場效應管的用途：一、場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。二、場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。三、場效應管可以用作可變電阻。四、場效應管可以方便地用作恒流源。五、場效應管可以用作電子開關。場效應管在電子應用中非常普遍，了解基礎知識之后我們接下來就可以運用它做一些電子開發(fā)了。場效應管是利用輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件。場效應管又是單極型晶體管，即導電過程中幾乎只有一種載流子運動，類似金屬導電。場效應管結(jié)構(gòu)簡單，易于集成，有助于電子設備的小型化、輕量化?；葜莅雽w場效應管廠家

作為電氣系統(tǒng)中的基本部件，工程師如何根據(jù)參數(shù)做出正確選擇呢？本文將討論如何通過四步來選擇正確的MOSFET。溝道的選擇。為設計選擇正確器件的頭一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中，當一個MOSFET接地，而負載連接到干線電 壓上時，該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開關。在低壓側(cè)開關中，應采用N溝道MOSFET，這是出于對關閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當MOSFET連接到 總線及負載接地時，就要用高壓側(cè)開關。通常會在這個拓撲中采用P溝道MOSFET，這也是出于對電壓驅(qū)動的考慮?；葜菰礃O場效應管廠家供應場效應管的開關速度快，適用于需要快速響應的電路系統(tǒng)中。

場效應管注意事項：（1）結(jié)型場效應管的柵源電壓不能接反，可以在開路狀態(tài)下保存，而絕緣柵型場效應管在不使用時，由于它的輸入電阻非常高，須將各電極短路，以免外電場作用而使管子損壞。（2）焊接時，電烙鐵外殼必須裝有外接地線，以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子。對于少量焊接，也可以將電烙鐵燒熱后拔下插頭或切斷電源后焊接。特別在焊接絕緣柵場效應管時，要按源極－漏極－柵極的先后順序焊接，并且要斷電焊接。（3）用25W電烙鐵焊接時應迅速，若用45～75W電烙鐵焊接，應用鑷子夾住管腳根部以幫助散熱。結(jié)型場效應管可用表電阻檔定性地檢查管子的質(zhì)量（檢查各PN結(jié)的正反向電阻及漏源之間的電阻值），而絕緣柵場效管不能用萬用表檢查，必須用測試儀，而且要在接入測試儀后才能去掉各電極短路線。取下時，則應先短路再取下，關鍵在于避免柵極懸空。

場效應管（Field-Effect Transistor，簡稱FET）是電子技術中普遍使用的一種半導體器件，具有高輸入阻抗、噪聲低和低功耗等優(yōu)點。場效應管的用途：一、場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。二、場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。三、場效應管可以用作可變電阻。四、場效應管可以方便地用作恒流源。五、場效應管可以用作電子開關。總結(jié)場效應管在電子應用中非常普遍，了解基礎知識之后我們接下來就可以運用它做一些電子開發(fā)了。場效應管有多種類型，如JFET、MOSFET等，滿足不同應用需求。

內(nèi)置MOSFET的IC當然 不用我們再考慮了，一般大于1A電流會考慮外置MOSFET.為了獲得到更大、更靈活的LED功率能力，外置MOSFET是獨一的選擇方式，IC需要合適 的驅(qū)動能力,MOSFET輸入電容是關鍵的參數(shù)。下圖Cgd和Cgs是MOSFET等效結(jié)電容。一般IC的PWM OUT輸出內(nèi)部集成了限流電阻，具體數(shù)值大小同IC的峰值驅(qū)動輸出能力有關，可以近似認為R=Vcc/Ipeak.一般結(jié)合IC驅(qū)動能力 Rg選擇在10-20Ω左右。一般的應用中IC的驅(qū)動可以直接驅(qū)動MOSFET，但是考慮到通常驅(qū)動走線不是直線，感量可能會更大,并且為了防止外部干擾，還是要使用Rg驅(qū)動電阻進行抑制.考慮到走線分布電容的影響,這個電阻要盡量靠近MOSFET的柵極。使用場效應管時，需要注意柵極電壓的控制范圍，以避免損壞器件。佛山MOS場效應管制造商

場效應管的響應速度快，可以實現(xiàn)高頻率的信號處理?；葜莅雽w場效應管廠家

如果GATE相對于BACKGATE反向偏置，空穴被吸引到表面，channel形成了，因此PMOS管的閾值電壓是負值。由于NMOS管的閾值電壓是正的，PMOS的閾值電壓是負的，所以工程師們通常會去掉閾值電壓前面的符號，一個工程師可能說，"PMOS Vt從0.6V上升到0.7V"， 實際上PMOS的Vt是從-0.6V下降到-0.7V。場效應管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。較普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應用場合取代了雙極型晶體管?；葜莅雽w場效應管廠家

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