運算裝置3具備第1運算部31、第2運算部32、和第3運算部33。各運算部31、32、33例如分別由運算放大器構成。在本實施方式中，各運算部31～33具備正輸入端子、負輸入端子以及輸出端子，對兩個輸入端子間的差動放大進行運算。各運算部31～33分別具有固有的增益。各運算部31～33也可以作為緩沖器而發(fā)揮功能。在本實施方式中，第1運算部31在正輸入端子與磁傳感器11的傳感器信號s1p的輸出端子連接，在負輸入端子與磁傳感器12的傳感器信號s2m的輸出端子連接。第1運算部31對從各磁傳感器11、12輸入的傳感器信號s1p、s2m進行后述的運算，生成表示運算結(jié)果的第1運算信號so1。第1運算部31從輸出端子輸出第1運算信號so1。此外，第2運算部32在正輸入端子與磁傳感器11的傳感器信號s1m的輸出端子連接，在負輸入端子與磁傳感器12的傳感器信號s2p的輸出端子連接。第2運算部32對從各磁傳感器11、12輸入的傳感器信號s1m、s2p進行后述的運算，生成表示運算結(jié)果的第2運算信號so2。第2運算部32從輸出端子輸出第2運算信號so2。第3運算部33在正輸入端子與第1運算部31的輸出端子連接，在負輸入端子與第2運算部32的輸出端子連接。第3運算部33對從各運算部31、32輸入的運算信號so1、so2進行后述的運算。在霍爾元件平面的法線方向施加磁場（強度為B）。福州交直流電流傳感器廠家

    2倍的過載電流持續(xù)時間不得超過1分鐘。（2）電壓傳感器必須按產(chǎn)品說明在原邊串入一個限流電阻R1，以使原邊得到額定電流，在一般情況下，2倍的過壓持續(xù)時間不得超過1分鐘。（3）電流電壓傳感器的**佳精度是在原邊額定值條件下得到的，所以當被測電流高于電流傳感器的額定值時，應選用相應大的傳感器；當被測電壓高于電壓傳感器的額定值時，應重新調(diào)整限流電阻。當被測電流低于額定值1/2以下時，為了得到**佳精度，可以使用多繞圈數(shù)的辦法。（4）絕緣耐壓為3KV的傳感器可以長期正常工作在1KV及以下交流系統(tǒng)和，6KV的傳感器可以長期正常工作在2KV及以下交流系統(tǒng)和，注意不要超壓使用。（5）在要求得到良好動態(tài)特性的裝置上使用時，**好用單根銅鋁母排并與孔徑吻合，以大代小或多繞圈數(shù)，均會影響動態(tài)特性。（6）在大電流直流系統(tǒng)中使用時，因某種原因造成工作電源開路或故障，則鐵心產(chǎn)生較大剩磁，是值得注意的。剩磁影響精度。退磁的方法是不加工作電源，在原邊通一交流并逐漸減小其值。（7）傳感器抗外磁場能力為：距離傳感器5～10cm一個超過傳感器原邊電流值2倍的電流，所產(chǎn)生的磁場干擾可以抵抗。三相大電流布線時，相間距離應大于5～10cm。。蘇州充電樁檢測電流傳感器使用電流傳感器時需要注意以下事項。

    兩個磁傳感器11、12之中的一個磁傳感器11配置在與具有流過電流i的兩個流路21、22的匯流條2中的第2流路22相比更靠近第1流路21的位置。另一個磁傳感器12配置在與第1流路21相比更靠近第2流路22的位置。由此，在兩個磁傳感器11、12輸入彼此反相的信號磁場b1、b2，能夠使電流的檢測時的s/n(信號-噪聲)比良好。(實施方式2)在實施方式2中，關于具有根據(jù)溫度來調(diào)整輸出信號的功能的電流傳感器，利用圖7進行說明。圖7是表示實施方式2涉及的電流傳感器1a的結(jié)構的框圖。在本實施方式涉及的電流傳感器1a中，在與實施方式1的電流傳感器1同樣的結(jié)構中(參照圖2)，還具備溫度檢測部34、傳感器調(diào)整部35和運算調(diào)整部36。上述各部34、35、36例如設置于電流傳感器1a的運算裝置3a。溫度檢測部34例如是半導體溫度傳感器，對周圍的溫度進行檢測。溫度檢測部34的種類沒有特別限定，例如，可以使用熱敏電阻、熱電偶、線性正溫度系數(shù)電阻器、鉑測溫電阻體等。傳感器調(diào)整部35例如包含磁傳感器11、12的電源電壓vdd等的調(diào)整電路。根據(jù)傳感器調(diào)整部35，例如兩個磁傳感器11、12的磁電變換增益以及/或者偏移(或者中點電位)等被適當調(diào)整為在容許誤差的范圍內(nèi)相同。

