ROSE是用2-丙醇和水溶液,通過手工、動態(tài)和靜態(tài)三種方法萃取板表面的任何殘留物。通常是將整個板子浸入溶液中,然后測量這種萃取物的電阻率,測量值由板子表面所有可溶性離子種類的離子含量決定。每種萃取方法在如何準確地實現(xiàn)這一過程上各不相同。通常,**測試電阻率是不夠的,因為它不能區(qū)分是哪些離子導致萃取電阻率下降。為了評估哪些離子存在,必須進行額外的離子色譜檢測。通過允許操作人員從過程中識別離子含量的來源,來完成測試。此外,過程控制從組裝工藝的開始就要進行,線路板和元器件的進廠清潔度與組裝的**終清潔度同樣重要。這也可以通過一種能夠在較小規(guī)模上從表面萃取的測試方法更有效地實現(xiàn)。精度高:優(yōu)于同業(yè)產(chǎn)品。湖南離子遷移絕緣電阻測試報價
銅鏡和銅板腐蝕測試了助焊劑或者助焊劑殘留物里面離子之間的反應分別對電化學遷移的潛在影響。***,鹵化物含量測量表明了助焊劑中多少的離子來自鹵離子。需要注意的是這是有別于無鹵和低鹵助焊劑的要求。也需要提供附加測量值,比如助焊劑黏度、酸值固體物含量等根據(jù)J-STD-004定義的附加測試方法的測試結果。當供應商提供了助焊劑活性等級,相當于給了工程師一個規(guī)格,這個規(guī)格定義了在標準條件下助焊劑的表現(xiàn)如何,這其中包括了指定的溫度循環(huán)和測試板。這有別于在特定設計和工藝中認證助焊劑。某些助焊劑等級的測試方法可以修改,以適應其設計特性。但是這些修改可能改變預期的結果,并且會影響到測試合格/失敗的極限。浙江制造電阻測試批量定制SIR表面絕緣電阻測試的目的之一:變更助焊劑和/或錫膏。
電子元器件失效分析項目1、元器件類失效電感、電阻、電容:開裂、破裂、裂紋、參數(shù)變化2、器件/模塊失效二極管、三極管、LED燈3、集成電路失效DIP封裝芯片、PGA封裝芯片、SOP/SSOP系列芯片、QFP系列芯片、BGA封裝芯片4、PCB&PCBA焊接失效PCB板面起泡、分層、阻焊膜脫落、發(fā)黑,遷移氧化,腐蝕,開路,短路、CAF短時失效;板面變色,錫面變色,焊盤變色;孔間絕緣性能下降;深孔開裂;爆板等PCBA(ENIG、化鎳沉金、電鍍鎳金、OSP、噴錫板)焊接不良;端子(引腳)上錫不良,表面異物、電遷移、元件脫落等5、DPA分析電阻器/電容器/熱敏電阻器/二極管等電子元器件可靠性驗證服務
助焊劑等級分類所有的測試完成后,編輯L、M和H的測試數(shù)據(jù),所有測試數(shù)據(jù)的比較高值決定助焊劑的等級。例如,一款助焊劑的活性等級要定為L,就需要五項測試中每個結果都是L_才可以。每個測試從不同的角度來量化電遷移的傾向性。ECM和SIR測試**接近組裝產(chǎn)品在使用壽命時間里**容易產(chǎn)生電化學遷移的情況。它們都是在更高的溫濕度下進行加速測試,并且發(fā)展成為表明可靠性的一種標準。當前SIR測試方法擅長用標準化的方式測試電化學遷移的傾向性。這種測試更接近真實失效機理。由于監(jiān)測頻率的關系,這種測試能夠捕捉到絕緣電阻的波動。這種波動可能表示枝晶形成然后又溶解了。這就可以不依賴于災難性故障來指示潛在的問題。提高失效分析效率,滿足客戶測試需求。
(1)電阻表面枝晶狀遷移物證明焊料中的Sn,Pb金屬元素發(fā)生電化學遷移導致枝晶的生長,連通電阻兩極,導致電阻短路失效;(2)離子色譜結果表明SnPb焊料中的助焊劑中存在較高的氯離子,加速了電阻表面發(fā)生焊料的電化學遷移;(3)離子電化學遷移失效復現(xiàn)實驗驗證了在氯離子、電場和潮氣作用下,電阻端電極金屬材料發(fā)生陽極溶解,產(chǎn)生了金屬離子,故而在電阻表面發(fā)生電化學遷移。(4)為了避免此類失效問題,建議在實際生產(chǎn)中從抑制陽極溶解過程、抑制遷移的過程和抑制陰極沉淀過程做出防護措施,改善產(chǎn)品質量。評估一家PCB板廠是否符合產(chǎn)品的要求,除了成本考量、工藝技術評估之外,有更為重要的PCB基板電氣性能評估。貴州智能電阻測試操作
廣州維柯GWHR-256 產(chǎn)品優(yōu)勢:容錯機制強:任何一組板卡發(fā)生故障不影響其它通道的正常測試。湖南離子遷移絕緣電阻測試報價
可靠性試驗中,有一項,叫做高加速應力試驗(簡稱HAST),主要是在測試IC封裝體對溫濕度的抵抗能力,藉以確保產(chǎn)品可靠性。這項試驗方式是需透過外接電源供應器,將DC電壓源送入高壓鍋爐機臺設備內,再連接到待測IC插座(Socket)與測試版(HASTboard),進行待測IC的測試。然而這項試驗,看似簡單,但在宜特20多年的可靠性驗證經(jīng)驗中,卻發(fā)現(xiàn)客戶都會遇到一些難題需要克服。特別是芯片應用日益復雜,精密度不斷提升,芯片采取如球柵數(shù)組封裝(Ball Grid Array,簡稱BGA)和芯片尺寸構裝(Chip Scale package,簡稱CSP)封裝比例越來越高,且錫球間距也越來越小,在執(zhí)行HAST時,非常容易有電化學遷移(簡稱ECM)現(xiàn)象的產(chǎn)生,造成芯片于可靠性實驗過程中發(fā)生電源短路異常。湖南離子遷移絕緣電阻測試報價
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