可控硅模塊廠家談單向可控硅模塊和雙向可控硅模塊的區(qū)別隨著電氣行業(yè)的不斷發(fā)展，可控硅模塊在調(diào)速、調(diào)光、調(diào)壓、調(diào)溫以及其他各種控制電路中都有它的身影。能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無(wú)觸點(diǎn)控制，以小電流控制大電流，并且不像繼電器那樣控制時(shí)有火花產(chǎn)生，而且動(dòng)作快、壽命長(zhǎng)、可靠性好?？煽毓枘K又分為單向可控硅模塊和雙向可控硅模塊，它們有什么區(qū)別呢，下面可控硅模塊廠家為你講解。可控硅模塊分為單向的和雙向的，符號(hào)也不同。單向可控硅有三個(gè)pn結(jié)，由外層的p極和n極引出兩個(gè)電極，分別稱為陽(yáng)極和陰極，由中間的p極引出一個(gè)控制極。然而單項(xiàng)的可控硅模塊具有其獨(dú)特的特性：當(dāng)陽(yáng)極接反向電壓，或者陽(yáng)極接正向電壓但控制極不加電壓時(shí)，它都不導(dǎo)通，而陽(yáng)極和控制極同時(shí)接正向電壓時(shí)，它就會(huì)變成導(dǎo)通狀態(tài)。一旦導(dǎo)通，控制電壓便失去了對(duì)它的控制作用，不論有沒(méi)有控制電壓，也不論控制電壓的極性如何，將一直處于導(dǎo)通狀態(tài)。要想關(guān)斷，只有把陽(yáng)極電壓降低到某一臨界值或者反向。雙向的可控硅模塊的引腳多數(shù)是按t1、t2、g的順序從左至右排列（電極引腳向下，面對(duì)有字符的一面時(shí)）。加在控制極g上的觸發(fā)脈沖的大小或時(shí)間改變時(shí)，就能改變其導(dǎo)通電流的大小。與單向的區(qū)別是。淄博正高電氣智造產(chǎn)品，制造品質(zhì)是我們服務(wù)環(huán)境的決心。廣東整流晶閘管調(diào)壓模塊結(jié)構(gòu)

晶閘管模塊是一種開關(guān)器件，在電氣行業(yè)中有著較為廣的應(yīng)用，在設(shè)備中起著較為重要的作用，但是晶閘管模塊還是有它需要注意的問(wèn)題的，下面正高給您講解一下。當(dāng)觸發(fā)脈沖的持續(xù)時(shí)間較短時(shí)，脈沖幅度必須相應(yīng)增加，同時(shí)脈沖寬度也取決于陽(yáng)極電流達(dá)到擎住電流的時(shí)間。在系統(tǒng)中，由于感性負(fù)載的存在，陽(yáng)極電流上升率低，若不施加寬脈沖觸發(fā)，則晶閘管模塊往往不能維持導(dǎo)通狀態(tài)?？紤]負(fù)載是強(qiáng)感性的情況，本系統(tǒng)采用高電平觸發(fā)，其缺點(diǎn)是晶閘管模塊損耗過(guò)大。晶閘管模塊在應(yīng)用過(guò)程中，影響關(guān)斷時(shí)間的因素有結(jié)溫、通態(tài)電流及其下降率、反向恢復(fù)電流下降率、反向電壓及正向dv/dt值等。其中以結(jié)溫及反向電壓影響大，結(jié)溫愈高，關(guān)斷時(shí)間愈長(zhǎng)；反壓越高，關(guān)斷時(shí)間愈短。在系統(tǒng)中，由于感性負(fù)載的存在，在換流時(shí)，電感兩端會(huì)產(chǎn)生很大的反電勢(shì)。這個(gè)異常電壓加在晶閘管模塊兩端，容易引起晶閘管模塊損壞。為了防止這種情況，通常采用浪涌電壓吸收電路。由于感性負(fù)載的存在，應(yīng)考慮加大觸發(fā)脈沖寬度，否則晶閘管模塊在陽(yáng)極電流達(dá)到擎住電流之前，觸發(fā)信號(hào)減弱，可能會(huì)造成晶閘管模塊不能正常導(dǎo)通。在關(guān)斷時(shí)，感性負(fù)載也會(huì)給晶閘管模塊造成一些問(wèn)題。以上所述就是晶閘管模塊值得注意的事項(xiàng)。內(nèi)蒙古恒壓晶閘管調(diào)壓模塊供應(yīng)商淄博正高電氣講誠(chéng)信，重信譽(yù)，多面整合市場(chǎng)推廣。

