MOS管發(fā)熱情況有:1.電路設(shè)計(jì)的問(wèn)題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),而不是在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開(kāi)關(guān),G級(jí)電壓要比電源高幾V,才能完全導(dǎo)通,P-MOS則相反。沒(méi)有完全打開(kāi)而壓降過(guò)大造成功率消耗,等效直流阻抗比較大,壓降增大,所以U*I也增大,損耗就意味著發(fā)熱。這是設(shè)計(jì)電路的較忌諱的錯(cuò)誤。2.頻率太高,主要是有時(shí)過(guò)分追求體積,導(dǎo)致頻率提高,MOS管上的損耗增大了,所以發(fā)熱也加大了。3.沒(méi)有做好足夠的散熱設(shè)計(jì),電流太高,MOS管標(biāo)稱(chēng)的電流值,一般需要良好的散熱才能達(dá)到。所以ID小于較大電流,也可能發(fā)熱嚴(yán)重,需要足夠的輔助散熱片。4.MOS管的選型有誤,對(duì)功率判斷有誤,MOS管內(nèi)阻沒(méi)有充分考慮,導(dǎo)致開(kāi)關(guān)阻抗增大。在放大電路中,場(chǎng)效應(yīng)管可以起到線性放大的作用,輸出的信號(hào)與輸入信號(hào)成正比。高穩(wěn)定場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)量方法
Drain和backgate之間的PN結(jié)反向偏置,所以只有很小的電流從drain流向backgate,如果GATE電壓超過(guò)了閾值電壓,在GATE電介質(zhì)下就出現(xiàn)了channel。這個(gè)channel就像一薄層短接drain和source的N型硅,由電子組成的電流從source通過(guò)channel流到drain,總的來(lái)說(shuō),只有在gate 對(duì)source電壓V 超過(guò)閾值電壓Vt時(shí),才會(huì)有drain電流。在對(duì)稱(chēng)的MOS管中,對(duì)source和drain的標(biāo)注有一點(diǎn)任意性,定義上,載流子流出source,流入drain,因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來(lái)決定了。有時(shí)晶體管上的偏置電壓是不定的,兩個(gè)引線端就會(huì)互相對(duì)換角色,這種情況下,電路設(shè)計(jì)師必須指定一個(gè)是drain另一個(gè)是source。嘉興場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)商場(chǎng)效應(yīng)管的使用壽命與工作溫度、電壓應(yīng)力等因素有關(guān)。
雪崩失效分析(電壓失效),底什么是雪崩失效呢,簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間,導(dǎo)致的一種失效模式。簡(jiǎn)而言之就是由于就是MOSFET漏源極的電壓超過(guò)其規(guī)定電壓值并達(dá)到一定的能量限度而導(dǎo)致的一種常見(jiàn)的失效模式。下面的圖片為雪崩測(cè)試的等效原理圖,做為電源工程師可以簡(jiǎn)單了解下??赡芪覀兘?jīng)常要求器件生產(chǎn)廠家對(duì)我們電源板上的MOSFET進(jìn)行失效分析,大多數(shù)廠家都光給一個(gè)EAS.EOS之類(lèi)的結(jié)論,那么到底我們?cè)趺磪^(qū)分是否是雪崩失效呢,下面是一張經(jīng)過(guò)雪崩測(cè)試失效的器件圖,我們可以進(jìn)行對(duì)比從而確定是否是雪崩失效。
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET):1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi):結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式,它們是N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管也具有三個(gè)電極,它們是:柵極;漏極;源極。電路符號(hào)中柵極的箭頭方向可理解為兩個(gè)PN結(jié)的正向?qū)щ姺较颉?、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理(以N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例),N溝道結(jié)構(gòu)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號(hào),由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡,故PN基本上是不導(dǎo)電的,形成了所謂耗盡區(qū),當(dāng)漏極電源電壓ED一定時(shí),如果柵極電壓越負(fù),PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚,則漏、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄,漏極電流ID就愈??;反之,如果柵極電壓沒(méi)有那么負(fù),則溝道變寬,ID變大,所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化,就是說(shuō),場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件。場(chǎng)效應(yīng)管需遵循正確的電路連接方式,通常包括源極、柵極和漏極三個(gè)引腳,根據(jù)不同類(lèi)型選擇合適的偏置電壓。
MOS管開(kāi)關(guān)電路圖:頭一種應(yīng)用,由PMOS來(lái)進(jìn)行電壓的選擇,當(dāng)V8V存在時(shí),此時(shí)電壓全部由V8V提供,將PMOS關(guān)閉,VBAT不提供電壓給VSIN,而當(dāng)V8V為低時(shí),VSIN由8V供電。注意R120的接地,該電阻能將柵極電壓穩(wěn)定地拉低,確保PMOS的正常開(kāi)啟,這也是前文所描述的柵極高阻抗所帶來(lái)的狀態(tài)隱患。D9和D10的作用在于防止電壓的倒灌。D9可以省略。這里要注意到實(shí)際上該電路的DS接反,這樣由附生二極管導(dǎo)通導(dǎo)致了開(kāi)關(guān)管的功能不能達(dá)到,實(shí)際應(yīng)用要注意。場(chǎng)效應(yīng)管的主要優(yōu)勢(shì)之一是控制融合度相對(duì)較高。柵極場(chǎng)效應(yīng)管廠家供應(yīng)
基本場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)包括輸入電阻高、輸入電容低。高穩(wěn)定場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)量方法
在過(guò)渡層由于沒(méi)有電子、空穴的自由移動(dòng),在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性,通常電流也難流動(dòng)。但是此時(shí)漏極-源極間的電場(chǎng),實(shí)際上是兩個(gè)過(guò)渡層接觸漏極與門(mén)極下部附近,由于漂移電場(chǎng)拉去的高速電子通過(guò)過(guò)渡層。因漂移電場(chǎng)的強(qiáng)度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象。其次,VGS向負(fù)的方向變化,讓VGS=VGS(off),此時(shí)過(guò)渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài)。而且VDS的電場(chǎng)大部分加到過(guò)渡層上,將電子拉向漂移方向的電場(chǎng),只有靠近源極的很短部分,這更使電流不能流通。高穩(wěn)定場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)量方法