    并基于所輸入的各信號來生成輸出信號sout。根據(jù)以上的電流傳感器1，第1以及第2運算部31、32雙方使用來自兩個磁傳感器11、12的傳感器信號s1p～s2m。由此，能夠確保在電流傳感器1中基于磁場來檢測電流i時的外部磁場耐性，降低外部磁場的影響。此外，在本實施方式中，磁傳感器11中的一個傳感器信號s1p具有另一個傳感器信號s1m越增大則越減少的增減傾向。磁傳感器12中的一個傳感器信號s2m具有傳感器信號s2p越增大則越減少的增減傾向。在本實施方式中，利用各磁傳感器11、12通過差動輸出而生成的傳感器信號s1p～s2m，能夠降低電流的檢測時的外部磁場的影響。此外，在本實施方式中，配置兩個磁傳感器11、12，使得在感測到彼此反相的信號磁場b1、b2的情況下，輸入到第1運算部31的第1傳感器信號(s1p)和第3傳感器信號(s2m)具有彼此相反的增減傾向。第1運算部31從傳感器信號s1p減去傳感器信號s2m。第2運算部32從傳感器信號s1m減去傳感器信號s2p。第3運算部33將第1運算信號so1以及第2運算信號so2進行差動放大來生成輸出信號sout。由此，在通過各運算部31～33的差動放大而輸出電流i的檢測結(jié)果時，能夠降低外部磁場的影響。此外，在本實施方式中。在霍爾元件控制電流端輸入被測電流。

在另一個輸入端子與磁傳感器12的傳感器信號s2m的輸出端子連接。第1運算部31a與實施方式1同樣地利用增益a1將所輸入的信號s1p、s2p相加來生成第1運算信號so1。第2運算部32a同樣地利用增益a2，將所輸入的信號s1m、s2m相加來生成第2運算信號so2。第3運算部33對第1以及第2運算信號so1、so2進行與實施方式1同樣的運算，算出輸出信號sout。由此，輸出信號sout與式(7a)同樣地算出。如以上那樣，在本變形例涉及的電流傳感器1c中，配置兩個磁傳感器11、12，使得在感測到反相的信號磁場b1、b2(參照圖4)的情況下，傳感器信號s1p和傳感器信號s2p具有相同的增減傾向。第1運算部31將傳感器信號s1p以及傳感器信號s2p相加。第2運算部32將傳感器信號s1m以及傳感器信號s2m相加。通過以上的電流傳感器1d，也能夠降低外部磁場所造成的影響。此外，在上述的各實施方式中，作為安裝電流傳感器1的導體的一例，對圖1的匯流條2進行了說明，但不特別限于此，也可以使用各種各樣的導體。關于流過電流傳感器1的檢測對象的電流的導體的變形例，利用圖11、12進行說明。圖11示出具有流過電流的兩個流路21、22的導體2a的變形例1。圖11示出了本變形例的導體2a的俯視圖。關于本變形例的導體2a，在長度方向。在寬范圍使用時要注意靈敏度溫度特性，使用適宜的電路，以確保傳感器的精度。濟南芯片式電流傳感器現(xiàn)貨

具有高精度、高靈敏度、高線性度等優(yōu)點，逐漸成為主流的電流傳感器。福州交直流電流傳感器廠家

    生成表示運算結(jié)果的輸出信號sout。第3運算部33將輸出信號sout作為電流傳感器1對電流i的檢測結(jié)果從輸出端子輸出。第3運算部33是本實施方式中的電流傳感器1的輸出部的一例。在本實施方式中，通過如以上那樣的兩個磁傳感器11、12和第1～第3運算部31～33的連接關系，使得容易確保電流傳感器1中的外部磁場耐性(詳情后述)。此外，兩個磁傳感器11、12和運算裝置3在如圖2所示的電流傳感器1中例如配置在同一封裝件內(nèi)。兩個磁傳感器11、12例如配置在一個集成芯片內(nèi)。通過將兩個磁傳感器11、12在同一芯片內(nèi)接近配置，從而能夠提高外部磁場在空間上不均勻的情況下的外部磁場耐性。進而，在電流傳感器1的周圍溫度存在梯度的情況下，能夠抑制相對于磁傳感器11、12間的溫度的磁電變換增益偏差，能夠提高外部磁場耐性。第1以及第2運算部31、32例如在電流傳感器1內(nèi)部在同一集成芯片內(nèi)接近配置。由此，在電流傳感器1的周圍溫度存在梯度的情況下，能夠抑制相對于第1以及第2運算部31、32間的溫度的增益偏差，能夠提高外部磁場耐性?？稍O想在磁傳感器11、12與運算裝置3之間存在環(huán)形布線的情況下，交流的外部磁場發(fā)生交鏈而產(chǎn)生電動勢，由此導致電流的檢測誤差。相對于此。福州交直流電流傳感器廠家

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