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湖北供應(yīng)電阻測(cè)試廠家供應(yīng)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-03-17

可靠性試驗(yàn)中,有一項(xiàng),叫做高加速應(yīng)力試驗(yàn)(簡(jiǎn)稱HAST),主要是在測(cè)試IC封裝體對(duì)溫濕度的抵抗能力,藉以確保產(chǎn)品可靠性。這項(xiàng)試驗(yàn)方式是需透過(guò)外接電源供應(yīng)器,將DC電壓源送入高壓鍋爐機(jī)臺(tái)設(shè)備內(nèi),再連接到待測(cè)IC插座(Socket)與測(cè)試版(HASTboard),進(jìn)行待測(cè)IC的測(cè)試。然而這項(xiàng)試驗(yàn),看似簡(jiǎn)單,但在宜特20多年的可靠性驗(yàn)證經(jīng)驗(yàn)中,卻發(fā)現(xiàn)客戶都會(huì)遇到一些難題需要克服。特別是芯片應(yīng)用日益復(fù)雜,精密度不斷提升,芯片采取如球柵數(shù)組封裝(Ball Grid Array,簡(jiǎn)稱BGA)和芯片尺寸構(gòu)裝(Chip Scale package,簡(jiǎn)稱CSP)封裝比例越來(lái)越高,且錫球間距也越來(lái)越小,在執(zhí)行HAST時(shí),非常容易有電化學(xué)遷移(簡(jiǎn)稱ECM)現(xiàn)象的產(chǎn)生,造成芯片于可靠性實(shí)驗(yàn)過(guò)程中發(fā)生電源短路異常。SIR表面絕緣電阻測(cè)試的目的之一:基于可靠性的產(chǎn)品標(biāo)定。湖北供應(yīng)電阻測(cè)試廠家供應(yīng)

電阻測(cè)試

有數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)90%以上的電阻在大氣環(huán)境中使用[1],因此不可避免地受到工作環(huán)境中的溫度、濕度、灰塵顆粒及大氣污染物的影響,很容易發(fā)生電化學(xué)遷移。電化學(xué)遷移被認(rèn)為是電阻在電場(chǎng)與環(huán)境作用下發(fā)生的一種重要的失效形式,會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品在服役期間發(fā)生漏電、短路等故障。1失效分析某一批智能水表上的電路板使用大約2年后其內(nèi)部電阻存在短路失效的情況。1.1機(jī)械開(kāi)封機(jī)械開(kāi)封后1#電阻樣品表面形貌如圖1所示,可明顯發(fā)現(xiàn)電阻表面有一層金屬光澤異物粘附,異物呈樹(shù)枝狀結(jié)晶,由一端電極往另一端電極方向生長(zhǎng),并連接了電阻兩端電極;一端電表表面發(fā)生溶解,且溶解的端電極表面存在黑色腐蝕產(chǎn)物。貴州智能電阻測(cè)試報(bào)價(jià)GWHR-256多通道 SIR/CAF實(shí)時(shí)監(jiān)控測(cè)試系統(tǒng)適用于IPC-TM-650標(biāo)準(zhǔn),測(cè)試速度 20mS/所有通道。

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電子元器件失效分析項(xiàng)目1、元器件類失效電感、電阻、電容:開(kāi)裂、破裂、裂紋、參數(shù)變化2、器件/模塊失效二極管、三極管、LED燈3、集成電路失效DIP封裝芯片、PGA封裝芯片、SOP/SSOP系列芯片、QFP系列芯片、BGA封裝芯片4、PCB&PCBA焊接失效PCB板面起泡、分層、阻焊膜脫落、發(fā)黑,遷移氧化,腐蝕,開(kāi)路,短路、CAF短時(shí)失效;板面變色,錫面變色,焊盤(pán)變色;孔間絕緣性能下降;深孔開(kāi)裂;爆板等PCBA(ENIG、化鎳沉金、電鍍鎳金、OSP、噴錫板)焊接不良;端子(引腳)上錫不良,表面異物、電遷移、元件脫落等5、DPA分析電阻器/電容器/熱敏電阻器/二極管等電子元器件可靠性驗(yàn)證服務(wù)

