采用一只光敏三極管的光耦合器，CTR的范圍大多為20%～300%（如4N35），而PC817則為80%～160%，達(dá)林頓型光耦合器（如4N30）可達(dá)100%～5000%。這表明欲獲得同樣的輸出電流，后者只需較小的輸入電流。因此，CTR參數(shù)與晶體管的hFE有某種相似之處。線性光耦合器與普通光耦合器典型的CTR-IF特性曲線。普通光耦合器的CTR-IF特性曲線呈非線性，在IF較小時(shí)的非線性失真尤為嚴(yán)重，因此它不適合傳輸模擬信號(hào)。線性光耦合器的CTR-IF特性曲線具有良好的線性度，特別是在傳輸小信號(hào)時(shí)，其交流電流傳輸比（ΔCTR=ΔIC/ΔIF)很接近于直流電流傳輸比CTR值。因此，它適合傳輸模擬電壓或電流信號(hào)，能使輸出與輸入之間呈線性關(guān)系。這是其重要特性。必須遵循下列原則：所選用的光電耦合器件必須符合國際的有關(guān)隔離擊穿電壓的標(biāo)準(zhǔn)；由英國埃索柯姆（Isocom）公司、美國摩托羅拉公司生產(chǎn)的4N××系列（如4N25、4N26、4N35）光耦合器 光電耦合器可作為線性耦合器使用。APT1222W型號(hào)光耦國產(chǎn)品牌替代

寧波群芯微電子股份有限公司成立于2018年7月，位于寧波杭州灣新區(qū)。群芯微電子的團(tuán)隊(duì)成員來自于國內(nèi)外大型半導(dǎo)體公司，在集成電路芯片設(shè)計(jì)、工藝制程、封裝測試及應(yīng)用方面擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)。芯片技術(shù)**著世界比較高水平的制造加工技術(shù)，是全球高科技國力競爭的戰(zhàn)略必爭制高點(diǎn)，與**專注于某一項(xiàng)芯片技術(shù)的企業(yè)相比，群芯的光電集成電路產(chǎn)品幾乎覆蓋了芯片制造的全工藝環(huán)節(jié)。特別是所擁有的多芯片封裝工藝，激光劃片工藝，使得我們的產(chǎn)品可以快速迭代，并滿足客戶個(gè)性化的需求。北京小封裝光耦群芯微代理型號(hào)它在長線傳輸信息中作為終端隔離元件可以**提高信噪比。

一體拖把機(jī)特點(diǎn)：1.不彎腰不費(fèi)力：電動(dòng)拖把是通過拖頭不斷進(jìn)行運(yùn)動(dòng)而起到清潔作用的，不用人體額外的壓力就可以將地板清潔干凈，我們只需要一只手控制拖把頭歐的位置和方向，甚至一只手玩手機(jī)都行，可以省去不少的力氣。2.多項(xiàng)功能合一：除了清潔地板，很多電動(dòng)拖把還能給地板拋光打蠟，而且還有配備專門打蠟的拖布，對于家里有木地板的家庭來說，打蠟也可以輕松應(yīng)對。光耦在一體拖把機(jī)上的應(yīng)用1.一體拖把機(jī)上的電機(jī)主要由可控硅光耦驅(qū)動(dòng)工作，常用到的可控硅光耦：QX302x、QX304x等2.一體拖把機(jī)線路板電源設(shè)計(jì)中常用到晶體管光耦做電壓采樣和信號(hào)反饋，在這產(chǎn)品中主要用到的晶體管光耦：QX817、QX816、QX357、QX814等可控硅光耦QX302x、QX304x：dv/dt100V/us，峰值擊穿電壓可達(dá)400V，輸入和輸出之間高隔離電壓（Viso=5000Vrms）；適用于各種高耐壓，爬電距離要求高的產(chǎn)品

