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常州多晶硅金場(chǎng)效應(yīng)管

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-06-11

溝道增強(qiáng)型MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理:vGS對(duì)iD及溝道的控制作用① vGS=0 的情況,增強(qiáng)型MOS管的漏極d和源極s之間有兩個(gè)背靠背的PN結(jié)。當(dāng)柵——源電壓vGS=0時(shí),即使加上漏——源電壓vDS,而且不論vDS的極性如何,總有一個(gè)PN結(jié)處于反偏狀態(tài),漏——源極間沒有導(dǎo)電溝道,所以這時(shí)漏極電流iD≈0。② vGS>0 的情況,若vGS>0,則柵極和襯底之間的SiO2絕緣層中便產(chǎn)生一個(gè)電場(chǎng)。電場(chǎng)方向垂直于半導(dǎo)體表面的由柵極指向襯底的電場(chǎng)。這個(gè)電場(chǎng)能排斥空穴而吸引電子。排斥空穴:使柵極附近的P型襯底中的空穴被排斥,剩下不能移動(dòng)的受主離子(負(fù)離子),形成耗盡層。吸引電子:將 P型襯底中的電子(少子)被吸引到襯底表面。場(chǎng)效應(yīng)管在新能源汽車、物聯(lián)網(wǎng)、5G通信等新興領(lǐng)域具有巨大的創(chuàng)新應(yīng)用潛力。常州多晶硅金場(chǎng)效應(yīng)管

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SOA失效的預(yù)防措施:1:確保在較差條件下,MOSFET的所有功率限制條件均在SOA限制線以內(nèi)。2:將OCP功能一定要做精確細(xì)致。在進(jìn)行OCP點(diǎn)設(shè)計(jì)時(shí),一般可能會(huì)取1.1-1.5倍電流余量的工程師居多,然后就根據(jù)IC的保護(hù)電壓比如0.7V開始調(diào)試RSENSE電阻。有些有經(jīng)驗(yàn)的人會(huì)將檢測(cè)延遲時(shí)間、CISS對(duì)OCP實(shí)際的影響考慮在內(nèi)。但是此時(shí)有個(gè)更值得關(guān)注的參數(shù),那就是MOSFET的Td(off)。它到底有什么影響呢,我們看下面FLYBACK電流波形圖(圖形不是太清楚,十分抱歉,建議雙擊放大觀看)。電流波形在快到電流尖峰時(shí),有個(gè)下跌,這個(gè)下跌點(diǎn)后又有一段的上升時(shí)間,這段時(shí)間其本質(zhì)就是IC在檢測(cè)到過流信號(hào)執(zhí)行關(guān)斷后,MOSFET本身也開始執(zhí)行關(guān)斷,但是由于器件本身的關(guān)斷延遲,因此電流會(huì)有個(gè)二次上升平臺(tái),如果二次上升平臺(tái)過大,那么在變壓器余量設(shè)計(jì)不足時(shí),就極有可能產(chǎn)生磁飽和的一個(gè)電流沖擊或者電流超器件規(guī)格的一個(gè)失效。廣州金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管規(guī)格場(chǎng)效應(yīng)管的柵極電壓對(duì)其導(dǎo)電性能有明顯影響,通過調(diào)節(jié)柵極電壓可以控制電路的輸出。

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在要求輸入阻抗較高的場(chǎng)合使用時(shí),必須采取防潮措施,以免由于溫度影響使場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻降低。如果用四引線的場(chǎng)效應(yīng)管,其襯底引線應(yīng)接地。陶瓷封裝的芝麻管有光敏特性,應(yīng)注意避光使用。對(duì)于功率型場(chǎng)效應(yīng)管,要有良好的散熱條件。因?yàn)楣β市蛨?chǎng)效應(yīng)管在高負(fù)荷條件下運(yùn)用,必須設(shè)計(jì)足夠的散熱器,確保殼體溫度不超過額定值,使器件長期穩(wěn)定可靠地工作??傊_保場(chǎng)效應(yīng)管安全使用,要注意的事項(xiàng)是多種多樣,采取的安全措施也是各種各樣,廣大的專業(yè)技術(shù)人員,特別是廣大的電子愛好者,都要根據(jù)自己的實(shí)際情況出發(fā),采取切實(shí)可行的辦法,安全有效地用好場(chǎng)效應(yīng)管。

場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù):1、漏源擊穿電壓。漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能接受的較大漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù),加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS。2、較大耗散功率。較大耗散功率PDSM也是—項(xiàng)極限參數(shù),是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的較大漏源耗散功率。運(yùn)用時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)踐功耗應(yīng)小于PDSM并留有—定余量。3、較大漏源電流。較大漏源電流IDSM是另一項(xiàng)極限參數(shù),是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí),漏源間所允許經(jīng)過的較大電流。場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超越IDSM。場(chǎng)效應(yīng)管有多種類型,如JFET、MOSFET等,滿足不同應(yīng)用需求。

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場(chǎng)效應(yīng)管產(chǎn)品特性:(1)轉(zhuǎn)移特性:柵極電壓對(duì)漏極電流的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性。(2)輸出特性: UDS與ID的關(guān)系稱為輸出特性。(3)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的放大作用:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的放大作用一般指的是電壓放大作用。電氣特性:場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管在電氣特性方面的主要區(qū)別有以下幾點(diǎn):貼片場(chǎng)效應(yīng)管:1:場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件,管子的導(dǎo)電情況取決于柵極電壓的高低。晶體管是電流控制器件,管子的導(dǎo)電情況取決于基極電流的大小。 2:場(chǎng)效應(yīng)管漏源靜態(tài)伏安特性以柵極電壓UGS為參變量,晶體管輸出特性曲線以基極電流Ib 為參變量。3:場(chǎng)效應(yīng)管電流IDS與柵極UGS之間的關(guān)系由跨導(dǎo)Gm 決定,晶體管電流Ic與Ib 之間的關(guān)系由放大系數(shù)β決定。也就是說,場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力用Gm 衡量,晶體管的放大能力用β衡量。4:場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗很大,輸入電流極??;晶體管輸入阻抗很小,在導(dǎo)電時(shí)輸入電流較大。5:一般場(chǎng)效應(yīng)管功率較小,晶體管功率較大。場(chǎng)效應(yīng)管的體積小,適合集成在微型電子設(shè)備中。東莞N溝道場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)

確保場(chǎng)效應(yīng)管的散熱問題,提高其穩(wěn)定性和可靠性。常州多晶硅金場(chǎng)效應(yīng)管

MOS場(chǎng)效應(yīng)管,即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,英文縮寫為MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),屬于絕緣柵型。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,因此具有很高的輸入電阻(較高可達(dá)1015Ω)。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底(基板)與源極S接在一起。根據(jù)導(dǎo)電方式的不同,MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指:當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài),加上正確的VGS后,多數(shù)載流子被吸引到柵極,從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子,形成導(dǎo)電溝道。耗盡型則是指,當(dāng)VGS=0時(shí)即形成溝道,加上正確的VGS時(shí),能使多數(shù)載流子流出溝道,因而“耗盡”了載流子,使管子轉(zhuǎn)向截止。常州多晶硅金場(chǎng)效應(yīng)管