產(chǎn)品可靠性系統(tǒng)解決方案1、可靠性試驗(yàn)方案定制2、可靠性企標(biāo)制定與輔導(dǎo)3、壽命評(píng)價(jià)及預(yù)估4、可靠性競(jìng)品分析5、產(chǎn)品評(píng)測(cè)6、器件質(zhì)量提升二、常規(guī)環(huán)境與可靠性項(xiàng)目檢測(cè)方法1、電子元器件環(huán)境可靠性高/低溫試驗(yàn)、溫濕度試驗(yàn)、交變濕熱試驗(yàn)、冷熱沖擊試驗(yàn)、快速溫度變化試驗(yàn)、鹽霧試驗(yàn)、低氣壓試驗(yàn)、高壓蒸煮（HAST）、CAF試驗(yàn)、氣體腐蝕試驗(yàn)、防塵防水/IP等級(jí)、UV/氙燈老化/太陽(yáng)輻射等。2、電子元器件機(jī)械可靠性振動(dòng)試驗(yàn)、沖擊試驗(yàn)、碰撞試驗(yàn)、跌落試驗(yàn)、三綜合試驗(yàn)、包裝運(yùn)輸試驗(yàn)/ISTA等級(jí)、疲勞壽命試驗(yàn)、插拔力試驗(yàn)。3、電氣性能可靠性耐電壓、擊穿電壓、絕緣電阻、表面電阻、體積電阻、介電強(qiáng)度、電阻率、導(dǎo)電率、溫升測(cè)試等。GWHR-256多通道 SIR/CAF實(shí)時(shí)監(jiān)控測(cè)試系統(tǒng)搭配廣州維柯CAF測(cè)試軟件，更好更快速完成檢測(cè)。海南sir電阻測(cè)試服務(wù)電話

局部萃取法會(huì)把板子表面所有殘留離子都溶解。電路板上離子材料的常見(jiàn)來(lái)源是多種多樣的，包括電路板制造和電鍍殘留物、人機(jī)交互殘留物、助焊劑殘留物等。這包括有意添加的化學(xué)物質(zhì)和無(wú)意的污染?？紤]到這一點(diǎn)，每當(dāng)遇到不可接受的結(jié)果時(shí)，這種方法就被用來(lái)調(diào)查在過(guò)程和材料清單中發(fā)生了什么變化。在流程開發(fā)過(guò)程中，應(yīng)該定義一個(gè)“正?！钡慕Y(jié)果范圍，但是當(dāng)結(jié)果超出預(yù)期范圍時(shí)，可能會(huì)有許多潛在的原因。使用類似SIR測(cè)試模塊的68針LCC。這種設(shè)計(jì)有足夠的熱量，允許一個(gè)范圍內(nèi)的回流曲線。元件的高度和底部端子**了一個(gè)典型的組裝案例，其中助焊劑殘留物和其他污染物可以被截留在元件底部。在局部萃取過(guò)程中，噴嘴比組件小得多，且能滿足組件與板的高度差。江蘇銷售電阻測(cè)試服務(wù)電話SIR表面絕緣電阻測(cè)試的目的之一：變更助焊劑和/或錫膏。

可靠性試驗(yàn)中，有一項(xiàng)，叫做高加速應(yīng)力試驗(yàn)(簡(jiǎn)稱HAST)，主要是在測(cè)試IC封裝體對(duì)溫濕度的抵抗能力，藉以確保產(chǎn)品可靠性。這項(xiàng)試驗(yàn)方式是需透過(guò)外接電源供應(yīng)器，將DC電壓源送入高壓鍋爐機(jī)臺(tái)設(shè)備內(nèi)，再連接到待測(cè)IC插座(Socket)與測(cè)試版(HASTboard)，進(jìn)行待測(cè)IC的測(cè)試。然而這項(xiàng)試驗(yàn)，看似簡(jiǎn)單，但在宜特20多年的可靠性驗(yàn)證經(jīng)驗(yàn)中，卻發(fā)現(xiàn)客戶都會(huì)遇到一些難題需要克服。特別是芯片應(yīng)用日益復(fù)雜，精密度不斷提升，芯片采取如球柵數(shù)組封裝(Ball Grid Array，簡(jiǎn)稱BGA)和芯片尺寸構(gòu)裝(Chip Scale package，簡(jiǎn)稱CSP）封裝比例越來(lái)越高，且錫球間距也越來(lái)越小，在執(zhí)行HAST時(shí)，非常容易有電化學(xué)遷移(簡(jiǎn)稱ECM）現(xiàn)象的產(chǎn)生，造成芯片于可靠性實(shí)驗(yàn)過(guò)程中發(fā)生電源短路異常。

