晶閘管模塊與二極管模塊有什么不同.在電氣行業(yè)中,晶閘管模塊和二極管模塊是很常見的器件,它們的區(qū)別的也是很大的,完全是兩種不同的器件,晶閘管模塊有單向和雙向之分,通常的晶閘管模塊,開通后不能自行關(guān)斷,需要在外加電壓下降到0甚至反向時(shí)才關(guān)斷;二極管模塊是一個(gè)單向?qū)щ娖骷?。晶閘管模塊是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱,又可稱做可控硅整流器,以前被簡(jiǎn)稱為可控硅模塊;晶閘管模塊是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),它有三個(gè)極:陽(yáng)極,陰極和門極;晶閘管模塊具有硅整流器件的特性,能在高電壓、大電流條件下工作,且其工作過(guò)程可以控制、被應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。二極管模塊是電子元件當(dāng)中,一種具有兩個(gè)電極的裝置,只允許電流由單一方向流過(guò),許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管(VaricapDiode)則用來(lái)當(dāng)作電子式的可調(diào)電容器。大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流(Rectifying)”功能。二極管普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過(guò)(稱為順向偏壓),反向時(shí)阻斷(稱為逆向偏壓)。因此,二極管模塊可以想成電子版的逆止閥。淄博正高電氣從國(guó)內(nèi)外引進(jìn)了一大批先進(jìn)的設(shè)備,實(shí)現(xiàn)了工程設(shè)備的現(xiàn)代化。內(nèi)蒙古小功率可控硅調(diào)壓模塊生產(chǎn)廠家
1.要學(xué)會(huì)核價(jià),不管采購(gòu)任何一種型號(hào)的雙向可控硅模塊,在采購(gòu)前應(yīng)熟悉它的價(jià)格組成,了解你的供應(yīng)商所生產(chǎn)成品的原料源頭價(jià)格,為自己的準(zhǔn)確核價(jià)打下基礎(chǔ)。這樣談判時(shí),做到知已知彼,百戰(zhàn)百勝。2.信息來(lái)源要廣現(xiàn)今的社會(huì)是一個(gè)電子化的設(shè)備,作為采購(gòu)人員要由不同的方面收集雙向可控硅模塊的采購(gòu)信息,地域差別等。3.選擇適合自己公司發(fā)展的雙向可控硅供應(yīng)商,一個(gè)好的供雙向可控硅應(yīng)商能跟隨著你共同發(fā)展,為你的發(fā)展出謀劃策,節(jié)約成本,管理供應(yīng)商很省心;不好的供應(yīng)商則為你的供應(yīng)商管理帶來(lái)很多的麻煩。4.采購(gòu)人員的談判技巧也是控制雙向可控硅模塊采購(gòu)成本的一個(gè)重要環(huán)。5.看看該模塊批量采購(gòu)的重要性,任何人都懂得道理,批量愈大,所攤銷的費(fèi)用愈低。采購(gòu)計(jì)劃人員需把好此關(guān)。6.建立公司的采購(gòu)信譽(yù)。條款必須按合同執(zhí)行,如付款你可以拖一次、兩次,但你決不能有第三次。失去誠(chéng)信,別說(shuō)控制雙向可控硅模塊成本,可能貨都不會(huì)有人給你供。7.建立月度供應(yīng)商評(píng)分制度,實(shí)行供應(yīng)商配額制度,會(huì)收到你意想不到的效果。8.建立采購(gòu)人員的月度績(jī)效評(píng)估制度??梢约?lì)采購(gòu)員的工作積極性。9.有效的控制采購(gòu)雙向可控硅模塊庫(kù)存。避免停轉(zhuǎn)產(chǎn)的風(fēng)險(xiǎn)及積壓物資的風(fēng)險(xiǎn)。浙江單相可控硅調(diào)壓模塊結(jié)構(gòu)我公司生產(chǎn)的產(chǎn)品、設(shè)備用途非常多。
平板式晶閘管模塊的優(yōu)勢(shì)以及特點(diǎn)來(lái)源:晶閘管模塊是電子元器件中廣為人知的,而我們常用的就是平板式晶閘管模塊,那么它有哪些優(yōu)勢(shì)以及特點(diǎn)呢?下面正高電氣來(lái)帶您了解一下。平板式晶閘管模塊的特點(diǎn):“一觸即發(fā)”。然而,如果所施加的陽(yáng)極電極和所述控制極是反向電壓,平板式晶閘管模塊不能傳導(dǎo)??刂茦O的作用是可以通過(guò)一個(gè)外加正向作用觸發(fā)脈沖使晶閘管導(dǎo)通,卻不能使它關(guān)斷。那么,使導(dǎo)通的平板式晶閘管模塊關(guān)斷的方式是什么呢?使導(dǎo)通的晶閘管控制模塊進(jìn)行關(guān)斷,可以通過(guò)斷開陽(yáng)極電源或使陽(yáng)極電流小于維持導(dǎo)通的最小值(稱為維持電流)。如果平板式晶閘管模塊陽(yáng)極和陰極之間施加的是交流電壓或脈動(dòng)直流電壓,則平板式晶閘管模塊將在零電壓下自行關(guān)閉。歸類總結(jié)起來(lái)就是:1.用較小功率控制較大功率,功率方法倍數(shù)可達(dá)到的幾十萬(wàn)倍2.控制系統(tǒng)靈敏,反應(yīng)快,平板式晶閘管模塊的導(dǎo)通和截止到了微秒級(jí)3.損耗小,平板式晶閘管模塊本身的壓降只有約1伏特4.體積小、重量輕以上就是平板式晶閘管模塊的優(yōu)勢(shì)以及特點(diǎn),希望通過(guò)這篇文章可以對(duì)您有所幫助。
可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種,螺旋式的應(yīng)用較多??煽毓栌腥齻€(gè)電極---陽(yáng)極(A)陰極(C)和控制極(G)。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),共有三個(gè)PN結(jié)??煽毓韬椭挥幸粋€(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引用,為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時(shí),只要在控制極加上很小的電流或電壓,就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢?下面我們用圖表-27來(lái)簡(jiǎn)單分析可控硅的工作原理。首先,可以把從陰極向上數(shù)的、二、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管,而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。當(dāng)在陽(yáng)極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea,又在控制極G和陰極C之間(相當(dāng)BG1的基一射間)輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào),BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1,經(jīng)放大,BG1將有一個(gè)放大了β1倍的集電極電流IC1。因?yàn)锽G1集電極與BG2基極相連,IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2。淄博正高電氣重信譽(yù)、守合同,嚴(yán)把產(chǎn)品質(zhì)量關(guān),熱誠(chéng)歡迎廣大用戶前來(lái)咨詢考察,洽談業(yè)務(wù)!
