由于晶閘管在導(dǎo)通期間，載流子充滿元件內(nèi)部，在關(guān)斷過程中，管子在反向作用下，正向電流下降到零時(shí)，元件內(nèi)部殘存著載流子。這些載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流，使殘存的載流子迅速消失，這時(shí)反向電流減小即diG/dt極大，產(chǎn)生的感應(yīng)電勢很大，這個(gè)電勢與電源串聯(lián)，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上，可導(dǎo)致晶閘管反向擊穿。這就是關(guān)斷過電壓（換相過電壓）。數(shù)值可達(dá)工作電壓的5~6倍。保護(hù)措施：在晶閘管兩端并接阻容吸收電路。2．交流側(cè)過電壓及其保護(hù)由于交流側(cè)電路在接通或斷開時(shí)出現(xiàn)暫態(tài)過程，會產(chǎn)生操作過電壓。高壓合閘的瞬間，由于初次級之間存在分布電容，初級高壓經(jīng)電容耦合到次級，出現(xiàn)瞬時(shí)過電壓。措施：在三相變壓器次級星形中點(diǎn)與地之間并聯(lián)適當(dāng)電容，就可以減小這種過電壓。與整流器并聯(lián)的其它負(fù)載切斷時(shí)，因電源回路電感產(chǎn)生感應(yīng)電勢的過電壓。變壓器空載且電源電壓過零時(shí)，初級拉閘，因變壓器激磁電流的突變，在次級感生出很高的瞬時(shí)電壓，這種電壓尖峰值可達(dá)工作電壓的6倍以上。交流電網(wǎng)遭雷擊或電網(wǎng)侵入干擾過電壓，即偶發(fā)性浪涌電壓，都必須加阻容吸收路進(jìn)行保護(hù)。3．直流側(cè)過電壓及保護(hù)當(dāng)負(fù)載斷開時(shí)或快熔斷時(shí)。淄博正高電氣具有一支經(jīng)驗(yàn)豐富、技術(shù)力量過硬的專業(yè)技術(shù)人才管理團(tuán)隊(duì)。威海交流可控硅調(diào)壓模塊品牌

晶閘管陽極與陰極之間施加正弦半波反向電壓，當(dāng)其反向漏電電流急劇增加時(shí)反對應(yīng)的峰值電壓。(五)晶閘管反向重復(fù)峰值電壓VRRM反向重復(fù)峰值電壓VRRM，是指晶閘管在門極G斷路時(shí)，允許加在A、K極間的大反向峰值電壓。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。(六)晶閘管正向平均電壓降VF正向平均電壓降VF也稱通態(tài)平均電壓或通態(tài)壓降VT，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下，當(dāng)通過晶閘管的電流為額定電流時(shí)，其陽極A與陰極K之間電壓降的平均值，通常為。(七)晶閘管門極觸發(fā)電壓VGT門極觸發(fā)VGT，是指在規(guī)定的環(huán)境溫度和晶閘管陽極與陰極之間為一定值正向電壓的條件下，使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需要的小門極直流電壓，一般為。(八)晶閘管門極觸發(fā)電流IGT門極觸發(fā)電流IGT，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和晶閘管陽極與陰極之間為一定值電壓的條件下，使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需要的小門極直流電流。(九)晶閘管門極反向電壓門極反向電壓是指晶閘管門極上所加的額定電壓，一般不超過10V。(十)晶閘管維持電流IH維持電流IH是指維持晶閘管導(dǎo)通的小電流。當(dāng)正向電流小于IH時(shí)，導(dǎo)通的晶閘管會自動(dòng)關(guān)斷。(十一)晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電流IDR斷態(tài)重復(fù)峰值電流IDR。日照整流可控硅調(diào)壓模塊淄博正高電氣竭誠為您服務(wù)，期待與您的合作，歡迎大家前來！

可控硅模塊設(shè)備相信大家都已經(jīng)熟悉并了解了，在您了解的知識中，您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎？下面正高電氣來講解一下?？煽毓枘K的工作條件：1.當(dāng)可控硅模塊承受反向陽極電壓時(shí)，不管門級承受哪種電壓，可控硅模塊都會處于斷開狀態(tài)。2.當(dāng)可控硅模塊經(jīng)歷正向陽極電壓時(shí)，可控硅只在門級受到正向電壓時(shí)接通。3.當(dāng)可控硅模塊導(dǎo)通時(shí)，只需要有一定的正極電壓，不管門極電壓怎樣，可控硅模塊都保持導(dǎo)通，如果可控硅導(dǎo)通后，門極將失去其功能。4..當(dāng)可控硅模塊導(dǎo)通時(shí)，主電路電壓(或電流)減小到接近零時(shí)，可控硅模塊關(guān)斷。您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎？可控硅模塊導(dǎo)通的條件是陽極承受正電壓，只有當(dāng)正向觸發(fā)電壓時(shí)，可控硅才能導(dǎo)通。由門級施加的正向觸發(fā)脈沖的較小寬度應(yīng)使陽極電流達(dá)到維持直通狀態(tài)所需的較小的陽極電流，即高于電流IL?？煽毓鑼?dǎo)通后的電壓降很小。接通可控硅模塊的條件是將流過可控硅模塊的電流減小到較小的值，即保持電流IH。有兩種方法：1.將正極電壓降低至數(shù)值，或添加反向陽極電壓。2.增加負(fù)載電路中的電阻。以上是可控硅模塊的導(dǎo)通狀態(tài)，希望能幫助您。

