電流、電壓、溫度傳感器以及操作鍵盤，LED或LCD顯示等部分組成。它有相當高的智能水平和適應性。因此，它在配電系統(tǒng)內(nèi)的電氣控制中迅速得到推廣應用。在電源和控制方面更有著大范圍的應用。另外還有在固態(tài)接觸器、繼電器，工業(yè)電熱控溫、各種半導體所用設備精密控溫，中、高頻熱處理電源，電焊設備（整流焊機、二次整流焊機、逆變焊機），激光電源，勵磁電源，電鍍、電解電源，機械電子設備電源，以及在城市無軌、電動牽引，港口輪船起貨機，風機，水泵，軋機，龍門刨，大型吊車驅(qū)動，較低頻鋼水溶化電源，造紙，紡織，城市供水、污水處理等領域的應用，可以說智能晶閘管模塊在配電系統(tǒng)內(nèi)的各電氣控制領域都有作為。智能晶閘管模塊是電力電子產(chǎn)品數(shù)字化、智能化、模塊化的集中體現(xiàn)，高度展示了現(xiàn)代電力電子技術在電氣控制中的作用。智能晶閘管模塊不只可以用在較為復雜的控制場合，而且用在一般開關控制場合更是它的一大優(yōu)勢，由于其具有極快的開關速度和無觸點關斷等特點，將會使控制系統(tǒng)的質(zhì)量和性能大為改善。大量地應用智能晶閘管模塊會節(jié)省大量的金屬材料，并使其控制系統(tǒng)的體積減少，還可使非常復雜的多個電氣控制系統(tǒng)變得非常簡單。用計算機集中控制。誠摯的歡迎業(yè)界新朋老友走進淄博正高電氣！江西小功率晶閘管調(diào)壓模塊分類

怎么區(qū)分可控硅模塊的損壞緣由當可控硅模塊損壞后需求查看剖析其緣由時，可把管芯從冷卻套中取出，翻開芯盒再取出芯片，調(diào)查其損壞后的痕跡，以判別是何緣由。下面介紹幾種常見表象剖析。電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其方位在遠離操控極上。電壓擊穿?？煽毓枰虿荒芙邮茈妷憾鴵p壞，其芯片中有一個光亮的小孔，有時需用擴展鏡才干看見。其緣由可能是管子自身耐壓降低或被電路斷開時發(fā)生的高電壓擊穿。電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞一樣，而其方位在操控極鄰近或就在操控極上。邊際損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細微光亮小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制作廠家裝置不小心所形成的。它致使電壓擊穿。廣東大功率晶閘管調(diào)壓模塊型號淄博正高電氣以質(zhì)量為生命”保障產(chǎn)品品質(zhì)。

晶閘管模塊的應用非常廣，大到電氣行業(yè)設備中的應用，小到日常生活中的應用，但是如果有使用不當?shù)臅r候就會造成晶閘管模塊燒壞的情況，下面正高來介紹下晶閘管模塊被燒壞的原因有哪些？晶閘管模塊燒壞都是由溫度過高造成的，而溫度是由晶閘管模塊的電特性、熱特性、結(jié)構特性決定的，因此保證晶閘管模塊在研制、生產(chǎn)過程中的質(zhì)量應從三方面入手：電特性、熱特性、結(jié)構特性，而且三者是緊密相連、密不可分的，所以在研制、生產(chǎn)晶閘管模塊時應充分考慮其電應力、熱應力、結(jié)構應力。燒壞晶閘管模塊的原因很多，總的說來還是三者共同作用下才致使晶閘管模塊燒壞的，某一單獨的特性下降很難造成品閘管燒壞，因此我們在生產(chǎn)過程中可以充分利用這個特點，就是說如果其中的某個應力達不到要求時可以采取提高其他兩個應力的辦法來彌補。從晶閘管模塊的各相參數(shù)看，經(jīng)常發(fā)生的參數(shù)有：電壓、電流、dv/dt、di/dt、漏電、開通時間、關斷時間等，甚至有時控制極也可燒壞。由于晶閘管模塊各參數(shù)性能的下降或線路問題會造成晶閘管模塊燒損，從表面看來每個參數(shù)所造成晶閘管模塊燒損的現(xiàn)象是不同的，因此通過解剖燒損的晶閘管模塊就可以判斷出是由哪個參數(shù)造成晶閘管模塊燒壞的。

