步驟2)中，靶材為銅靶，功率為7kw，電壓為520v，真空度為8.0e-6torr，鍍膜速度為6mm/s，氬氣流量為320sccm，制得的低發(fā)射率膜的厚度為200nm；3)反應(yīng)性濺鍍制備緩沖膜：在第三真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氮氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮化鉻，反應(yīng)生成的氮化鉻沉積在步驟2)制得的低發(fā)射率膜的外表面上形成緩沖膜；步驟3)中，靶材為鉻靶，功率為7kw，電壓為420v，真空度為8.0e-6torr，鍍膜速度為6mm/s，氬氣流量為240sccm，氮氣流量為43sccm，制得的緩沖膜的厚度為90nm；這種新型的基于銻化鎵的太陽能電池被組裝成堆棧式結(jié)構(gòu)。內(nèi)蒙古上打光太陽光譜模擬代理

根據(jù)本發(fā)明的實施例的模塊、單元中的任意多個、或其中任意多個的至少部分功能可以在一個模塊中實現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明實施例的模塊、單元中的任意一個或多個可以被拆分成多個模塊來實現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明實施例的模塊、單元中的任意一個或多個可以至少被部分地實現(xiàn)為硬件電路，例如現(xiàn)場可編程門陣列(fpga)、可編程邏輯陣列(pla)、片上系統(tǒng)、基板上的系統(tǒng)、封裝上的系統(tǒng)、**集成電路(asic)，或可以通過對電路進(jìn)行集成或封裝的任何其他的合理方式的硬件或固件來實現(xiàn)，或以軟件、硬件以及固件三種實現(xiàn)方式中任意一種或以其中任意幾種的適當(dāng)組合來實現(xiàn)?；蛘?，根據(jù)本發(fā)明實施例的模塊、單元中的一個或多個可以至少被部分地實現(xiàn)為計算機(jī)程序模塊，當(dāng)該計算機(jī)程序模塊被運行時，可以執(zhí)行相應(yīng)的功能。湖北上打光太陽光譜模擬工廠科學(xué)家們設(shè)計和建造了一種新型太陽能電池的原型，將多個電池堆疊到一個設(shè)備中。

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合具體實施例，并參照附圖，對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明實施例提出一種用于地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像的太陽光照補(bǔ)償值方法，該方法通過地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時刻及拍攝位置高程，計算拍攝時刻的太陽赤緯角、太陽時角、太陽高度角、太陽輻射強(qiáng)度、大氣光學(xué)質(zhì)量、直射輻射大氣透明度系數(shù)、直接輻射強(qiáng)度、散射輻射大氣透明度系數(shù)、散射輻射強(qiáng)度、太陽總輻照強(qiáng)度，實現(xiàn)對于不同日期、不同時間、不同地點拍攝的地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像的太陽光照補(bǔ)償值計算。

et(d，α，z)＝ed(d，α，z)+es(α，z)，(12)其中，ed(d，α，z)與es(α，z)可從操作s102中得出。s104，針對于不同拍攝日期、和/或不同拍攝時間、和/或拍攝位置對應(yīng)的所述地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像，計算各自對應(yīng)的太陽總輻照強(qiáng)度相互之間的差值，得到各個地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像之間的太陽光照補(bǔ)償值。從方程(12)可以看出，由于太陽高度角α(x，y，d，t)由遙感圖像中像素點坐標(biāo)值(x，y)、圖像拍攝時間在一年中的第d天和拍攝時間t決定，因此太陽總輻照強(qiáng)度et(d，α，z)由遙感圖像中像素點坐標(biāo)值(x，y)、(x，y)處的高程z，圖像拍攝時間在一年中的第d天和拍攝時間t決定，則et(x，y，z，d，t)≡et(d，α，z).(1)本申請?zhí)峁┝艘环N用于選擇性吸收太陽光譜的膜層的制備方法，包括以下依次進(jìn)行的步驟。

