晶閘管的主要電參數(shù)有正向轉(zhuǎn)折電壓VBO、正向平均漏電流IFL、反向漏電流IRL、斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM、反向重復(fù)峰值電壓VRRM、正向平均壓降VF、通態(tài)平均電流IT、門極觸發(fā)電壓VG、門極觸發(fā)電流IG、門極反向電壓和維持電流IH等。(一)晶閘管正向轉(zhuǎn)折電壓VBO晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓VBO是指在額定結(jié)溫為100℃且門極(G)開路的條件下，在其陽極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓、使其由關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時(shí)所對應(yīng)的峰值電壓。(二)晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM，是指晶閘管在正向阻斷時(shí)，允許加在A、K(或T1、T2)極間大的峰值電壓。此電壓約為正向轉(zhuǎn)折電壓減去100V后的電壓值。(三)晶閘管通態(tài)平均電流IT通態(tài)平均電流IT，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下，晶閘管正常工作時(shí)A、K(或T1、T2)極間所允許通過電流的平均值。(四)反向擊穿電壓VBR反向擊穿電壓是指在額定結(jié)溫下，晶閘管陽極與陰極之間施加正弦半波反向電壓，當(dāng)其反向漏電電流急劇增加時(shí)反對應(yīng)的峰值電壓。(五)晶閘管反向重復(fù)峰值電壓VRRM反向重復(fù)峰值電壓VRRM，是指晶閘管在門極G斷路時(shí)，允許加在A、K極間的大反向峰值電壓。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。。淄博正高電氣公司自成立以來，一直專注于對產(chǎn)品的精耕細(xì)作。濱州進(jìn)口可控硅調(diào)壓模塊

可控硅可控硅簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了的應(yīng)用。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋Ｆ渫〝酄顟B(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負(fù)脈沖）可使其正向（或反向）導(dǎo)通。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。圖1所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)。德州單相可控硅調(diào)壓模塊淄博正高電氣生產(chǎn)的產(chǎn)品質(zhì)量上乘。

用指針式萬用表電阻檔測量可控硅陽極和陰極之間是否短路，一般情況下雙向可控硅陽極和陰極之間的電阻在數(shù)十千歐以上，如用萬用表測量時(shí)已短路或電阻已小于10千歐以下，可判斷可控硅已擊穿損壞。2.用萬用表分別測量雙向可控硅觸發(fā)極與陰極之間的電阻值，一般再幾歐至百十歐以內(nèi)的正常，觸發(fā)極與陽極之間的電阻值，一般再十千歐以上為正常。晶閘管(可控硅)要導(dǎo)通，必須滿足以下條件：雙向晶閘管導(dǎo)通條件：一是晶閘管(可控硅)陽極與陰極間必須加正向電壓，二是控制極也要加正向電壓。以上兩個(gè)條件必須同時(shí)具備，晶閘管(可控硅)才會(huì)處于導(dǎo)通狀態(tài)。另外，晶閘管(可控硅)一旦導(dǎo)通后，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓，晶閘管(可控硅)仍然導(dǎo)通。雙向晶閘管(可控硅)關(guān)斷條件：降低或去掉加在晶閘管(可控硅)陽極至陰極之間的正向電壓，使陽極電流小于小維持電流以下。

正高講：雙向可控硅模塊的工作象限，可控硅模塊作為日常生活中比較常用的電子元器件，它的工作能力以及優(yōu)勢是有目共睹的，那么您知道雙向可控硅模塊公國在哪幾象限嗎？下面正高就給大家講解一下。雙向可控硅模塊有四個(gè)工作象限，在實(shí)際工作時(shí)只有兩個(gè)象限組合成一個(gè)完整的工作周期。組合如下：Ⅰ-Ⅲ、Ⅱ-Ⅲ、Ⅰ-Ⅳ，沒有Ⅰ-Ⅱ、Ⅱ-Ⅳ、Ⅲ-Ⅳ組合同時(shí)根據(jù)G-T1和T2-T1的極性來判別工作象限。一般門極外接的電路是（1）RC+DB3此時(shí)雙向可控硅工作在Ⅰ-Ⅲ象限；（2）光電耦合器，此時(shí)雙向可控硅工作在Ⅰ-Ⅲ象限，特點(diǎn)：觸發(fā)信號的極性隨著主回路的交流電過零在變化。且極外接的是多腳集成塊（或再串小信號管），此時(shí)雙向可控硅模塊工作在Ⅰ-Ⅳ象限或者Ⅱ-Ⅲ象限，特點(diǎn)：觸發(fā)信號的極性不跟隨主回路的交流電過零而變化。由于雙向可控硅模塊自身特點(diǎn)，在應(yīng)用時(shí)盡量避開Ⅳ象限。如果工作沒有Ⅳ象限，我們可以推薦客戶選用免緩沖三象限系列的雙向可控硅模塊。淄博正高電氣永遠(yuǎn)是您身邊的行業(yè)**！

