無線充電線圈可實(shí)現(xiàn)總厚度約120μm，且內(nèi)阻在250mω(mohm)以下，對應(yīng)的充電效率>75％，即在尺寸更小(厚度和線間距)的情況下，能達(dá)到相同的電阻值。進(jìn)一步地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的無線充電線圈中，所述銅箔的厚度為60-150μm；所述***絕緣層的厚度為2-20μm，推薦為2-5μm；所述第二絕緣層的厚度為2-5μm。所述***絕緣層為絕緣膜，且所述***絕緣層選自pe膜、pet膜、pi膜、pc膜、pp膜、pvdf膜、ptfe膜、玻璃膜和陶瓷膜中的至少一種；和/或，所述第二絕緣層為絕緣膜，且所述第二絕緣層選自pe膜、pet膜、pi膜、pc膜、pp膜、pvdf膜、ptfe膜、玻璃膜和陶瓷膜中的至少一種，或者，所述第二絕緣層為絕緣油墨層，且所述第二絕緣層的材料選自環(huán)氧樹脂油墨、丙烯酸樹脂油墨、聚酯樹脂油墨和酚醛樹脂油墨中的至少一種。本發(fā)明先后進(jìn)行過多次試驗(yàn)，現(xiàn)舉一部分試驗(yàn)結(jié)果作為參考對發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)描述，下面結(jié)合具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。實(shí)施例1一種無線充電線圈的制備方法，包括如下步驟：1.在110-130微米厚度的銅箔下表面貼合一層襯底材料：襯底材料采用石蠟；貼合方法為高溫?zé)釅骸?.用精密雕刻設(shè)備將銅面雕刻出所需的線圈圖案和陣列：采用精雕機(jī)如機(jī)械雕刻機(jī)實(shí)現(xiàn)該工藝。光伏扁平線圈的工作原理是通過繞制線圈的電流產(chǎn)生磁場，再由磁場感應(yīng)出電壓。大足區(qū)扁平線圈

    并且流過致動(dòng)器線圈110的電流的幅值受到限制，由此不利地影響了電機(jī)線圈100的性能。圖2是線圈100的圖示。線圈110由絕緣的扁平線制成。例如，光刻工具的一些掩模版平臺(tái)和晶片平臺(tái)使用具有由絕緣的扁平線制成的電線圈的電致動(dòng)器，以提供動(dòng)力?？梢酝ㄟ^將未被絕緣的圓線卷繞成期望的厚度、然后用絕緣材料和粘結(jié)層覆蓋被卷繞的線來按訂單制造扁平線圈。在一個(gè)示例中，致動(dòng)器線圈110的每一匝使用例如灌封材料保持在適當(dāng)位置。圖3是圖2的線圈110的橫截面。可以看出，線圈110的每匝包括被電絕緣材料310圍繞的實(shí)質(zhì)上矩形的中心導(dǎo)電部分300。應(yīng)當(dāng)注意，作為用于制造扁平線的方法的人工制品，實(shí)質(zhì)上矩形的中心導(dǎo)電部分300的頂部和底部實(shí)際上可以稍微變圓。然而，該橫截面仍然是“實(shí)質(zhì)上矩形的”，如本文中所使用的所述術(shù)語那樣。繞組線圈110具有上下平行的平坦表面。實(shí)質(zhì)上矩形的中心導(dǎo)電部分300具有兩組平行的側(cè)邊，大致豎直定向(也就是，垂直于平行的平坦表面的平面)的***對側(cè)邊，和大致水平定向(也就是，平行于平行的平坦表面的平面)的第二對側(cè)邊。盡管示出了實(shí)質(zhì)上圓形或圓柱形的線圈，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將了解，可以使用其它形狀的線圈，諸如橢圓形或跑道形。大足區(qū)扁平線圈耐高溫線圈的設(shè)計(jì)需要考慮線圈的材料、形狀、尺寸和匝數(shù)等因素。

    所述線圈具有實(shí)質(zhì)上平坦的***表面和實(shí)質(zhì)上平坦的第二表面；和從所述實(shí)質(zhì)上平坦的***表面的至少一部分去除所述電絕緣材料。9.根據(jù)方面8所述的方法，其中，至少部分通過機(jī)加工執(zhí)行所述去除步驟。10.根據(jù)方面8所述的方法，其中，至少部分通過單點(diǎn)飛切執(zhí)行所述去除步驟。11.根據(jù)方面8所述的方法，其中，至少部分通過銑削執(zhí)行所述去除步驟。12.根據(jù)方面8所述的方法，還包括在所述去除步驟之后的如下步驟：去除所述導(dǎo)體中的一些部分以調(diào)節(jié)所述線圈的電學(xué)屬性。13.根據(jù)方面10所述的方法，其中，所述電學(xué)屬性是電阻。14.根據(jù)方面8所述的方法，還包括在所述去除步驟之后的如下步驟：測量所述線圈的電阻。15.根據(jù)方面8所述的方法，還包括在所述去除步驟之后的如下步驟：測量所述線圈的q因子。16.一種制造線圈的方法，包括以下步驟：提供導(dǎo)電材料的片材；用電絕緣材料的層覆蓋所述片材的至少一面；卷繞所述片材和層以形成卷；和橫向于所述卷的長度切割所述卷以形成線圈。以上描述包括多個(gè)實(shí)施例的示例。當(dāng)然，為了描述前述實(shí)施例的目的，不可能描述部件或方法的每種可設(shè)想的組合，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以認(rèn)識(shí)到，各種實(shí)施例的許多進(jìn)一步的組合和置換是可能的。因此。

