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聊城交流晶閘管移相調(diào)壓模塊組件

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-07-11

改變負(fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,實(shí)現(xiàn)了可控整流。如何鑒別可控硅模塊的三個(gè)極鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,根據(jù)P-N結(jié)的原理,只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),而且方向相反,因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通)??刂茦O與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,可以有比較大的電流通過(guò),因此,有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小,并不能說(shuō)明控制極特性不好。另外,在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí),萬(wàn)用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,防止電壓過(guò)高控制極反向擊穿。若測(cè)得元件陰陽(yáng)極正反向已短路,或陽(yáng)極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說(shuō)明元件已損壞??煽毓枘K是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱,是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。實(shí)際上,可控硅的功用不僅是整流,它還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)以快速接通或切斷電路,實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電。淄博正高電氣以更積極的態(tài)度,更新、更好的產(chǎn)品,更優(yōu)良的服務(wù),迎接挑戰(zhàn)。聊城交流晶閘管移相調(diào)壓模塊組件

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可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種)。螺旋式的應(yīng)用較多。可控硅有三個(gè)電極----陽(yáng)極(A)陰極(C)和控制極(G)。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),共有三個(gè)PN結(jié)。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)。從圖表-26中可以看到,可控硅和只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同??煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用,為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時(shí),只要在控制極加上很小的電流或電壓,就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢?下面我們用圖表-27來(lái)簡(jiǎn)單分析可控硅的工作原理。首先,我們可以把從陰極向上數(shù)的、二、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管,而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。對(duì)可控硅來(lái)說(shuō),觸發(fā)信號(hào)加入控制極,可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能??煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,由于循環(huán)反饋的原因,流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,而是經(jīng)過(guò)BG1、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib1)這一電流遠(yuǎn)大于Ib1,足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通。聊城交流晶閘管移相調(diào)壓模塊組件淄博正高電氣受行業(yè)客戶的好評(píng),值得信賴。

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以上六個(gè)端口為模塊基本端口,其它端口為特殊端口,只在具有多功能產(chǎn)品中使用,普通調(diào)壓產(chǎn)品其余腳為空腳。導(dǎo)通角與模塊輸出電流的關(guān)系模塊的導(dǎo)通角與模塊能輸出的大電流有直接關(guān)系,模塊的標(biāo)稱電流是大導(dǎo)通角時(shí)能輸出的大電流。在小導(dǎo)通角(輸出電壓與輸入電壓比值很?。┫螺敵龅碾娏鞣逯岛艽?,但電流的有效值很?。ㄖ绷鲀x表一般顯示平均值,交流儀表顯示非正弦電流時(shí)比實(shí)際值?。禽敵鲭娏鞯挠行е岛艽?,半導(dǎo)體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比,會(huì)使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。因此,模塊應(yīng)選擇在大導(dǎo)通角的65%以上工作,及控制電壓應(yīng)在5V以上。模塊規(guī)格的選取方法考慮到晶閘管產(chǎn)品一般都是非正弦電流,存在導(dǎo)通角的問(wèn)題并且負(fù)載電流有一定的波動(dòng)性和不穩(wěn)定因素,且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差,在選取模塊電流規(guī)格時(shí)必須留出一定余量。推薦選擇方法可按照以下公式計(jì)算:I>KI負(fù)載U大MU實(shí)際K:安全系數(shù),阻性負(fù)載K=,感性負(fù)載K=2;I負(fù)載:負(fù)載流過(guò)的大電流;U實(shí)際:負(fù)載上的小電壓;U大:模塊能輸出的大電壓;(三相整流模塊為輸入電壓的,單相整流模塊為輸入電壓的,其余規(guī)格均為);I:需要選擇模塊的小電流,模塊標(biāo)稱的電流必須大于該值。