使用劣質(zhì)散熱器，散熱體水腔材質(zhì)差（有的用黃銅），導(dǎo)熱性能差，更嚴(yán)重的是蝶型彈簧和三角壓蓋因質(zhì)量不合格，短時(shí)間使用后失去彈性，使管芯與散熱體臺(tái)面間的壓力明顯下降，從而影響其散熱效果。用戶沒有必要的安裝設(shè)備，更換管芯靠手工安裝很難達(dá)到規(guī)范的要求。所以我們建議，對于大功率（≥1200A）的晶閘管，建議買廠家成套的元件。因?yàn)閺S家配套的散熱器質(zhì)量可靠（質(zhì)量承諾），同時(shí)廠家有所用的安裝模具與設(shè)備，確保裝配質(zhì)量，并且在安裝后重新測試，保證成套元件合格，另外，大功率晶閘管（≥1200A）價(jià)格一般每只近千元，有的達(dá)數(shù)千元，而散熱器每套不過兩百多元，不要因小失大。就當(dāng)前的水平，我們認(rèn)為用測量管芯陶瓷外殼溫度的方法來判定散熱器的散熱效果是可行有效的。在相同工作條件下，一般陶瓷外殼的溫度高，說明散熱效果相對比較差。測量溫度的方法建議使用如下方法：手提式紅外溫度測試儀，使用方便，性能可靠；帶測溫功能的萬用表，測溫頭緊貼在管芯陶瓷外殼上；注意：采用該方法時(shí)，需由專業(yè)維修人員進(jìn)行操作，并注意安全。用上述方法經(jīng)常檢查管芯陶瓷外殼上的溫度，通過相對比較。淄博正高電氣不斷從事技術(shù)革新，改進(jìn)生產(chǎn)工藝，提高技術(shù)水平。西藏可控硅調(diào)壓模塊功能

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可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式，擁有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，這種可控硅模塊的體積非常的小，結(jié)構(gòu)也十分的緊湊，對于維修與安裝都有很大的作用，可控硅模塊的類型非常的多，比方說壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等，很多人不是很清楚兩者之間的差異，下面詳細(xì)的進(jìn)行區(qū)分一下。①從電流方面來講，焊接式可控硅模塊可以做到160A電流，同時(shí)壓接式模塊的電流就能夠達(dá)到1200A，這就是講低于160A的模塊，不只是有焊接式的，同時(shí)也有壓接式的?？煽毓枘K②從外形方面來講，焊接式的可控硅模塊遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒有壓接式的外形比較好，壓接式的屬于一體成型，技術(shù)十分的標(biāo)準(zhǔn)，焊接式的局部地區(qū)可能有焊接的痕跡，但是在使用的時(shí)候是沒有任何的影響的。③眾所周知，壓接式可控硅模塊的市場占有率是非常大的，有不少的公司都會(huì)使用壓接式可控硅模塊，這其中的原因可能使由于其外形十分的美觀，除此之外從價(jià)格方面來講，焊接式可控硅模塊的成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)要比壓接式可控硅模塊的成本低。淄博正高電氣有限公司是專門從事電力電子產(chǎn)品及其相關(guān)產(chǎn)品開發(fā)、生產(chǎn)、銷售及服務(wù)為一體的科技型企業(yè)。公司主要生產(chǎn)各類規(guī)格型號的晶閘管智能模塊、穩(wěn)流、穩(wěn)壓模塊、多功能觸發(fā)板、控制板。濱州進(jìn)口可控硅調(diào)壓模塊

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