當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1，經(jīng)放大，BG1將有一個(gè)放大了β1倍的集電極電流IC1。因?yàn)锽G1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導(dǎo)通。實(shí)際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程，對可控硅來說，觸發(fā)信號加入控制極，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能?！隹煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通。此時(shí)觸發(fā)信號即使消失，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的最小值時(shí)，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然，如果Ea極性反接，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài)。這時(shí)，即使輸入觸發(fā)信號，可控硅也不能工作。反過來，Ea接成正向，而觸動(dòng)發(fā)信號是負(fù)的，可控硅也不能導(dǎo)通。另外，如果不加觸發(fā)信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時(shí)，可控硅也會導(dǎo)通。淄博正高電氣以更積極的態(tài)度，更新、更好的產(chǎn)品，更優(yōu)良的服務(wù)，迎接挑戰(zhàn)。

雙向可控硅MAC97A6的電路應(yīng)用MAC97A6為小功率雙向可控硅（雙向晶閘管），多應(yīng)用于電風(fēng)扇速度控制或電燈的亮度控制，市場上流行的“電腦風(fēng)扇”或“電子程控風(fēng)扇”，不外乎是用集成電路控制器與老式風(fēng)扇相結(jié)合的新一代產(chǎn)品。這里介紹的電路就是利用一塊市售的所用集成電路RY901及MAC97A6，將普通電扇改裝為具有多功能的電扇，很適宜無線電愛好者制作與改裝。這種新型IC的主要特點(diǎn)是：（1）集開關(guān)、定時(shí)、調(diào)速、模擬自然風(fēng)為一體，外面圍元件少、電路簡單、易于制作；（2）省掉了體積較大的機(jī)械定時(shí)器和調(diào)速器，采用輕觸式開關(guān)和電腦控制脈沖觸發(fā)，因而無機(jī)械磨損，使用壽命長。（3）各種動(dòng)作電腦程序具備相應(yīng)的發(fā)光管指示，耗電量少，體積小，重量輕，顯示直觀，便于操作；（4）適合開發(fā)或改造成多路家電的定時(shí)控制等。RY901采用雙列直插式16腳塑封結(jié)構(gòu)，為低功耗CMOS集成電路。其外形、引出腳排列及各腳功能如圖1所示。在剛接通電源時(shí)，電腦控制器暫處于復(fù)位（靜止）狀態(tài)，面板上所有發(fā)光二極管VD1－VD8均不亮，電風(fēng)扇不轉(zhuǎn)。用以控制它的導(dǎo)通與截止，再經(jīng)電抗器L進(jìn)行阻抗變換，即可按強(qiáng)風(fēng)、中風(fēng)、弱風(fēng)、強(qiáng)風(fēng)……的順序來改變其工作狀態(tài)，并且風(fēng)速指示管VD1－VD3。淄博正高電氣有著優(yōu)良的服務(wù)質(zhì)量和極高的信用等級。黑龍江整流可控硅調(diào)壓模塊價(jià)格

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可控硅的首先參數(shù)有：1、額定通態(tài)均勻電流IT正在必然條件下，陽極---陰極間能夠持續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的均勻值。2、正向阻斷峰值電壓VPF正在控造極開路未加觸發(fā)，陽極正向電壓還未超越導(dǎo)能電壓時(shí)，能夠反復(fù)加正在可控硅兩端的正向峰值電壓?？煽毓杞邮艿恼螂妷悍逯担豢瞬患俺绞謨越o出的那個(gè)參數(shù)值。3、反向阻斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷形態(tài)時(shí)，能夠反復(fù)加正在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時(shí)，不克不及超越手冊給出的那個(gè)參數(shù)值。4、觸發(fā)電壓VGT正在劃定的環(huán)境溫度下，陽極---陰極間加有必然電壓時(shí)，可控硅從關(guān)斷形態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通形態(tài)所需要的小控造極電流和電壓。水管以回轉(zhuǎn)方式固定敷設(shè)在金屬板殼的內(nèi)側(cè)，進(jìn)水口和出水口分別從隔斷龍骨上的兩個(gè)穿管孔穿到金屬板殼的藏管區(qū)，然后分別從金屬板殼的穿管孔穿出金屬板殼的保溫板區(qū)內(nèi)填充發(fā)泡類保溫材料，將水管固定在金屬板殼的內(nèi)側(cè)，并且將金屬板殼、水管和鋁箔紙粘結(jié)成為一個(gè)整體5、維持電流IH正在劃定溫度下，控造極斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必須的小陽極正向電流。很多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅，能夠用正或負(fù)的觸發(fā)控造兩個(gè)標(biāo)的目的導(dǎo)通的雙向可控硅。威海交流可控硅調(diào)壓模塊品牌