如樹脂片/膜)、或?qū)⒁r底材料液化或加入溶劑制成油墨印刷/噴涂在銅箔表面，形成一定厚度的襯底。如在銅箔表面采用熱壓方式制備襯底，熱壓工藝步驟包括：對于半固化樹脂片，可采用高于樹脂材料t**的溫度，且在高于100psi的壓力下進(jìn)行熱壓，使樹脂具有一定流動(dòng)能力，進(jìn)一步地，推薦在真空環(huán)境下進(jìn)行熱壓，以便排出銅箔間隙中的氣體。本發(fā)明一實(shí)施例中，該襯底厚度范圍為：，推薦1-3mm，如此可以保證運(yùn)輸時(shí)的強(qiáng)度。本發(fā)明實(shí)施例中，采用精密雕刻設(shè)備在銅面雕刻出所需的線圈圖案(包括線圈陣列)，如材料激光雕刻機(jī)或者機(jī)械雕刻機(jī)，推薦機(jī)械雕刻機(jī)，如北京精雕公司的精密雕刻機(jī)。激光雕刻技術(shù)難以雕刻100μm以上厚度和，而機(jī)械雕刻機(jī)配套。在所述銅箔的表面雕刻圖案時(shí)，雕刻深度要求略大于銅薄的厚度，以保證線圈螺旋之間完全絕緣。在步驟s03中，如圖1(c)所示，在銅線圈層1背離襯底2的表面制備***絕緣層3；***絕緣層3的厚度為2-20μm，推薦25μm；本發(fā)明一實(shí)施例中，所述***絕緣層3為絕緣膜，具體地，***絕緣層3可采用pe(polyethylene，聚乙烯)膜、pet(polyethyleneterephthalate，聚對苯二甲酸乙二醇酯膜、pi(polyimide，聚酰亞胺)膜、pc(polycarbonate，聚碳酸酯)膜、pp。跑道型扁平線圈是一種常見的電子元件，它的形狀類似于跑道，通常用于各種電子設(shè)備和電路中。

具有廣泛的應(yīng)用價(jià)值。附圖說明為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖**是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明中無線充電線圈制作的流程示意圖；其中，圖中各附圖標(biāo)記：01-銅箔；1-銅線圈層；11-內(nèi)焊盤；12-外焊盤；2-襯底；3-***絕緣層；4-第二絕緣層；5-導(dǎo)電銅膠帶。具體實(shí)施方式為了使本發(fā)明要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例**用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。需要說明的是，當(dāng)元件被稱為“固定于”或“設(shè)置于”另一個(gè)元件，它可以直接在另一個(gè)元件上或者間接在該另一個(gè)元件上。當(dāng)一個(gè)元件被稱為是“連接于”另一個(gè)元件，它可以是直接連接到另一個(gè)元件或間接連接至該另一個(gè)元件上。需要理解的是。光伏扁平線圈是光伏發(fā)電系統(tǒng)中不可或缺的一部分。柳州線圈供應(yīng)

鋁線圈的制作工藝較為簡單，可以通過手工或機(jī)器自動(dòng)繞制。大足區(qū)扁平線圈

    激光器采用波長為355nm的紫外納秒激光器，激光器**大功率為40w，激光標(biāo)記范圍100mm*100mm。此激光器作用原理為多次重復(fù)作用在金屬表面，使金屬依次剝離，**后達(dá)到切割目的。該激光器尺寸精度高，熱影響區(qū)小。本實(shí)施例中，激光在激光焦點(diǎn)處與純銅發(fā)生作用，以螺旋圓運(yùn)動(dòng)軌跡沿著螺旋切割線將銅箔切割成螺旋狀銅線。表2銅箔規(guī)格與對應(yīng)的加工效果數(shù)據(jù)銅箔厚度(mm)線圈縫寬(mm)(4)切割后線圈平鋪在吸附冶具表面不會(huì)發(fā)生變形，連同冶具一并取出，依次經(jīng)過超聲波處理-烘干-烤漆絕緣-烘干-疊放后-覆成品包裝膜，加工完成?；谏鲜龇椒庸さ某潆娋€圈，本發(fā)明還提供了一種無線充電裝置，本發(fā)明的無線充電裝置充電轉(zhuǎn)化效率高。盡管上面已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，可以理解的是，上述實(shí)施例是示例性的，不能理解為對本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型，這些均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。大足區(qū)扁平線圈