測試步驟:MOS管的檢測主要是判斷MOS管漏電、短路、斷路、放大。其步驟如下:假如有阻值沒被測MOS管有漏電現(xiàn)象。1、把連接?xùn)艠O和源極的電阻移開,萬用表紅黑筆不變,假如移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無限大,則MOS管漏電,不變則完好。2、然后一根導(dǎo)線把MOS管的柵極和源極連接起來,假如指針立刻返回?zé)o限大,則MOS完好。3、把紅筆接到MOS的源極S上,黑筆接到MOS管的漏極上,好的表針指示應(yīng)該是無限大。4、用一只100KΩ-200KΩ的電阻連在柵極和漏極上,然后把紅筆接到MOS的源極S上,黑筆接到MOS管的漏極上,這時表針指示的值一般是0,這時是下電荷通過這個電阻對MOS管的柵極充電,產(chǎn)生柵極電場,因為電場產(chǎn)生導(dǎo)致導(dǎo)電溝道致使漏極和源極導(dǎo)通,故萬用表指針偏轉(zhuǎn),偏轉(zhuǎn)的角度大,放電性越好。場效應(yīng)管有三種類型,分別是MOSFET、JFET和IGBT,它們各自具有不同的特性和應(yīng)用領(lǐng)域。源極場效應(yīng)管制造
Source和drain不同摻雜不同幾何形狀的就是非對稱MOS管,制造非對稱晶體管有很多理由,但所有的較終結(jié)果都是一樣的,一個引線端被優(yōu)化作為drain,另一個被優(yōu)化作為source,如果drain和source對調(diào),這個器件就不能正常工作了。晶體管有N型channel所有它稱為N-channel MOS管,或NMOS。P-channel MOS管也存在,是一個由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管。如果這個晶體管的GATE相對于BACKGATE正向偏置,電子就被吸引到表面,空穴就被排斥出表面。硅的表面就積累,沒有channel形成。中山增強(qiáng)型場效應(yīng)管哪家好場效應(yīng)管在靜態(tài)工作時功耗較低,有利于節(jié)能降耗。
靜態(tài)電特性:注①:Vgs(off)其實(shí)就是開啟電壓Vgs(th),只不過這里看的角度不一樣。注②:看完前文的讀者應(yīng)該知道為什么這里兩個Rds(on)大小有差異,不知道的回去前面重新看。動態(tài)點(diǎn)特性:注①:Ciss = Cgs + Cgd ;Coss = Cds ;Crss = Cgd;注②:MOS管開啟速度較主要關(guān)注的參數(shù)是Qg,也就是形成反型層需要的總電荷量!注③:接通/斷開延遲時間t d(on/off)、上升/下降時間tr / tf,各位工程時使用的時候請根據(jù)實(shí)際漏級電路ID,柵極驅(qū)動電壓Vg進(jìn)行判斷。
場效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,并以此命名,場效應(yīng)管[2]是常見的電子元件,屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(10^8~10^9Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)。場效應(yīng)晶體管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分別發(fā)明,但是實(shí)用的器件一直到1952年才被制造出來(結(jié)型場效應(yīng)管),1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,從而大部分代替了JFET,對電子行業(yè)的發(fā)展有著深遠(yuǎn)的意義。場效應(yīng)管在新能源汽車、物聯(lián)網(wǎng)、5G通信等新興領(lǐng)域具有巨大的創(chuàng)新應(yīng)用潛力。
場效應(yīng)管注意事項:(1)結(jié)型場效應(yīng)管的柵源電壓不能接反,可以在開路狀態(tài)下保存,而絕緣柵型場效應(yīng)管在不使用時,由于它的輸入電阻非常高,須將各電極短路,以免外電場作用而使管子損壞。(2)焊接時,電烙鐵外殼必須裝有外接地線,以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子。對于少量焊接,也可以將電烙鐵燒熱后拔下插頭或切斷電源后焊接。特別在焊接絕緣柵場效應(yīng)管時,要按源極-漏極-柵極的先后順序焊接,并且要斷電焊接。(3)用25W電烙鐵焊接時應(yīng)迅速,若用45~75W電烙鐵焊接,應(yīng)用鑷子夾住管腳根部以幫助散熱。結(jié)型場效應(yīng)管可用表電阻檔定性地檢查管子的質(zhì)量(檢查各PN結(jié)的正反向電阻及漏源之間的電阻值),而絕緣柵場效管不能用萬用表檢查,必須用測試儀,而且要在接入測試儀后才能去掉各電極短路線。取下時,則應(yīng)先短路再取下,關(guān)鍵在于避免柵極懸空?;緢鲂?yīng)管的特點(diǎn)包括輸入電阻高、輸入電容低。珠海半導(dǎo)體場效應(yīng)管批發(fā)
場效應(yīng)管在數(shù)字電子電路中的應(yīng)用日益普遍,可以用于高速通訊、計算機(jī)處理和控制系統(tǒng)中。源極場效應(yīng)管制造
LED 燈具的驅(qū)動。設(shè)計LED燈具的時候經(jīng)常要使用MOS管,對LED恒流驅(qū)動而言,一般使用NMOS。功率MOSFET和雙極型晶體管不同,它的柵極電容比較大,在導(dǎo)通之前要先對該電容充電,當(dāng)電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH)時MOSFET才開始導(dǎo)通。因此,設(shè)計時必須注意柵極驅(qū)動器負(fù)載能力必須足夠大,以保證在系統(tǒng)要求的時間內(nèi)完成對等效柵極電容(CEI)的充電。而MOSFET的開關(guān)速度和其輸入電容的充放電有很大關(guān)系。使用者雖然無法降低Cin的值,但可以降低柵極驅(qū)動回路信號源內(nèi)阻Rs的值,從而減小柵極回路 的充放電時間常數(shù),加快開關(guān)速度一般IC驅(qū)動能力主要體現(xiàn)在這里,我們談選擇MOSFET是指外置MOSFET驅(qū)動恒流IC。源極場效應(yīng)管制造