新品速遞|VINNASI?2728:乳膠粉領(lǐng)域的得力助手
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供應(yīng)無(wú)錫市環(huán)氧乳液批發(fā) 無(wú)錫洪匯新材料科技供應(yīng)
聚氯乙烯乳液在家居產(chǎn)品中的作用
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硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)系統(tǒng)的測(cè)試設(shè)備主要是包括可調(diào)激光器、偏振控制器和多通道光功率計(jì),通過(guò)光矩陣的光路切換,每一時(shí)刻在程序控制下都可以形成一個(gè)單獨(dú)的測(cè)試環(huán)路。光源出光包含兩個(gè)設(shè)備,調(diào)光過(guò)程使用ASE寬光源,以保證光路通過(guò)光芯片后總是出光,ASE光源輸出端接入1*N路耦合器;測(cè)試過(guò)程使用可調(diào)激光器,以?huà)呙杼囟üβ始疤囟úㄩL(zhǎng),激光器出光后連接偏振控制器輸入端,以得到特定偏振態(tài)下光信號(hào);偏振控制器輸出端接入1個(gè)N*1路光開(kāi)光;切光過(guò)程通過(guò)輸入端光矩陣,包含N個(gè)2*1光開(kāi)關(guān),以得到特定光源。輸入光進(jìn)入光芯片后由芯片輸出端輸出進(jìn)入輸出端光矩陣,包含N個(gè)2*1路光開(kāi)關(guān),用于切換輸出到多通道光功率計(jì)或者PD光電二極管,分別對(duì)應(yīng)測(cè)試過(guò)程與耦合過(guò)程。硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)的優(yōu)勢(shì):背景強(qiáng)磁場(chǎng)子系統(tǒng)能夠提供高達(dá)3T的背景強(qiáng)磁場(chǎng)。浙江光子晶體硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)哪里有
在光芯片領(lǐng)域,芯片耦合封裝問(wèn)題是硅光芯片實(shí)用化過(guò)程中的關(guān)鍵問(wèn)題,芯片性能的測(cè)試也是尤其重要的一個(gè)步驟,現(xiàn)有的硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)是將光芯片的輸入輸出端光纖置于顯微鏡下靠人工手工移動(dòng)微調(diào)架轉(zhuǎn)軸進(jìn)行調(diào)光,并依靠對(duì)輸出光的光功率進(jìn)行監(jiān)控,再反饋到微調(diào)架端進(jìn)行調(diào)試。芯片測(cè)試則是將測(cè)試設(shè)備按照一定的方式串聯(lián)連接在一起,形成一個(gè)測(cè)試站。具體的,所有的測(cè)試設(shè)備通過(guò)光纖,設(shè)備連接線(xiàn)等連接成一個(gè)測(cè)試站。例如將VOA光芯片的發(fā)射端通過(guò)光纖連接到光功率計(jì),就可以測(cè)試光芯片的發(fā)端光功率。將光芯片的發(fā)射端通過(guò)光線(xiàn)連接到光譜儀,就可以測(cè)試光芯片的光譜等。浙江光子晶體硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)哪里有芯片耦合封裝問(wèn)題是光子芯片實(shí)用化過(guò)程中的關(guān)鍵問(wèn)題。
硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)系統(tǒng)的服務(wù)器為完成設(shè)備控制及自動(dòng)測(cè)試應(yīng)包含有自動(dòng)化硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)服務(wù)端程序,用于根據(jù)測(cè)試站請(qǐng)求信息分配測(cè)試設(shè)備,并自動(dòng)切換光矩陣進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。服務(wù)器連接N個(gè)測(cè)試站、測(cè)試設(shè)備、光矩陣。其中N個(gè)測(cè)試站連接由于非占用式特性采用網(wǎng)口連接方式;測(cè)試設(shè)備包括可調(diào)激光器、偏振控制器和多通道光功率計(jì),物理連接采用GPIB接口、串口或者USB接口;光矩陣連接采取串口。自動(dòng)化硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)服務(wù)端程序包含三個(gè)功能模塊:多工位搶占式通信、設(shè)備自動(dòng)測(cè)試、測(cè)試指標(biāo)運(yùn)算;設(shè)備自動(dòng)測(cè)試過(guò)程又包含如下三類(lèi):偏振態(tài)校準(zhǔn)、存光及指標(biāo)測(cè)試。
