芯片內(nèi)部**小Toff時(shí)間固定為32us，同時(shí)為了優(yōu)化系統(tǒng)EMI系統(tǒng)還帶有±5%范圍的抖頻功能。在實(shí)際工作中，系統(tǒng)開關(guān)頻率取決于負(fù)載狀態(tài)以及VDD電壓與輸出電壓基準(zhǔn)的高低，所以系統(tǒng)工作在調(diào)頻模式中。芯片內(nèi)部差分采樣電路采樣流經(jīng)高壓MOS電流的壓差作為內(nèi)部過流比較器的輸入。當(dāng)過流比較器翻轉(zhuǎn)時(shí)高壓MOSFET關(guān)斷直至下一個(gè)周期重新開通。為了避免開通瞬間的干擾，芯片內(nèi)設(shè)計(jì)有前沿消隱電路(典型值400ns)，在此時(shí)間內(nèi)過流比較器不翻轉(zhuǎn)且高壓MOSFET不允許關(guān)斷。系列是一款高性能低成本 PWM 控制功 率開關(guān)，適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場合，**電路簡單、器件個(gè)數(shù)少。四川低功耗100V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片原廠

在輕載條件下，系統(tǒng)工作在斷續(xù)模式下。故實(shí)際輸入功率取決于電感電流峰值大小。為了降低系統(tǒng)損耗，隨著負(fù)載的降低會自動降低峰值電流基準(zhǔn)以滿足**待機(jī)的要求。內(nèi)集成有4ms(典型值)周期的軟啟動功能，當(dāng)芯片***次啟動時(shí)過流保護(hù)閾值逐漸增加，而且每次系統(tǒng)的重新啟動都會伴隨著一次軟啟動過程。當(dāng)過流或短路情況發(fā)生時(shí)，輸出電壓和VDD將降低，如果在128ms(典型值)的時(shí)間內(nèi)每次振蕩器的周期里高壓MOSFET都被開通，則芯片識別此情況為過流或短路故障已發(fā)生，并停止開關(guān)動作之后進(jìn)入自動重啟模式(如下描述)。北京AC高壓降5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片定制設(shè)計(jì)的軟驅(qū)動功能的驅(qū)動電路優(yōu)化了系統(tǒng) EMI 性能。

互勤科技是一個(gè)專注電源解決方案高新企業(yè)，公司注重技術(shù)服務(wù)，憑借行業(yè)10年以上積累豐富經(jīng)驗(yàn)、雄厚技術(shù)實(shí)力為客戶提供優(yōu)勢的軟硬件開發(fā)售后保障服務(wù)。主要產(chǎn)品包括：直流轉(zhuǎn)換控制芯片、交流轉(zhuǎn)換控制芯片、電源管理芯片、LED照明驅(qū)動芯片，電池管理系統(tǒng)芯片、馬達(dá)驅(qū)動，微控制芯片、MOS功率器件、可控硅、數(shù)字隔離芯片。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：消費(fèi)類電子、智能家居、商業(yè)照明、工業(yè)控制、光伏逆變、BMS（電池管理系統(tǒng)）、汽車電子等領(lǐng)域。我們始終秉持誠信的理念和互利共贏的合作方式，堅(jiān)持高效的管理方式和嚴(yán)謹(jǐn)?shù)墓ぷ鲬B(tài)度，為客戶提供比較好質(zhì)周到的服務(wù)。

另外為了優(yōu)化芯片的 EMI 性能和保證芯片的可靠穩(wěn)定運(yùn)行，在使用陶瓷電容作為輸入電容 CIN 外，推薦另外再添加一個(gè) 0.1μF 的陶瓷電容(0603/0402 封裝) 盡可能近地放置在芯片的VIN 和 GND 引腳旁。需要注意的是，雖然陶瓷電容具有優(yōu)良的高頻性能和穩(wěn)定的使用壽命，但是在某些輸入電壓熱插拔的使用場景下，實(shí)際VIN 引腳上的電壓可能會由于陶瓷電容的低ESR 特性出現(xiàn)振蕩，**惡劣時(shí)甚至?xí)袷幍? 倍的 VIN 電壓，從而過壓擊穿芯片。此時(shí)，推薦在輸入電壓端額外并聯(lián)加入一顆具有較大ESR 的電解電容或者在輸入電壓端添加一顆TVS 二極管以限制輸入過壓的情況。同時(shí)產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓 MOSFET 可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。

集成了輸出過壓保護(hù)(OVP) 功能，以減小輸出電壓過沖，并保護(hù)下游用電設(shè)備免受在輸出故障條件或者突減負(fù)載時(shí)可能出現(xiàn)的高壓尖峰的損壞。OVP 電路通過監(jiān)測反饋電壓(VFB) 檢測過壓條件。當(dāng)VFB 超過 OVP 閾值 (VOVP) 時(shí)，OVP 比較器輸出置高，內(nèi)置高側(cè)和低側(cè)MOSFET 都將關(guān)閉，以避免VOUT 進(jìn)一步升高。一旦VOUT 低于 VOVP，芯片開始再次工作。輸出過壓保護(hù)功能為非鎖存功能。IC內(nèi)部集成了紋波注入電路來模擬輸出電壓紋波從而實(shí)現(xiàn)了在低ESR 的陶瓷輸出電容(MLCC) 的低輸出紋波條件下的穩(wěn)定工作。另外，內(nèi)部還集成了一個(gè)斜坡信號產(chǎn)生電路，以減少開關(guān)抖動。在此時(shí)間內(nèi)過流比較器不翻轉(zhuǎn)且高壓 MOSFET 不允許關(guān)斷。山東AC高壓降5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片加工

內(nèi)部功率MOSFET 漏極，當(dāng)輸入電壓下降至充電窗口區(qū)間 時(shí)向后級提供能量。四川低功耗100V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片原廠

我們芯片采用高壓集成工藝，內(nèi)部集成有500V高壓MOSFET，適用于小家電和輔助電源應(yīng)用場合所需的離線式降壓電路和升降壓電路，也可用于線性電源的替代型電源。芯片采用開關(guān)式峰值電流模式控制，默認(rèn)5V高精度輸出時(shí)很大程度降低了系統(tǒng)成本。此外，芯片經(jīng)過內(nèi)部優(yōu)化，可兼容**壓輸入(15Vdc以上)應(yīng)用。IC芯片的靜態(tài)工作電流典型值為150uA。如此低的工作電流降低了對于VDD電容大小的要求，同時(shí)也可以幫助系統(tǒng)降低成本。通常條件下建議使用0.1-1uF瓷片電容。四川低功耗100V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片原廠

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