會(huì)對(duì)可控硅模塊造成損壞,如果要想保護(hù)可控硅不受其損壞,就要了解過(guò)電壓的產(chǎn)生原因,從而去避免防止受損,下面正高電氣就來(lái)講講過(guò)電壓會(huì)對(duì)可控硅模塊造成怎樣的損壞?以及過(guò)電壓產(chǎn)生的原因??煽毓枘K對(duì)過(guò)電壓非常敏感,當(dāng)正向電壓超過(guò)udrm值時(shí),可控硅會(huì)誤導(dǎo)并導(dǎo)致電路故障;當(dāng)施加的反向電壓超過(guò)urrm值時(shí),可控硅模塊會(huì)立即損壞。因此,需要研究過(guò)電壓產(chǎn)生的原因和過(guò)電壓的方法。過(guò)電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲(chǔ)能的急劇變化,使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚,或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發(fā)現(xiàn),由于外界沖擊引起的過(guò)電壓主要有兩種類型,如雷擊和開關(guān)開啟和關(guān)閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動(dòng)作產(chǎn)生的過(guò)電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰,對(duì)可控硅模塊非常危險(xiǎn)。開關(guān)的開啟和關(guān)閉引起的脈沖電壓分為以下兩類:(1)交流電源接通、斷開產(chǎn)生的過(guò)電壓如交流開關(guān)分合、交流側(cè)熔斷器熔斷等引起的過(guò)電壓,由于變壓器繞組的分布電容、漏抗引起的諧振回路、電容分壓等原因,這些過(guò)電壓值是正常值的2~10倍以上。一般來(lái)說(shuō),開閉速度越快,過(guò)電壓越高,則在無(wú)負(fù)載下斷開晶閘管模塊時(shí)過(guò)電壓就越高。(2)直流側(cè)產(chǎn)生的過(guò)電壓例如,如果切斷電路的電感較大。淄博正高電氣不斷從事技術(shù)革新,改進(jìn)生產(chǎn)工藝,提高技術(shù)水平。山西小功率可控硅調(diào)壓模塊廠家
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可控硅保護(hù)電路如何設(shè)計(jì)可控硅的保護(hù)電路,大致可以分為兩種情況:一種是在適當(dāng)?shù)牡胤桨惭b保護(hù)器件,例如,R-C阻容吸收回路、限流電感、快速熔斷器、壓敏電阻或硒堆等。再一種則是采用電子保護(hù)電路,檢測(cè)設(shè)備的輸出電壓或輸入電流,當(dāng)輸出電壓或輸入電流超過(guò)允許值時(shí),借助整流觸發(fā)控制系統(tǒng)使整流橋短時(shí)內(nèi)工作于有源逆變工作狀態(tài),從而過(guò)電壓或過(guò)電流的數(shù)值。1.過(guò)流保護(hù)可控硅設(shè)備產(chǎn)生過(guò)電流的原因可以分為兩類:一類是由于整流電路內(nèi)部原因,如整流可控硅損壞,觸發(fā)電路或控制系統(tǒng)有故障等;其中整流橋可控硅損壞類較為嚴(yán)重,一般是由于可控硅因過(guò)電壓而擊穿,造成無(wú)正、反向阻斷能力,它相當(dāng)于整流橋臂發(fā)生長(zhǎng)久性短路,使在另外兩橋臂可控硅導(dǎo)通時(shí),無(wú)法正常換流,因而產(chǎn)生線間短路引起過(guò)電流.另一類則是整流橋負(fù)載外電路發(fā)生短路而引起的過(guò)電流,這類情況時(shí)有發(fā)生,因?yàn)檎鳂虻呢?fù)載實(shí)質(zhì)是逆變橋,逆變電路換流失敗,就相當(dāng)于整流橋負(fù)載短路。另外,如整流變壓器中心點(diǎn)接地,當(dāng)逆變負(fù)載回路接觸大地時(shí),也會(huì)發(fā)生整流橋相對(duì)地短路。2.可控硅的過(guò)壓保護(hù)可控硅設(shè)備在運(yùn)行過(guò)程中,會(huì)受到由交流供電電網(wǎng)進(jìn)入的操作過(guò)電壓和雷擊過(guò)電壓的侵襲。內(nèi)蒙古小功率可控硅調(diào)壓模塊生產(chǎn)廠家
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