以下為光電耦合器的常用參數(shù)：反向電流IR：在被測管兩端加規(guī)定反向工作電壓VR時(shí)，二極管中流過的電流。反向擊穿電壓VBR：被測管通過的反向電流IR為規(guī)定值時(shí)，在兩極間所產(chǎn)生的電壓降。正向壓降VF：二極管通過的正向電流為規(guī)定值時(shí)，正負(fù)極之間所產(chǎn)生的電壓降。正向電流IF：在被測管兩端加一定的正向電壓時(shí)二極管中流過的電流。結(jié)電容CJ：在規(guī)定偏壓下，被測管兩端的電容值。反向擊穿電壓V(BR)CEO：發(fā)光二極管開路，集電極電流IC為規(guī)定值，集電極與發(fā)射集間的電壓降。輸出飽和壓降VCE(sat)：發(fā)光二極管工作電流IF和集電極電流IC為規(guī)定值時(shí)，并保持IC/IF≤CTRmin時(shí)（CTRmin在被測管技術(shù)條件中規(guī)定）集電極與發(fā)射極之間的電壓降。反向截止電流ICEO：發(fā)光二極管開路，集電極至發(fā)射極間的電壓為規(guī)定值時(shí)，流過集電極的電流為反向截止電流。電流傳輸比CTR：輸出管的工作電壓為規(guī)定值時(shí)，輸出電流和發(fā)光二極管正向電流之比為電流傳輸比CTR。 光電耦合器構(gòu)成各種邏輯電路，光電耦合器的抗干擾性能和隔離性能比晶體管好，由它構(gòu)成的邏輯電路更可靠。

脈沖上升時(shí)間tr,下降時(shí)間tf：光耦合器在規(guī)定工作條件下，發(fā)光二極管輸入規(guī)定電流IFP的脈沖波，輸出端管則輸出相應(yīng)的脈沖波，從輸出脈沖前沿幅度的10%到90%，所需時(shí)間為脈沖上升時(shí)間tr。從輸出脈沖后沿幅度的90%到10%，所需時(shí)間為脈沖下降時(shí)間tf。傳輸延遲時(shí)間tPHL,tPLH：從輸入脈沖前沿幅度的50%到輸出脈沖電平下降到1.5V時(shí)所需時(shí)間為傳輸延遲時(shí)間tPHL。從輸入脈沖后沿幅度的50%到輸出脈沖電平上升到1.5V時(shí)所需時(shí)間為傳輸延遲時(shí)間tPLH。入出間隔離電容CIO：光耦合器件輸入端和輸出端之間的電容值。入出間隔離電阻RIO：半導(dǎo)體光耦合器輸入端和輸出端之間的絕緣電阻值。入出間隔離電壓VIO：光耦合器輸入端和輸出端之間絕緣耐壓值. 光電可控硅驅(qū)動(dòng)器，特點(diǎn)是耐壓高，驅(qū)動(dòng)電流不大，當(dāng)交流負(fù)載電流較小時(shí)，可以直接用它來驅(qū)動(dòng)。APT1222W型號(hào)光耦國產(chǎn)品牌替代

采用光電耦合器作固體繼電器具有體積小、耦合密切、驅(qū)動(dòng)功率小、動(dòng)作速度快、工作溫度范圍寬等優(yōu)點(diǎn)。APT1222W型號(hào)光耦國產(chǎn)品牌替代

多路輸出式電源變換器電路如圖2所示。其輸入電壓為36V到90V的準(zhǔn)方波電壓，三路輸出分別為：UO1=+5V(2A），UO2=+15V(0.17A），UO3=－15V(0.17A）?，F(xiàn)將UO1定為主輸出，其電壓調(diào)整率SV=±0.4%；UO2和UO3為輔輸出，總電源效率可達(dá)75%～80%。電路中采用一片***04Y型三端單片開關(guān)電源集成電路。主輸出繞組電壓經(jīng)過VD2、C2、L1和C3整流濾波后，得到+5V電壓。VD2采用MBR735型35V/7.5A肖特基二極管。兩個(gè)輔輸出繞組及輸出電路完全呈對稱結(jié)構(gòu)。因?yàn)椤?5V輸出電流較小，故整流管VD4和VD5均采用UF4002型100V/1A的超快恢復(fù)二極管。由線性光耦CNY17-2和可調(diào)式精密并聯(lián)穩(wěn)壓器TL431C構(gòu)成光耦反饋式精密開關(guān)電源，可以對+5V電壓進(jìn)行精密調(diào)整。反饋繞組電壓通過VD3、C4整流濾波后，得到12V反饋電壓。由P6KE120型瞬態(tài)電壓抑制器和UF4002型超快恢復(fù)二極管構(gòu)成的漏極鉗位保護(hù)電路，能吸收由高頻變壓器漏感形成的尖峰電壓，保護(hù)芯片內(nèi)部的功率場效應(yīng)管MOSFET不受損壞。APT1222W型號(hào)光耦國產(chǎn)品牌替代