儲存在變壓器中的磁場能量會產(chǎn)生過電壓，顯然在交流側(cè)阻容吸收保護(hù)電路可以這種過電壓，但由于變壓器過載時儲存的能量比空載時要大，還不能完全消除。措施：能常采用壓敏吸收進(jìn)行保護(hù)。4．過電流保護(hù)一般加快速熔斷器進(jìn)行保護(hù)，實(shí)際上它不能保護(hù)可控硅，而是保護(hù)變壓器線圈。5．電壓、電流上升率的限制4.均流與晶閘管選擇均流不好，很容易燒壞元件。為了解決均流問題，過去加均流電抗器，噪聲很大，效果也不好，一只一只進(jìn)行對比，擰螺絲松緊，很盲目，效果差，噪音大，耗能。我們采用的辦法是：用計算機(jī)程序軟件進(jìn)行動態(tài)參數(shù)篩選匹配、編號，裝配時按其號碼順序裝配，很間單。每一只元件上都刻有字，以便下更換時參考。這樣能使均流系數(shù)可達(dá)到。淄博正高電氣公司地理位置優(yōu)越，擁有完善的服務(wù)體系。河北小功率可控硅調(diào)壓模塊供應(yīng)商

晶閘管智能模塊在電機(jī)調(diào)速中的應(yīng)用晶閘管智能模塊是新一代電力調(diào)控產(chǎn)品，它將晶閘管智能模塊和移相觸發(fā)電路集成為一體，具有使用方便、穩(wěn)定可靠、節(jié)材節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)，能降低用戶系統(tǒng)的開發(fā)及使用成本，主要應(yīng)用于交直流電動機(jī)的調(diào)速及穩(wěn)定電源等領(lǐng)域。一、晶閘管智能模塊按主電路形式可分為三相模塊和交流模塊，下面是晶閘管智能模塊的工作特性。1.與單純的晶閘管電路不同，該模塊將相觸發(fā)電路及控制系統(tǒng)與晶閘管智能模塊集成于一體，使其成為一個完整的電力調(diào)控開環(huán)系統(tǒng)，外加一定的輔助電路可實(shí)現(xiàn)閉環(huán)控制。2.三相模塊主電路交流輸入電壓范圍較寬，且無相序及相數(shù)限制，突破了以往整流電路對觸發(fā)電路要求同步及移相范圍等約束，模塊內(nèi)部能自動協(xié)調(diào)工作。3.控制信號0-10V直流信號，在此范圍內(nèi)，可平滑調(diào)節(jié)輸出電壓，控制設(shè)為手動或計算機(jī)控制。4.可適用多種負(fù)載形式，如阻性、感性、容性負(fù)載。二、下面講解在電動機(jī)調(diào)速系統(tǒng)中應(yīng)用晶閘管智能模塊應(yīng)注意的問題基于晶閘管整流模塊供電的直流電動機(jī)開環(huán)調(diào)速系統(tǒng)，直流電動機(jī)工作室需兩路直流電源，一路給電樞回路供電，一路給勵磁回路供電，采用該模塊設(shè)計的幾套實(shí)際系統(tǒng)經(jīng)過一年多時間的運(yùn)行，效果良好。青海小功率可控硅調(diào)壓模塊價格淄博正高電氣以精良的產(chǎn)品品質(zhì)和優(yōu)先的售后服務(wù)，全過程滿足客戶的需求。

并不能說明控制極特性不好。因此，兩個互相復(fù)合的晶體管電路，當(dāng)有足夠的門機(jī)電流Ig流入時，就會形成強(qiáng)烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通，晶體管飽和導(dǎo)通。對過壓保護(hù)可采用兩種措施：在中頻電源的主電路中，瞬時反相電壓是靠阻容吸收來吸收的。如果吸收電路中電阻、電容開路均會使瞬時反相電壓過高燒壞可控硅。用萬用表電阻檔測量晶閘管有無擊穿。在斷電的情況下用東臺表測量吸收電阻阻值、吸收電容容量，判斷是否阻容吸收回路出現(xiàn)故障。在設(shè)備運(yùn)行時如果突然丟失觸發(fā)脈沖，將造成逆變開路，中頻電源輸出端產(chǎn)生高壓，燒壞可控硅元件。原因及處理方法：(1)整流觸發(fā)脈沖缺失。這種故障一般是逆變脈沖形成、輸出電路故障，可用示波器進(jìn)行檢查，也可能是逆變脈沖引線接觸不良，可用手搖晃導(dǎo)線接頭，找出故障位置。