可選地，根據(jù)相對大氣光學(xué)質(zhì)量，計算直射輻射大氣透明度系數(shù)，并根據(jù)直射輻射大氣透明度系數(shù)，計算散射輻射大氣透明度系數(shù)，包括：根據(jù)τd(α，z)＝0.56×(e-0.56r(α，z)+e-0.096r(α，z))×k1，計算直射輻射大氣透明度系數(shù)，其中，τd(α，z)為直射輻射大氣透明度系數(shù)，k1為常系數(shù)，取值范圍通常為0.8≤k1≤0.9；根據(jù)τs(α，z)＝0.2710-0.2939×τd(α，z)，其中，τs(α，z)為散射輻射大氣透明度系數(shù)?？蛇x地，根據(jù)大氣層上界垂直入射時的太陽輻射強(qiáng)度、直射輻射大氣透明度系數(shù)和太陽高度角，計算太陽直接輻射強(qiáng)度，包括：根據(jù)ed(d，α，z)＝e(d)×τd(α，z)×sinα(x，y，d，t)計算太陽直接輻射強(qiáng)度ed(d，α，z)。為了得到高質(zhì)量的化合物薄膜，通常在濺鍍金屬靶時，通入與被濺射出的物質(zhì)反應(yīng)的氣體。山東AM1太陽光譜模擬報價

相對的，目前大部分常見太陽能電池只能將25%的可用能量轉(zhuǎn)換為電力。內(nèi)蒙古上打光太陽光譜模擬代理

經(jīng)檢測，本實施例1制備的膜層的吸收率為94％，比現(xiàn)有技術(shù)中膜層的吸收率提高了3％～9％；本申請制備的膜層的發(fā)射率為4％，比現(xiàn)有技術(shù)中膜層的發(fā)射率降低了3％～12％；膜層的附著力根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)要求測試，結(jié)果為1級；采用本申請制備的膜層的太陽能集熱器的熱效率為80.4％，比采用現(xiàn)有技術(shù)中膜層的太陽能集熱器的熱效率提高了6％～8.4％。本發(fā)明未詳盡描述的方法和裝置均為現(xiàn)有技術(shù)，不再贅述。本文中應(yīng)用了具體實施例對本發(fā)明的原理及實施方式進(jìn)行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其**思想。應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以對本發(fā)明進(jìn)行若干改進(jìn)和修飾，這些改進(jìn)和修飾也落入本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。內(nèi)蒙古上打光太陽光譜模擬代理

昊躍光學(xué)科技（蘇州）有限公司是一家光學(xué)鏡頭、天文望遠(yuǎn)鏡及配件的研發(fā)、組裝、銷售及相關(guān)技術(shù)服務(wù)；戶外用品的開發(fā)及銷售。（依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動）許可項目：貨物進(jìn)出口；進(jìn)出口代理；技術(shù)進(jìn)出口（依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動，具體經(jīng)營項目以審批結(jié)果為準(zhǔn)）一般項目：光學(xué)玻璃銷售；照相機(jī)及器材銷售；教學(xué)儀器銷售；光學(xué)儀器銷售；玻璃儀器銷售；燈具銷售；半導(dǎo)體照明器件銷售（除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目外，憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活動）的公司，是一家集研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)和銷售為一體的專業(yè)化公司。昊躍光學(xué)作為電子元器件的企業(yè)之一，為客戶提供良好的天文觀察濾光片，太陽光譜模擬濾光片，儀器用濾光片，望遠(yuǎn)鏡。昊躍光學(xué)繼續(xù)堅定不移地走高質(zhì)量發(fā)展道路，既要實現(xiàn)基本面穩(wěn)定增長，又要聚焦關(guān)鍵領(lǐng)域，實現(xiàn)轉(zhuǎn)型再突破。昊躍光學(xué)始終關(guān)注電子元器件行業(yè)。滿足市場需求，提高產(chǎn)品價值，是我們前行的力量。