使用晶閘管模塊的的八大常識(shí)晶閘管模塊是使用范圍非常廣，在使用的過(guò)程中需要注意很多細(xì)節(jié)，還有一些使用常識(shí)，下面正高電氣來(lái)介紹下使用晶閘管模塊的八大常識(shí)。1、模塊在手動(dòng)控制時(shí)，對(duì)所用電位器有何要求？電位器的功率大于，阻值范圍—100K。2、模塊電流選型原則是什么？當(dāng)模塊導(dǎo)通角大于100度時(shí)，可以按如下原則選取電流：阻性負(fù)載：模塊標(biāo)稱電流應(yīng)大于負(fù)載額定電流的2倍。感性負(fù)或：模塊標(biāo)稱電流應(yīng)大于負(fù)載額定電流的3倍。3、模塊正常工作的條件一個(gè)+12V直流穩(wěn)壓電源（模塊內(nèi)部的工作電源）；一個(gè)0~10V控制信號(hào)（0~5V、0~10mA、4~20mA均可，用于對(duì)輸出電壓進(jìn)行調(diào)整的控制信號(hào)）。供電電源和負(fù)載（供電電源一般為電網(wǎng)或供電變壓器，接模塊輸入端子；負(fù)載為負(fù)載，接模塊輸出端子）4、+l2V穩(wěn)壓電源要求輸出電壓：+12V±，紋波電壓小于50mv；輸出電流：>；5、模塊是一個(gè)開環(huán)控制系統(tǒng)還是閉環(huán)控制系統(tǒng)晶閘管智能模塊是開環(huán)系統(tǒng)；穩(wěn)流、穩(wěn)壓模塊是閉環(huán)系統(tǒng)。6、開環(huán)控制與閉環(huán)控制用途有何區(qū)別？開環(huán)控制隨負(fù)載和電網(wǎng)的變化而變化。控制信號(hào)與輸出電流、電壓不是線性關(guān)系；閉環(huán)控制在一定的負(fù)載和電網(wǎng)范圍內(nèi)能保持輸出電流或者電壓穩(wěn)定。

晶閘管G、K之間是一個(gè)PN結(jié)〔圖2(a)〕，相當(dāng)于一個(gè)二極管，G為正極、K為負(fù)極，所以，按照測(cè)試二極管的方法，找出三個(gè)極中的兩個(gè)極，測(cè)它的正、反向電阻，電阻小時(shí)，萬(wàn)用表黑表筆接的是控制極G，紅表筆接的是陰極K，剩下的一個(gè)就是陽(yáng)極A了。測(cè)試晶閘管模塊的好壞，可以用剛才演示用的示教板電路(圖3)。接通電源開關(guān)S，按一下按鈕開關(guān)SB，燈泡發(fā)光就是好的，不發(fā)光就是壞的。四、晶閘管模塊在電路中的主要用途是什么?普通晶閘管模塊基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)成可控整流電路。現(xiàn)在我畫一個(gè)簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路〔圖4(a)〕。在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒(méi)有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導(dǎo)通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí)，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通?，F(xiàn)在，畫出它的波形圖〔圖4(c)及(d)〕，可以看到，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí)，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出(波形圖上陰影部分)。Ug到來(lái)得早，晶閘管模塊導(dǎo)通的時(shí)間就早；Ug到來(lái)得晚，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。淄博正高電氣迎接挑戰(zhàn)，推陳出新，與廣大客戶攜手并進(jìn)，共創(chuàng)輝煌！

可控硅模塊的發(fā)展及應(yīng)用可控硅模塊簡(jiǎn)稱可控硅，又名晶閘管，通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊，可控硅模塊的優(yōu)點(diǎn)顯而易見(jiàn)，體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡(jiǎn)單、互換性好、便于維修和安裝。下面來(lái)看看可控硅模塊的發(fā)展和應(yīng)用?？煽毓枘K在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無(wú)觸點(diǎn)控制，以小電流控制大電流，并且不象繼電器那樣控制時(shí)有火花產(chǎn)生，且動(dòng)作快、壽命長(zhǎng)、可靠性好。在調(diào)速、調(diào)光、調(diào)壓、調(diào)溫以及其他各種控制電路中都有可控硅的身影。可控硅模塊分為單向可控硅和雙向可控硅，符號(hào)也不同。單向可控硅模塊有三個(gè)PN結(jié)，由外層的P極和N極引出兩個(gè)電極，它們分別稱為陽(yáng)極和陰極，由中間的P極引出一個(gè)控制極。單向可控硅模塊有其獨(dú)特的特性：當(dāng)陽(yáng)極接反向電壓，或者陽(yáng)極接正向電壓但控制極不加電壓時(shí)，它都不導(dǎo)通，而陽(yáng)極和控制極同時(shí)接正向電壓時(shí)，它就會(huì)變成導(dǎo)通狀態(tài)。一旦導(dǎo)通，控制電壓便失去了對(duì)它的控制作用，不論有沒(méi)有控制電壓，也不論控制電壓的極性如何，將一直處于導(dǎo)通狀態(tài)。要想關(guān)斷，只有把陽(yáng)極電壓降低到某一臨界值或者反向。雙向可控硅模塊的引腳多數(shù)是按T1、T2、G的順序從左至右排列（電極引腳向下，面對(duì)有字符的一面時(shí)）。淄博正高電氣以誠(chéng)信為根本，以質(zhì)量服務(wù)求生存。遼寧恒壓晶閘管調(diào)壓模塊價(jià)格

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怎么區(qū)分可控硅模塊的損壞緣由當(dāng)可控硅模塊損壞后需求查看剖析其緣由時(shí)，可把管芯從冷卻套中取出，翻開芯盒再取出芯片，調(diào)查其損壞后的痕跡，以判別是何緣由。下面介紹幾種常見(jiàn)表象剖析。電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑，且粗糙，其方位在遠(yuǎn)離操控極上。電壓擊穿?？煽毓枰虿荒芙邮茈妷憾鴵p壞，其芯片中有一個(gè)光亮的小孔，有時(shí)需用擴(kuò)展鏡才干看見(jiàn)。其緣由可能是管子自身耐壓降低或被電路斷開時(shí)發(fā)生的高電壓擊穿。電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞一樣，而其方位在操控極鄰近或就在操控極上。邊際損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細(xì)微光亮小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。這是制作廠家裝置不小心所形成的。它致使電壓擊穿。廣東整流晶閘管調(diào)壓模塊結(jié)構(gòu)