雙向可控硅是一種功率半導(dǎo)體器件，也稱雙向晶閘管，在單片機(jī)控制系統(tǒng)中，可作為功率驅(qū)動器件，由于雙向可控硅沒有反向耐壓問題，控制電路簡單，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用。雙向可控硅接通的一般都是一些功率較大的用電器，且連接在強(qiáng)電網(wǎng)絡(luò)中，其觸發(fā)電路的抗干擾問題很重要，通常都是通過光電耦合器將單片機(jī)控制系統(tǒng)中的觸發(fā)信號加載到可控硅的控制極。為減小驅(qū)動功率和可控硅觸發(fā)時產(chǎn)生的干擾，交流電路雙向可控硅的觸發(fā)常采用過零觸發(fā)電路。（過零觸發(fā)是指在電壓為零或零附近的瞬間接通，由于采用過零觸發(fā)，因此需要正弦交流電過零檢測電路）雙向可控硅分為三象限、四象限可控硅，四象限可控硅其導(dǎo)通條件如下圖：總的來說導(dǎo)通的條件就是：G極與T1之間存在一個足夠的電壓時并能夠提供足夠的導(dǎo)通電流就可以使可控硅導(dǎo)通，這個電壓可以是正、負(fù)，和T1、T2之間的電流方向也沒有關(guān)系。因為雙向可控硅可以雙向?qū)?，所以沒有正極負(fù)極，但是有T1、T2之分雙向可控硅觸發(fā)電路的設(shè)計方案雙向可控硅是一種功率半導(dǎo)體器件，也稱雙向晶閘管，在單片機(jī)控制系統(tǒng)中，可作為功率驅(qū)動器件，由于雙向可控硅沒有反向耐壓問題，控制電路簡單，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用。淄博正高電氣為客戶服務(wù)，要做到更好。

由于晶閘管在導(dǎo)通期間，載流子充滿元件內(nèi)部，在關(guān)斷過程中，管子在反向作用下，正向電流下降到零時，元件內(nèi)部殘存著載流子。這些載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流，使殘存的載流子迅速消失，這時反向電流減小即diG/dt極大，產(chǎn)生的感應(yīng)電勢很大，這個電勢與電源串聯(lián)，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上，可導(dǎo)致晶閘管反向擊穿。這就是關(guān)斷過電壓（換相過電壓）。數(shù)值可達(dá)工作電壓的5~6倍。保護(hù)措施：在晶閘管兩端并接阻容吸收電路。2．交流側(cè)過電壓及其保護(hù)由于交流側(cè)電路在接通或斷開時出現(xiàn)暫態(tài)過程，會產(chǎn)生操作過電壓。高壓合閘的瞬間，由于初次級之間存在分布電容，初級高壓經(jīng)電容耦合到次級，出現(xiàn)瞬時過電壓。措施：在三相變壓器次級星形中點(diǎn)與地之間并聯(lián)適當(dāng)電容，就可以減小這種過電壓。與整流器并聯(lián)的其它負(fù)載切斷時，因電源回路電感產(chǎn)生感應(yīng)電勢的過電壓。變壓器空載且電源電壓過零時，初級拉閘，因變壓器激磁電流的突變，在次級感生出很高的瞬時電壓，這種電壓尖峰值可達(dá)工作電壓的6倍以上。交流電網(wǎng)遭雷擊或電網(wǎng)侵入干擾過電壓，即偶發(fā)性浪涌電壓，都必須加阻容吸收路進(jìn)行保護(hù)。3．直流側(cè)過電壓及保護(hù)當(dāng)負(fù)載斷開時或快熔斷時。淄博正高電氣的行業(yè)影響力逐年提升。東營三相可控硅調(diào)壓模塊價格

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將焊接好的電路板裝進(jìn)合適的塑料肥皂盒或原調(diào)速器盒中，將原分線器開關(guān)拆除不用，留出空余位置便于安裝印制板電路。一般風(fēng)扇用電抗器均采取5擋。不妨利用其中①、③、⑤擋，將強(qiáng)風(fēng)（第1擋）、中風(fēng)（第2擋）弱風(fēng)（第3擋）分別接到電抗器的各擋中。若有的調(diào)速器中無電抗器，風(fēng)扇電機(jī)則是采取抽頭方式改變風(fēng)速的，同樣將三種風(fēng)速分別接至分線器的三極引線中。在改裝中特別要注意安全，印制板上220V交流電源接線端及所有導(dǎo)電部位應(yīng)與調(diào)整器盒的金屬件嚴(yán)格隔離。改裝完畢，可用測電筆碰觸調(diào)速器有否漏電。否則應(yīng)進(jìn)一步采取絕緣措施。通電試驗時，用萬用表DC10V檔測C2兩端電壓應(yīng)為5V－6V之間，若不正常，應(yīng)重點(diǎn)檢查整流穩(wěn)壓電路，然后再分別按動SB1－SB4開關(guān)，觀察各路指示管VD1－VD8應(yīng)按對應(yīng)的選擇功能發(fā)光或熄滅，風(fēng)扇也應(yīng)同步工作于不同狀態(tài)。河北小功率可控硅調(diào)壓模塊供應(yīng)商

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