硅光芯片耦合測試系統(tǒng)的面向硅光芯片的光模塊封裝結構及方法,封裝結構包括硅光芯片,電路板和光纖陣列,硅光芯片放置在基板上,基板和電路板通過連接件相連,并且在連接件的作用下實現(xiàn)硅光芯片與電路板的電氣連通;光纖陣列的端面與硅光芯片的光端面耦合形成輸入輸出光路;基板所在平面與電路板所在平面之間存在一個夾角,使得光纖陣列的尾纖出纖方向與光模塊的輸入和/或輸出通道的光軸的夾角為銳角。本發(fā)明避免光纖陣列尾纖彎曲半徑過小的問題,提高了封裝的可靠性。集成電路的晶圓級可靠性測試中，使用非常普遍的測試類別主要是熱載流注入測試、電遷移測試等等。云南光子晶體硅光芯片耦合測試系統(tǒng)價格

伴隨著光纖通信技術的快速發(fā)展,小到芯片間,大到數(shù)據(jù)中心間的大規(guī)模數(shù)據(jù)交換處理,都迫切需求高速,可靠,低成本,低功耗的互聯(lián)。當前,我們把主流的光互聯(lián)技術分為兩類。一類是基于III-V族半導體材料,另一類是基于硅等與現(xiàn)有的成熟的微電子CMOS工藝兼容的材料?；贗II-V族半導體材料的光互聯(lián)技術,在光學性能方面較好,但是其成本高,工藝復雜,加工困難,集成度不高的缺點限制了未來大規(guī)模光電子集成的發(fā)展。硅光芯片器件可將光子功能和智能電子結合在一起以及提供潛力巨大的高速光互聯(lián)的解決方案。貴州分路器硅光芯片耦合測試系統(tǒng)供應商硅基光電集成取得了一系列令人振奮的成果，如硅基光波導、光開關、調制器以及探測器均已實現(xiàn)。

硅光芯片耦合測試系統(tǒng)組件裝夾完成后，通過校正X,Y和Z方向的偏差來進行的初始光功率耦合，圖像處理軟件能自動測量出各項偏差，然后軟件驅動運動控制系統(tǒng)和運動平臺來補償偏差，以及給出提示，繼續(xù)手動調整角度滑臺。當三個器件完成初始定位，同時確認其在Z軸方向的相對位置關系后，這時需要確認輸入光纖陣列和波導器件之間光的耦合對準。點擊找初始光軟件會將物鏡聚焦到波導器件的輸出端面。通過物鏡及初始光CCD照相機，可以將波導輸出端各通道的近場圖像投射出來，進行適當耦合后，圖像會被投射到顯示器上。

為了消除硅基無源器件明顯的偏振相關性,我們首先利用一種特殊的三明治結構波導,通過優(yōu)化多層結構,成功消除了一個超小型微環(huán)諧振器中心波長的偏振相關性。針對不同的硅光芯片結構,我們提出并且實驗驗證了兩款新型耦合器以提高硅光芯片的耦合效率。一款基于非均勻光柵的垂直耦合器,在實驗中,我們得到了超過60%的光纖-波導耦合效率。此外,我們還開發(fā)了一款用以實現(xiàn)硅條形波導和狹縫波導之間高效耦合的新型耦合器應用的系統(tǒng)主要是硅光芯片耦合測試系統(tǒng),理論設計和實驗結果都證明該耦合器可以實現(xiàn)兩種波導之間的無損光耦合測試。聚合物將其壓在FA上,使得FA進入V槽中。每個光纖的位置可以進行調整,光纖完全落入槽中,達到比較好的耦合效率。

基于設計版圖對硅光芯片進行光耦合測試的方法及系統(tǒng)進行介紹,該方法包括:讀取并解析設計版圖,得到用于構建芯片圖形的坐標簇數(shù)據(jù),驅動左側光纖對準第1測試點,獲取與第1測試點相對應的測試點圖形的第1選中信息,驅動右側光纖對準第二測試點,獲取與第二測試點相對應的測試點圖形的第二選中信息,獲取與目標測試點相對應的測試點圖形的第三選中信息,通過測試點圖形與測試點的對應關系確定目標測試點的坐標,以驅動左或右側光纖到達目標測試點,進行光耦合測試;該系統(tǒng)包括上位機,電機控制器,電機,夾持載臺及相機等;本發(fā)明具有操作簡單,耗時短,對用戶依賴程度低等優(yōu)點,能夠極大提高硅光芯片光耦合測試的便利性。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)優(yōu)點：給企業(yè)帶來方便性。湖南自動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)多少錢

端面耦合器需要解決的問題是模斑尺寸的匹配,而光柵耦合器由于需要特定角度入射光,主要需要解決光路偏折。云南光子晶體硅光芯片耦合測試系統(tǒng)價格

我們分析了一種可以有效消除偏振相關性的偏振分級方案,并提出了兩種新型結構以實現(xiàn)該方案中的兩種關鍵元件。通過理論分析以及實驗驗證,一個基于一維光柵的偏振分束器被證明能夠實現(xiàn)兩種偏振光的有效分離。該分束器同時還能作為光纖與硅光芯片之間的高效耦合器。實驗中我們獲得了超過50%的耦合效率以及低于-20dB的偏振串擾。我們還對一個基于硅條形波導的超小型偏振旋轉器進行了理論分析,該器件能夠實現(xiàn)100%的偏轉轉化效率,并擁有較大的制造容差。在這里,我們還對利用側向外延生長硅光芯片耦合測試系統(tǒng)技術實現(xiàn)Ⅲ-Ⅴ材料與硅材料混集成的可行性進行了初步分析,并優(yōu)化了諸如氫化物氣相外延,化學物理拋光等關鍵工藝。在該方案中,二氧化硅掩膜被用來阻止InP種子層中的線位錯在外延生長中的傳播。初步實驗結果和理論分析證明該集成平臺對于實現(xiàn)InP和硅材料的混合集成具有比較大的吸引力。云南光子晶體硅光芯片耦合測試系統(tǒng)價格