可控硅模塊是有PNPN四層半導(dǎo)體構(gòu)成的元件,有三個(gè)電極,陽(yáng)極a,陰極K和控制機(jī)G所構(gòu)成的??煽毓枘K的應(yīng)用領(lǐng)域模塊應(yīng)用詳細(xì)說(shuō)明介紹:可控硅模塊應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧、逆變電源等需對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合,如工業(yè)、通訊、部對(duì)所用等各類電氣控制、電源等,根據(jù)還可通過(guò)可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接,實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動(dòng)等功能,并可實(shí)現(xiàn)過(guò)流、過(guò)壓、過(guò)溫、缺相等保護(hù)功能??煽毓枘K的控制方式:通過(guò)輸入可控硅模塊控制接口一個(gè)可調(diào)的電壓或者電流信號(hào),通過(guò)調(diào)整該信號(hào)的大小即可對(duì)可控硅模塊的輸出電壓大小進(jìn)行平滑調(diào)節(jié),實(shí)現(xiàn)可控硅模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或全部導(dǎo)通的過(guò)程。電壓或電流信號(hào)可取自各種控制儀表、計(jì)算機(jī)D/A輸出,電位器直接從直流電源分壓等各種方法;控制信號(hào)采用0~5V,0~10V,4~20mA三種比較常用的控制形式。43、滿足可控硅模塊工作的必要條件:(1)+12V直流電源:可控硅模塊內(nèi)部控制電路的工作電源。①可控硅模塊輸出電壓要求:+12V電源:12,紋波電壓小于20mv。②可控硅模塊輸出電流要求:標(biāo)稱電流小于500安培產(chǎn)品:I+12V>。淄博正高電氣用先進(jìn)的生產(chǎn)工藝和規(guī)范的質(zhì)量管理,打造優(yōu)良的產(chǎn)品!

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可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式的應(yīng)用較多??煽毓栌腥齻€(gè)電極----陽(yáng)極(A)陰極(C)和控制極(G)。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),共有三個(gè)PN結(jié)。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)。從圖表-26中可以看到,可控硅和只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同??煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用,為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時(shí),只要在控制極加上很小的電流或電壓,就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅??煽毓铻槭裁雌溆小耙孕】卮蟆钡目煽匦阅??下面我們用來(lái)簡(jiǎn)單分析可控硅的工作原理。首先,我們可以把從陰極向上數(shù)的、二、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管,而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。這樣就可畫出圖表-27(C)的等效電路圖來(lái)分析。當(dāng)在陽(yáng)極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea,又在控制極G和陰極C之間(相當(dāng)BG1的基一射間)輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào),BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1,經(jīng)放大。BG1將有一個(gè)放大了β1倍的集電極電流IC1。淄博正高電氣通過(guò)專業(yè)的知識(shí)和可靠技術(shù)為客戶提供服務(wù)。泰安三相晶閘管移相調(diào)壓模塊配件

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當(dāng)電容C被充足電后,使三極管V由截止轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài),將可控硅SCR關(guān)斷,電燈也就熄滅了。本電路關(guān)燈延時(shí)期間,延時(shí)時(shí)間由R1、C的取值來(lái)確定,讀者也可根據(jù)各自需要自行確定。本電路中的可控硅,筆者選用的為單向可控硅,在關(guān)燈延時(shí)期間電燈的亮度約為開燈時(shí)亮度的一半,以適合人們的視覺上的需要,同時(shí)又可節(jié)能。電路制作:圖中單向可控硅SCR選用MCR100-8,耐壓須為600V以上。燈泡的功率不大于100W為宜。二極管VD為1N4007,V為C1815。電阻均為1/8W碳膜電阻。制作時(shí),用一小塊電路板將圖中虛線框內(nèi)各元器件焊裝上。好將本電路裝在拉線開關(guān)底部凹槽內(nèi),用膠水粘牢并將引線接至開關(guān)兩接線端即可。8:?jiǎn)捂I自鎖開關(guān)單鍵自鎖開關(guān)說(shuō)明1、上電不動(dòng)作。2、按鈕按下后再釋放,繼電器吸合。3、按鈕長(zhǎng)按時(shí),繼電器釋放,松開后繼電器吸合。4、按鈕點(diǎn)按時(shí):繼電器釋放←→吸合循環(huán)動(dòng)作。5、因?yàn)?7Ω電阻有壓降,繼電器可以用DC9V的。9:簡(jiǎn)單的停電自鎖開關(guān)電網(wǎng)供電正常時(shí),它象普通開關(guān)一樣使用。按一下K1,220V交流電經(jīng)R1和R2分壓給雙向可控硅提供一觸發(fā)電壓,使雙向可控硅導(dǎo)通??煽毓鑼?dǎo)通后,在電源電壓正半周期間,少量電流經(jīng)R4、D向C充電,同時(shí)經(jīng)R3、R2分壓觸發(fā)可控硅。聊城交流晶閘管移相調(diào)壓模塊組件

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