隨著物聯(lián)網(wǎng)和人工智能技術(shù)的不斷進(jìn)步，智能電阻可以與其他智能設(shè)備進(jìn)行連接和交互，實(shí)現(xiàn)更高級(jí)的功能。例如，智能電阻可以與智能手機(jī)或智能家居設(shè)備連接，實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程控制和監(jiān)測(cè)。這將為電子行業(yè)帶來更多的商機(jī)和發(fā)展空間。智能電阻具有更高的可追溯性。在電子行業(yè)中，產(chǎn)品的質(zhì)量追溯是非常重要的。傳統(tǒng)的電阻測(cè)試往往無法提供完整的測(cè)試記錄和數(shù)據(jù)，難以進(jìn)行產(chǎn)品質(zhì)量的追溯。而智能電阻通過內(nèi)置的存儲(chǔ)器和通信模塊，可以實(shí)時(shí)記錄測(cè)試數(shù)據(jù)，并將數(shù)據(jù)上傳到云端進(jìn)行存儲(chǔ)和管理。這樣，不僅可以方便地查看和分析測(cè)試數(shù)據(jù)，還可以追溯產(chǎn)品的質(zhì)量問題，及時(shí)采取措施進(jìn)行改進(jìn)和優(yōu)化。智能電阻有望推動(dòng)電子行業(yè)的智能化發(fā)展。系統(tǒng)標(biāo)配≥256通道，可分為16組測(cè)試單元，同時(shí)測(cè)試16種不同樣品。海南離子遷移電阻測(cè)試系統(tǒng)

半導(dǎo)體分立器件∶二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、達(dá)林頓陣列、半導(dǎo)體光電子器件等;被動(dòng)元件：電阻器;電容器;磁珠;電感器;變壓器;晶體振蕩器;晶體諧報(bào)器;繼電器;電連接器;開關(guān)及面板元件;電源模塊：濾波器、電源模塊、高壓隔離運(yùn)放、DC/DC、DC/AC；功率器件：功率器件、大功率器件；連接器：圓形連接器、矩形，印刷版插座等。元器件篩選覆蓋標(biāo)準(zhǔn)：GJB7243-2011軍電子元器件篩選技術(shù)要求；GJB128A-97半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法；GJB360A-96電子及電?元件試驗(yàn)方法；GJB548B-2005微電子器件試驗(yàn)方法和程序；GJB40247A-2006軍電子元器件破壞性物理分析方法；QJ10003—2008進(jìn)?元器件篩選指南；MIL-STD-750D半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法；MIL-STD-883G；廣東離子遷移絕緣電阻測(cè)試供應(yīng)商在電子設(shè)備領(lǐng)域，表面阻抗測(cè)試SIR測(cè)試被認(rèn)為是評(píng)估用戶線路板組裝材料可靠性的有效評(píng)估手段。

電遷移失效同常規(guī)的過應(yīng)力失效不同，它的發(fā)生需要一個(gè)時(shí)間累積，失效通常會(huì)發(fā)生在**終客戶的使用過程中，可能在使用幾個(gè)月后，也可能在幾年后，往往會(huì)造成經(jīng)濟(jì)上的重大損失。但是，電遷移的發(fā)生不僅同離子有關(guān)，它需要離子，電壓差，導(dǎo)體，傳輸通道，濕氣以及溫度等各種因素綜合作用，在長(zhǎng)期累積下產(chǎn)生的失效。隨著電子產(chǎn)品向小型化/集成化的發(fā)展，線路和層間間距越來越小，電遷移問題也日益受到關(guān)注。一旦發(fā)生電遷移會(huì)造成電子產(chǎn)品絕緣性能下降，甚至短路。所以，通過在樣品上施加各類綜合應(yīng)力來評(píng)估產(chǎn)品后期使用的電遷移風(fēng)險(xiǎn)就顯得異常重要。維柯表面絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)能幫助第三方實(shí)驗(yàn)室有效監(jiān)測(cè)，檢測(cè)。

