多模式PWM控制技術，有效簡化了外圍電路設計，提升線性調(diào)整率和負載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。此外，芯片內(nèi)部峰值電流檢測閾值可跟隨實際負載情況自動調(diào)節(jié)，可以有效降低空載情況下的待機功耗。KP1505X集成有完備的帶自恢復功能的保護功能：VDD欠壓保護、逐周期電流限制、輸出過壓保護、過熱保護、過載保護和VDD過壓保護等。芯片供電管腳，同時作為輸出電壓反饋端 (FB 懸空時)。典型應用 中 VDD 電容推薦采用 1uF 陶瓷電容。

高性能、低成本離線式PWM控制開關KP3501A是一款非隔離型、高集成度且低成本的PWM功率開關，適用于降壓型電路。KP3501A采用高壓單晶圓工藝，在同一片晶圓上集成有500V高壓MOSFET和采用開關式峰值電流模式控制的控制器。在全電壓輸入的范圍內(nèi)可以保證高精度的5V默認輸出。在芯片內(nèi)部，芯片內(nèi)部**小Toff時間固定為20μs且?guī)в卸额l功能，在保證輸出功率的條件下優(yōu)化了EMI效果。同時，芯片設計有輕重載模式，可輕松獲得低于50mW的待機功耗。KP3501A集成有完備的保護功能：VDD欠壓保護、逐周期電流限制、異常過流保護、過熱保護、過載保護和短路保護等。主要特點?高精度5V默認輸出?集成500V高壓MOSFET和高壓啟動電路?集成續(xù)流二極管?集成采樣電阻，**系統(tǒng)成本?支持**壓輸入(15V以上)應用?支持降壓電路?開關式峰值電流模式控制?**待機功耗小于50Mw?比較高45kHz開關頻率?**工作電流，支持小VDD電容?集成軟啟動電路?集成式保護功能:?過載保護(OLP)?過熱保護(OTP)?逐周期電流限制(OCP)?異常過流保護(AOCP)?前沿消隱(LEB)?VDD欠壓保護?封裝類型SOP-4為了避免開通瞬間的 干擾， 芯片內(nèi)設計有前沿消隱電路（ 典型值 300ns）。中國臺灣低功耗40V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片型號

內(nèi)部功率MOSFET 漏極，當輸入電壓下降至充電窗口區(qū)間 時向后級提供能量。北京AC高壓220V降24V非隔離BUCK電源芯片資料

如果輸出電容在芯片啟動時已經(jīng)處于預偏置電壓狀態(tài)，芯片*在內(nèi)部參考電壓SS 大于反饋電壓VFB 后才啟動開關，VOUT 開始上升。該預偏置軟啟動方案保證了芯片輸出電壓平穩(wěn)地上升進入穩(wěn)定狀態(tài)。集成了輸出欠壓打嗝保護(UVP) 功能，通過不斷監(jiān)測反饋電壓VFB 防止芯片輸出過載或短路。如果VFB 低于輸出欠壓保護閾值(VUVP) (典型值為內(nèi)部反饋參考電壓的65%)，欠壓比較器的輸出將會置高，以關閉內(nèi)部高側(cè)和低側(cè)MOSFET 開關管，阻止芯片繼續(xù)開關工作。北京AC高壓220V降24V非隔離BUCK電源芯片資料

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