芯片引腳內(nèi)部有一個(gè)上拉電流源(IEN(P))，使得芯片在EN 引腳外部懸空時(shí)處于使能狀態(tài)。同時(shí)，上拉電流源同樣也可被用于設(shè)置外部VIN UVLO 功能的電壓閾值和遲滯。引腳EN 引腳電壓 VEN 由 VIN 分壓得到，當(dāng)VEN 隨著 VIN 上升而大于VEN(R) 時(shí)，額外的一個(gè)上拉遲滯電流源(IEN(H)) 會被打開從而改變VEN 的電壓比，實(shí)現(xiàn)上升和下降閾值分別自定義配置的功能。使用如下公式9-1 和公式9-2 可以計(jì)算得到指定VIN UVLO 閾值的REN(TOP) 和 REN(BOT) 配置，其中VIN(START) 和 VIN(STOP) 為自定義配置的輸入啟動電壓和關(guān)閉電壓值。芯片采用管腳復(fù)用技術(shù)，內(nèi)部差分采樣電路采樣 VDD 管腳與CS 管腳之間的壓差作為內(nèi)部過流比較 器的輸入。江西AC高壓降5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片現(xiàn)貨

220V交流降壓3.3V100mA電流，給藍(lán)牙提供穩(wěn)定的電壓及各種保護(hù)功能，KP35062是一款高性能低成本PWM控制功率開關(guān)，適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場合，外圍電路簡單、器件個(gè)數(shù)少。同時(shí)產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同，KP35062內(nèi)部無固定時(shí)鐘驅(qū)動MOSFET，系統(tǒng)開關(guān)頻率隨負(fù)載變化可實(shí)現(xiàn)自動調(diào)節(jié)。同時(shí)芯片采用了多模式PWM控制技術(shù)，有效簡化了外圍電路設(shè)計(jì)，提升線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。江西AC高壓降5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片現(xiàn)貨PWM控制電路、**的過零檢測電 路以及各種保護(hù)電路，用以實(shí)現(xiàn)臨界導(dǎo)通驅(qū)動控制。

當(dāng)過流或者過熱故障發(fā)生時(shí)，芯片進(jìn)入到自動重啟和VDD振蕩模式中。在此過程中高壓MOSFET不允許導(dǎo)通，同時(shí)VDD電容上電壓持續(xù)在4.87V和4.38V之間振蕩。通過芯片內(nèi)部數(shù)字計(jì)數(shù)器對振蕩周期的計(jì)數(shù)，當(dāng)振蕩周期數(shù)超過511次時(shí)芯片退出保護(hù)模式并重新開始工作。如果故障解除，系統(tǒng)開始正常工作；否則系統(tǒng)再次進(jìn)入振蕩模式。為確保系統(tǒng)工作穩(wěn)定，推薦KP311A系統(tǒng)工作于淺度CCM狀態(tài)，即電感電流紋波ΔI接近于OCP峰值電流(210mA)。具體感量計(jì)算公式如下：L=(Vo+Vf)*Toff_min/ΔI其中：Vo：輸出電壓；Vf：續(xù)流二極管壓降；Toff_min：IC設(shè)定內(nèi)部**小Toff時(shí)間，約32us；ΔI：電感紋波電流，CCM條件下為2*(Iocp-Io_max)。舉例來講，參考5V-100mA輸出規(guī)格，設(shè)定Io_max為額定輸出電流的1.2倍，即120mA；

另外為了優(yōu)化芯片的 EMI 性能和保證芯片的可靠穩(wěn)定運(yùn)行，在使用陶瓷電容作為輸入電容 CIN 外，推薦另外再添加一個(gè) 0.1μF 的陶瓷電容(0603/0402 封裝) 盡可能近地放置在芯片的VIN 和 GND 引腳旁。需要注意的是，雖然陶瓷電容具有優(yōu)良的高頻性能和穩(wěn)定的使用壽命，但是在某些輸入電壓熱插拔的使用場景下，實(shí)際VIN 引腳上的電壓可能會由于陶瓷電容的低ESR 特性出現(xiàn)振蕩，**惡劣時(shí)甚至?xí)袷幍? 倍的 VIN 電壓，從而過壓擊穿芯片。此時(shí)，推薦在輸入電壓端額外并聯(lián)加入一顆具有較大ESR 的電解電容或者在輸入電壓端添加一顆TVS 二極管以限制輸入過壓的情況。該芯片通過智能控制交流能 量輸入以減小系統(tǒng)損耗，提高系統(tǒng)效率，同時(shí)有效 降低系統(tǒng)待機(jī)。

芯片BST 引腳和 SW 引腳間需要加入一顆陶瓷電容以穩(wěn)定支撐芯片內(nèi)部高側(cè)N-MOSFET 的驅(qū)動電源。此處推薦使用不低于10V 耐壓的 X5R 或者 X7R 的 0.1μF 陶瓷電容(0603 封裝)。采用 COT 控制架構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)超快的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)性能。在某些對負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)要求更高的應(yīng)用條件下，還可以通過在輸出反饋分壓電阻上添加前饋電阻RFF 和電容CFF 來進(jìn)一步提升瞬態(tài)響應(yīng)性能?？紤]到噪聲耦合影響，推薦使用RFF = 2 kΩ~10kΩ，另外不要使用高于100pF 的 CFF。注意，實(shí)際RFF 和 CFF 為可選器件，推薦以實(shí)測負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)和輸出調(diào)整率的結(jié)果優(yōu)化選取。在此時(shí)間內(nèi)過流比較器不翻轉(zhuǎn)且高壓 MOSFET 不允許關(guān)斷。江西AC高壓降5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片現(xiàn)貨

COT 控制利用輸出電壓谷底紋波基于比較器和導(dǎo)通時(shí)間定時(shí)器實(shí)現(xiàn)輸出電壓調(diào)控的目的。江西AC高壓降5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片現(xiàn)貨

30V低功耗降壓DCDC電源芯片，主要特點(diǎn)?寬輸入電壓范圍：4.5Vto30V?3A持續(xù)輸出電流?電感電流連續(xù)模式下固定500kHz的開關(guān)頻率?比較大占空比：98%?±1.5%輸出電壓精度(全溫度范圍內(nèi))?低靜態(tài)工作電流：90μA(無開關(guān)動作，典型值)?低關(guān)斷電流：3μA(典型值)?采用峰值電流模式控制?兩種輕載工作模式：?KP523302：脈沖頻率調(diào)制模式(PFM)?KP523308：強(qiáng)制脈寬調(diào)制模式(FPWM)?集成完善的保護(hù)功能：?精確的使能控制和可調(diào)輸入欠壓鎖定功能?逐周期峰值和谷底限流保護(hù)?輸出過壓/欠壓保護(hù)?輸入欠壓鎖定?過溫保護(hù)?方案小巧且易于使用?集成72mΩ主開關(guān)管，35mΩ同步整流管?內(nèi)置補(bǔ)償電路?內(nèi)置5ms軟啟動電路?TSOT23-6封裝典型應(yīng)用?白電，小家電?智能音響，打印機(jī)?機(jī)頂盒、數(shù)字電視、顯示器?12V、24V分布式總線電源江西AC高壓降5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片現(xiàn)貨