晶閘管模塊又稱為可控硅模塊，是硅整流裝置中主要的器件，可應用于多種場合，在不同的場合、線路和負載的狀態(tài)下，選擇適合的晶閘管模塊的重要參數(shù)，使設備運行更良好，使用壽命更長。1.選擇正反向電壓晶閘管模塊在門極無信號，控制電流Ig為0時，在陽（A）逐一陰（K）極之間加（J2）處于反向偏置，所以，器件呈高阻抗狀態(tài)，稱為正向阻斷狀態(tài)，若增大UAK而達到一定值VBO，可控硅由阻斷忽然轉(zhuǎn)為導通，這個VBO值稱為正向轉(zhuǎn)折電壓，這種導通是非正常導通，會減短器件的壽命。所以必須選擇足夠正向重復阻斷峰值電壓（VDRM）。在陽逐一陰極之間加上反向電壓時，器件的一和三PN結(jié)（J1和J3）處于反向偏置，呈阻斷狀態(tài)。當加大反向電壓達到一定值VRB時可控硅的反向從阻斷忽然轉(zhuǎn)變?yōu)閷顟B(tài)，此時是反向擊穿，器件會被損壞。而且VBO和VRB值隨電壓的重復施加而變小。在感性負載的情況下，如磁選設備的整流裝置。在關斷的時候會產(chǎn)生很高的電壓（∈=-Ldi/dt），假如電路上未有良好的吸收回路，此電壓將會損壞晶閘管模塊。因此，晶閘管模塊也必須有足夠的反向耐壓VRRM。晶閘管模塊在變流器（如電機車）中工作時。必須能夠以電源頻率重復地經(jīng)受一定的過電壓而不影響其工作。淄博正高電氣受行業(yè)客戶的好評，值得信賴。

正高教你區(qū)分可控硅模塊損壞的原因當可控硅模塊損壞后，一定要及時找到損壞的原因，然后立即進行故障處理，下面正高教你如何區(qū)分可控硅模塊損壞的原因。當可控硅模塊損壞后需求查看剖析其緣由時，可把管芯從冷卻套中取出，翻開芯盒再取出芯片，調(diào)查其損壞后的痕跡，以判別是何緣由。下面介紹幾種常見表象剖析。電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其方位在遠離操控極上。電壓擊穿?？煽毓枰虿荒芙邮茈妷憾鴵p壞，其芯片中有一個光亮的小孔，有時需用擴展鏡才干看見。其緣由可能是管子自身耐壓降低或被電路斷開時發(fā)生的高電壓擊穿。電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞一樣，而其方位在操控極鄰近或就在操控極上。邊際損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細微光亮小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制作廠家裝置不小心所形成的。它致使電壓擊穿。以上4種緣由都是可控硅模塊的常見損壞緣由，遇到可控硅模塊損壞事情，應剖析。公司實力雄厚，產(chǎn)品質(zhì)量可靠。江西小功率晶閘管調(diào)壓模塊分類

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所以正反向峰值電壓參數(shù)VDRM、VRRM應保證在正常使用電壓峰值的2-3倍以上，考慮到一些可能會出現(xiàn)的浪涌電壓因素，在選擇代用參數(shù)的時候,只能向高一檔的參數(shù)選取。2.選擇額定工作電流參數(shù)可控硅的額定電流是在一定條件的通態(tài)均勻電流IT，即在環(huán)境溫度為+40℃和規(guī)定冷卻條件，器件在阻性負載的單相工頻正弦半波，導通角不少于l70℃的電路中，當穩(wěn)定的額定結(jié)溫時所答應的通態(tài)均勻電流。而一般變流器工作時，各臂的可控硅有不均流因素?？煽毓柙诙鄶?shù)的情況也不可能在170℃導通角上工作，通常是少于這一角度。這樣就必須選用可控硅的額定電流稍大一些，一般應為其正常電流均勻值的。3.選擇關斷時間晶閘管模塊在陽極電流減少為0以后，假如馬上就加上正朝陽極電壓，即使無門極信號，它也會再次導通，假如在再次加上正朝陽極電壓之前使器件承受一定時間的反向偏置電壓，也不會誤導通，這說明晶閘管模塊關斷后需要一定的時間恢復其阻斷能力。從電流過O到器件能阻斷重加正向電壓的瞬間為止的小時聞間隔是可控硅的關斷時間tg，由反向恢復時間t和門極恢復時間t構成，普通晶閘管模塊的tg約150-200μs。通常能滿足一般工頻下變流器的使用，但在大感性負載的情況下可作一些選擇。江西小功率晶閘管調(diào)壓模塊分類

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