線路板表面的每一種材料都有可能是電遷移產(chǎn)生的影響因素：無論是線路板材料和阻焊層、元器件的清潔度，還是制板工藝或組裝工藝產(chǎn)生的任何殘留物（包括助焊劑殘留物）。由于這種失效機(jī)制是動(dòng)態(tài)變化的，理想狀況是對(duì)每種設(shè)計(jì)和裝配都進(jìn)行測(cè)試。但這是不可行的。這就提出了一個(gè)問題：如何比較好地描述一個(gè)組件的電化學(xué)遷移傾向。表面電子組件的電化學(xué)遷移的發(fā)生機(jī)理取決于四個(gè)因素：銅、電壓、濕度和離子種類。當(dāng)環(huán)境中的濕氣在電路板上形成水滴時(shí)，能夠與表面上的任何離子相互作用，使離子沿著電路板表面移動(dòng)。離子與銅發(fā)生反應(yīng)，它們?cè)陔妷旱淖饔孟拢煌苿?dòng)著在銅電路之間遷移。這通常被總結(jié)為一系列步驟：水吸附、陽極金屬溶解或離子生成、離子積累、離子遷移到陰極和金屬枝晶狀生長(zhǎng)。在所用的電子化學(xué)品中，容易被忽視的是焊劑。

另一方面，工藝的優(yōu)化和控制可能會(huì)遺漏一些關(guān)鍵的失效來源。其次，由于組件處于生產(chǎn)過程中，無法實(shí)時(shí)收集結(jié)果。根據(jù)測(cè)試方法的不同，測(cè)試時(shí)間**少為72小時(shí)，**多為28天，這使得測(cè)試對(duì)于過程控制來說太長(zhǎng)了。從而促使制造商尋求能快速有效地表征電化學(xué)遷移傾向的測(cè)試方法，以控制組裝工藝。幾十年來，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)一直認(rèn)為SIR測(cè)試是比較好的方法。然而，在實(shí)踐中，這種方法有一些局限性。首先，它是在標(biāo)準(zhǔn)梳狀測(cè)試樣板上進(jìn)行的，而不是實(shí)際的組裝產(chǎn)品。根據(jù)不同的PCB表面處理、回流工藝條件、處理工序等，需要進(jìn)行**的測(cè)試設(shè)置。而且測(cè)試方法的選擇，可能需要組裝元器件，也可能不需要。由于和助焊劑分類有關(guān)，這些因素的標(biāo)準(zhǔn)化是區(qū)分可比較的助焊劑類別的關(guān)鍵。，由于起火事故往往破壞了PCB的原始狀態(tài)，所以有的即便是離子遷移故障也無法加以確定。湖南SIR和CAF表面絕緣電阻測(cè)試市場(chǎng)

離子污染導(dǎo)致異常的離子遷移，終導(dǎo)致產(chǎn)品失效，常見的是PCB板的腐蝕、短路等。海南離子遷移電阻測(cè)試系統(tǒng)

在有偏置電壓加載的情況下，一旦水凝結(jié)在測(cè)試樣品表面，有可能會(huì)造成表面樹枝狀晶體的失效。當(dāng)某些烤箱的空氣循環(huán)是從后到前的時(shí)候，也可能發(fā)現(xiàn)水分。凝結(jié)在冷凝器窗口上的水有可能形成非常細(xì)小的水滴**終掉落在樣品表面上。這樣可能造成樹枝狀晶體的生長(zhǎng)。這樣的情況必須被排除，確保能夠得到有意義的測(cè)試結(jié)果。雖然環(huán)境試驗(yàn)箱被要求能夠提供并記錄溫度為65±2℃或85±2℃、相對(duì)濕度為87+3/-2%RH的環(huán)境，其相對(duì)濕度的波動(dòng)時(shí)間越短越好，不允許超過5分鐘。保持測(cè)試樣品無污染，做好標(biāo)記，用無污染手套移動(dòng)樣品。做好預(yù)先準(zhǔn)備，防止短路和開路。清潔后連接導(dǎo)線，連接后再清潔。烘干，在105±2℃下烘烤6小時(shí)。進(jìn)行預(yù)處理，在中立環(huán)境下，保持23±2℃和50±5%的相對(duì)濕度至少24h。2、在該測(cè)試方法中相對(duì)濕度的嚴(yán)格控制是關(guān)鍵性的。5%的相對(duì)濕度偏差會(huì)造成電阻量測(cè)結(jié)果有0.5到1.0decade的偏差。海南離子遷移電阻測(cè)試系統(tǒng)