此外,失效電阻表面還存在少量的乙酸根離子(CH3COO-),由于工藝生產(chǎn)中引入的有機(jī)弱酸減小了溶液的pH、提高了溶液的導(dǎo)電率,促進(jìn)了金屬陽(yáng)極的溶解過(guò)程,加大金屬陽(yáng)離子的濃度而提升枝晶的生長(zhǎng)速率,造成了電阻的短路失效。從表1離子色譜結(jié)果可以得出原工藝中生產(chǎn)使用的SnPb焊料存在較高的氯離子(Cl-),說(shuō)明SnPb焊料中的助焊劑中存在較高的氯離子,加速了電阻表面發(fā)生焊料的電化學(xué)遷移。參考國(guó)際電子工業(yè)聯(lián)接協(xié)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)表面絕緣電阻手冊(cè)IPC-TM-6502.3.28.2[4],“/”表示未檢出,其含量低于方法檢出限,方法檢出限為0.003mg/cm2。印刷電路板的電極之間會(huì)出現(xiàn)離子轉(zhuǎn)移,出現(xiàn)絕緣劣化的現(xiàn)象。通常發(fā)生在PCB基板中。

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金屬離子在陰極沉積過(guò)程在陰極區(qū),陽(yáng)極溶解生成的金屬離子(主要為錫離子和鉛離子)在電場(chǎng)的作用下,在電解液中遷移到陰極得到電子直接生成金屬單質(zhì);或者與陰極生成的氫氧根離子相遇而生成氫氧化物的沉淀物,氫氧化物的沉淀物發(fā)生脫水分解為氧化物,氧化物繼續(xù)還原為金屬單質(zhì)。伴隨著枝晶的生長(zhǎng)過(guò)程,陰極區(qū)還發(fā)生的反應(yīng)為電解質(zhì)中溶解氧氣的還原反應(yīng)及水的還原反應(yīng),反應(yīng)方程式如下:Pb2++2e-→PbSn2++2e-→SnSn4++4e-→SnO2+2H2O+4e-→4OH-2H2O+2e-→H2+2OH-Pb2++2OH-→Pb(OH)2→PbO+H2OSn2++2OH-→Sn(OH)2→SnO+H2OSn4++4OH-→Sn(OH)4→SnO2+2H2O為建立可抑制電化學(xué)遷移中陰極還原沉積過(guò)程,可能的有效途徑為可以在陰極表面添加不同的活性劑,使陰極沉積物由樹(shù)枝狀結(jié)構(gòu)變?yōu)榉稚⒃陉帢O表面,由此可有效避免由樹(shù)枝狀枝晶的生長(zhǎng)而造成的短路失效。SIR測(cè)試目的更改清潔材料或工藝。廣東智能電阻測(cè)試有哪些

與其它方法比較,SIR的優(yōu)點(diǎn)是除了可偵測(cè)局部的污染之外,還可以測(cè)量離子與非離子污染物對(duì)PCB可靠性的影響。湖北供應(yīng)電阻測(cè)試廠家供應(yīng)

焊點(diǎn)助焊劑(Flux)清潔與否,將影響ECM發(fā)生多寡IC芯片封裝成BGA后,于植球時(shí)會(huì)使用助焊劑(Flux)確保兩種不同的金屬或合金連接順利。宜特可靠性驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)室就觀察到,F(xiàn)lux工藝后,若沒(méi)有進(jìn)行清潔動(dòng)作,不僅殘留物將阻礙Underfill流動(dòng)路徑(圖四),導(dǎo)致填充膠無(wú)法填滿芯片底部,造成許多的氣泡(延伸閱讀:如何利用真空壓力烤箱消滅UnderfillVoid),更會(huì)加劇ECM的發(fā)生。可靠性驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)室,特別做了兩項(xiàng)實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE),實(shí)驗(yàn)條件套用HAST常見(jiàn)的溫度:130°C/濕度:85%RH,使用助焊劑為坊間常見(jiàn)免清洗型助焊劑。***項(xiàng)DOE樣品不做助焊劑清潔(Flux clean),第二項(xiàng)DOE樣品做助焊劑清潔(Flux Clean),DOE結(jié)果可清楚看到,未做Flux Clean的樣品,出現(xiàn)了ECM現(xiàn)象(圖五(左)),而有做Flux Clean的樣品,盡管同樣出現(xiàn)ECM現(xiàn)象(圖五(右)),但非常細(xì)微。湖北供應(yīng)電阻測(cè)試廠家供應(yīng)

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