為了消除硅基無(wú)源器件明顯的偏振相關(guān)性,我們首先利用一種特殊的三明治結(jié)構(gòu)波導(dǎo),通過(guò)優(yōu)化多層結(jié)構(gòu),成功消除了一個(gè)超小型微環(huán)諧振器中心波長(zhǎng)的偏振相關(guān)性。針對(duì)不同的硅光芯片結(jié)構(gòu),我們提出并且實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了兩款新型耦合器以提高硅光芯片的耦合效率。一款基于非均勻光柵的垂直耦合器,在實(shí)驗(yàn)中,我們得到了超過(guò)60%的光纖-波導(dǎo)耦合效率。此外,我們還開(kāi)發(fā)了一款用以實(shí)現(xiàn)硅條形波導(dǎo)和狹縫波導(dǎo)之間高效耦合的新型耦合器應(yīng)用的系統(tǒng)主要是硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng),理論設(shè)計(jì)和實(shí)驗(yàn)結(jié)果都證明該耦合器可以實(shí)現(xiàn)兩種波導(dǎo)之間的無(wú)損光耦合測(cè)試。聚合物將其壓在FA上,使得FA進(jìn)入V槽中。每個(gè)光纖的位置可以進(jìn)行調(diào)整,光纖完全落入槽中,達(dá)到比較好的耦合效率。
硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)用到硅光芯片,我們一起來(lái)了解硅光芯片的重要性。為什么未來(lái)需要硅光芯片,這是由于隨著5G時(shí)代的到來(lái),芯片對(duì)傳輸速率和穩(wěn)定性要求更高,硅光芯片相比傳統(tǒng)硅芯的性能更好,在通信器件的高級(jí)市場(chǎng)上,硅光芯片的作用更加明顯。未來(lái)人們對(duì)流量的速度要求比較高,作為技術(shù)運(yùn)營(yíng)商,5G的密集組網(wǎng)對(duì)硅光芯片的需求大增。之所以說(shuō)硅光芯片定位通信器件的高級(jí)市場(chǎng),這是由于未來(lái)的5G將應(yīng)用在生命科學(xué)、超算、量子大數(shù)據(jù)、無(wú)人駕駛等,這些領(lǐng)域?qū)νㄓ嵉囊蟾?,不同?G網(wǎng)絡(luò),零延時(shí)、無(wú)差錯(cuò)是較基本的要求。目前,國(guó)內(nèi)中心的光芯片及器件依然嚴(yán)重依賴(lài)于進(jìn)口,高級(jí)光芯片與器件的國(guó)產(chǎn)化率不超過(guò)10%,這是國(guó)內(nèi)加大研究光芯的內(nèi)在驅(qū)動(dòng)力。硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn):測(cè)試精度高。射頻硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)
硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)系統(tǒng)已被應(yīng)用于人類(lèi)社會(huì)的各個(gè)領(lǐng)域。浙江光子晶體硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)哪里有
在硅光芯片領(lǐng)域,芯片耦合封裝問(wèn)題是硅光子芯片實(shí)用化過(guò)程中的關(guān)鍵問(wèn)題,芯片性能的測(cè)試也是至關(guān)重要的一步驟,現(xiàn)有的硅硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)系統(tǒng)是將硅光芯片的輸入輸出端硅光纖置于顯微鏡下靠人工手工移動(dòng)微調(diào)架轉(zhuǎn)軸進(jìn)行調(diào)硅光,并依靠對(duì)輸出硅光的硅光功率進(jìn)行監(jiān)控,再反饋到微調(diào)架端進(jìn)行調(diào)試。芯片測(cè)試則是將測(cè)試設(shè)備按照一定的方式串聯(lián)連接在一起,形成一個(gè)測(cè)試站。具體的,所有的測(cè)試設(shè)備通過(guò)硅光纖,設(shè)備連接線(xiàn)等連接成一個(gè)測(cè)試站。例如將VOA硅光芯片的發(fā)射端通過(guò)硅光纖連接到硅光功率計(jì),使用硅硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)就可以測(cè)試硅光芯片的發(fā)端硅光功率。將硅光芯片的發(fā)射端通過(guò)硅光線(xiàn)連接到硅光譜儀,就可以測(cè)試硅光芯片的硅光譜等。浙江光子晶體硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)哪里有