在確定為CAF失效之前，應(yīng)該確認(rèn)連接線兩端的電阻是不是要小于菊花鏈區(qū)域的電阻。做法是將菊花鏈附近連接測(cè)試線纜的線路切斷。所有的測(cè)試結(jié)束后，如果發(fā)現(xiàn)某塊測(cè)試板連接線兩端的電阻確實(shí)小于菊花鏈區(qū)域的電阻，那么這塊測(cè)試板就不能作為數(shù)據(jù)分析的依據(jù)。常規(guī)結(jié)果判定：1.96小時(shí)靜置后絕緣電阻R1≤107歐姆，即判定樣本失效；2.當(dāng)**終測(cè)試絕緣電阻R2<108歐姆，或者在測(cè)試過(guò)程中有3次記錄或以上出現(xiàn)R2<108歐姆即判定樣本失效。廣州維柯信息技術(shù)有限公司的高低阻(CAF/TCT)測(cè)試系統(tǒng)可以做到有效電壓測(cè)試。根據(jù)客戶實(shí)際需求定制，比如接入對(duì)應(yīng)ERP系統(tǒng)。

局部萃取的離子色譜法在過(guò)去的十年中，一種新興的方法得到了***的應(yīng)用，那就是局部萃取，然后用離子色譜(IC)分析來(lái)控制重要的清潔度，通常被稱為C3測(cè)試。這種方法使用冷蒸汽直接通過(guò)一個(gè)小噴嘴，并在選定的電路板和組件表面冷凝，用以溶解各種離子。然后噴嘴將水和離子的溶液萃取回測(cè)試池中進(jìn)行測(cè)試。電流通過(guò)萃取物，并測(cè)量達(dá)到持續(xù)狀態(tài)的時(shí)間。然后用離子色譜法對(duì)萃取物進(jìn)行檢測(cè)，以確定其中存在的離子種類及數(shù)量。這種類型的測(cè)試特別適用于對(duì)電路板上潛在的問(wèn)題區(qū)域進(jìn)行抽查，例如低間距組件、高熱質(zhì)量區(qū)域、選擇性焊接的部件和清洗過(guò)的組件。**重要的是，局部萃取方法可以很容易地集成到質(zhì)量保證協(xié)議中，以驗(yàn)證測(cè)試結(jié)果隨時(shí)間變化的一致性和很多不同組裝工藝的一致性。廣州維柯GWHR-256 產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：結(jié)構(gòu)、配置靈活：板卡設(shè)計(jì)，可選擇 16 路*N(1≥N≤16)。江蘇國(guó)內(nèi)電阻測(cè)試有哪些

測(cè)試配置靈活：每組板卡可設(shè)置不同的測(cè)試電壓，可同時(shí)完成多任務(wù)測(cè)試。海南sir電阻測(cè)試服務(wù)電話

失效機(jī)理分析及防護(hù)策略結(jié)合以上結(jié)果，電阻失效是由于經(jīng)典電化學(xué)遷移引起（ElectrochemicalMigration,ECM）。其中失效模型包含Ag、Sn、Pb等金屬元素，指的是在一定的偏壓電場(chǎng)條件下，作為陽(yáng)極的電子元件發(fā)生陽(yáng)極金屬溶解，溶解到電解質(zhì)中的金屬離子在電場(chǎng)作用下遷移到陰極，并發(fā)生沉積還原的行為，**終導(dǎo)致金屬離子以樹枝狀結(jié)晶形式向陽(yáng)極生長(zhǎng)[6]。因此電化學(xué)遷移現(xiàn)象有三個(gè)必要的過(guò)程：(1)陽(yáng)極溶解形成金屬離子過(guò)程；(2)金屬離子遷移過(guò)程；(3)金屬離子在陰極沉積過(guò)程[7]。海南sir電阻測(cè)試服務(wù)電話

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