場(chǎng)效應(yīng)管由源極(Source)、漏極(Drain)和柵極(Gate)三個(gè)主要部分組成。在JFET中,柵極和通道之間通過PN結(jié)隔離;而在MOSFET中,柵極和通道之間由一層絕緣材料(通常是二氧化硅)隔離。當(dāng)在柵極施加適當(dāng)?shù)碾妷簳r(shí),會(huì)在柵極下方的半導(dǎo)體中形成一個(gè)導(dǎo)電溝道,從而控制漏極和源極之間的電流流動(dòng)。主要參數(shù)閾值電壓(Vth):使場(chǎng)效應(yīng)管開始導(dǎo)電的較小柵極電壓。閾值電壓是場(chǎng)效應(yīng)管從截止區(qū)(Cutoff Region)過渡到飽和區(qū)(Saturation Region)的臨界電壓。當(dāng)柵極-源極電壓(VGS)低于Vth時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管處于關(guān)閉狀態(tài),通道不導(dǎo)電;當(dāng)VGS超過Vth時(shí),通道形成,電流開始流動(dòng)。場(chǎng)效應(yīng)管可用于開關(guān)電路,實(shí)現(xiàn)電路的通斷控制,如電子開關(guān)、繼電器驅(qū)動(dòng)等。珠海源極場(chǎng)效應(yīng)管廠家供應(yīng)
雪崩失效分析(電壓失效),底什么是雪崩失效呢,簡(jiǎn)單來說MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間,導(dǎo)致的一種失效模式。簡(jiǎn)而言之就是由于就是MOSFET漏源極的電壓超過其規(guī)定電壓值并達(dá)到一定的能量限度而導(dǎo)致的一種常見的失效模式。下面的圖片為雪崩測(cè)試的等效原理圖,做為電源工程師可以簡(jiǎn)單了解下??赡芪覀兘?jīng)常要求器件生產(chǎn)廠家對(duì)我們電源板上的MOSFET進(jìn)行失效分析,大多數(shù)廠家都光給一個(gè)EAS.EOS之類的結(jié)論,那么到底我們?cè)趺磪^(qū)分是否是雪崩失效呢,下面是一張經(jīng)過雪崩測(cè)試失效的器件圖,我們可以進(jìn)行對(duì)比從而確定是否是雪崩失效。合肥場(chǎng)效應(yīng)管廠家精選在設(shè)計(jì)電路時(shí),應(yīng)根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的場(chǎng)效應(yīng)管類型,以實(shí)現(xiàn)較佳的性能和效果。
VMOS場(chǎng)效應(yīng)管,VMOS場(chǎng)效應(yīng)管(VMOSFET)簡(jiǎn)稱VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管,其全稱為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關(guān)器件。它不只繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高(≥108W)、驅(qū)動(dòng)電流?。ㄗ笥?.1μA左右),還具有耐壓高(較高可耐壓1200V)、工作電流大(1.5A~100A)、輸出功率高(1~250W)、跨導(dǎo)的線性好、開關(guān)速度快等優(yōu)良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身,因此在電壓放大器(電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍)、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得普遍應(yīng)用。
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET):1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的分類:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式,它們是N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管也具有三個(gè)電極,它們是:柵極;漏極;源極。電路符號(hào)中柵極的箭頭方向可理解為兩個(gè)PN結(jié)的正向?qū)щ姺较颉?、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理(以N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例),N溝道結(jié)構(gòu)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號(hào),由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡,故PN基本上是不導(dǎo)電的,形成了所謂耗盡區(qū),當(dāng)漏極電源電壓ED一定時(shí),如果柵極電壓越負(fù),PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚,則漏、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄,漏極電流ID就愈?。环粗?,如果柵極電壓沒有那么負(fù),則溝道變寬,ID變大,所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化,就是說,場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件。MOSFET有三個(gè)電極:柵極、漏極和源極。
導(dǎo)通電阻(R_DS(on)):場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通時(shí)的漏極與源極之間的電阻。它決定了電流通過器件時(shí)的壓降和功耗,較小的導(dǎo)通電阻意味著較低的功耗和較高的電流驅(qū)動(dòng)能力。較大漏極電流(I_D(max)):場(chǎng)效應(yīng)管能夠承受的較大電流,超過這個(gè)電流值可能會(huì)導(dǎo)致器件過熱、性能退化甚至長(zhǎng)久損壞。較大漏極-源極電壓(V_DS(max)):場(chǎng)效應(yīng)管能夠承受的較大電壓。超過這個(gè)電壓值可能會(huì)導(dǎo)致場(chǎng)效應(yīng)管的擊穿、熱損傷或其他形式的損壞。柵極電容(C_iss):柵極與漏極之間的輸入電容。它影響了信號(hào)的傳輸速度和開關(guān)過程中的電荷存儲(chǔ)。場(chǎng)效應(yīng)管在功率電子領(lǐng)域具有重要作用,如變頻器、逆變器等,提高電能轉(zhuǎn)換效率。珠海源極場(chǎng)效應(yīng)管廠家供應(yīng)
場(chǎng)效應(yīng)管還可以用于設(shè)計(jì)溫度傳感器、微波探測(cè)器和光電探測(cè)器等電子器件。珠海源極場(chǎng)效應(yīng)管廠家供應(yīng)
作為電氣系統(tǒng)中的基本部件,工程師如何根據(jù)參數(shù)做出正確選擇呢?本文將討論如何通過四步來選擇正確的MOSFET。溝道的選擇。為設(shè)計(jì)選擇正確器件的頭一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應(yīng)用中,當(dāng)一個(gè)MOSFET接地,而負(fù)載連接到干線電 壓上時(shí),該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中,應(yīng)采用N溝道MOSFET,這是出于對(duì)關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當(dāng)MOSFET連接到 總線及負(fù)載接地時(shí),就要用高壓側(cè)開關(guān)。通常會(huì)在這個(gè)拓?fù)渲胁捎肞溝道MOSFET,這也是出于對(duì)電壓驅(qū)動(dòng)的考慮。珠海源極場(chǎng)效應(yīng)管廠家供應(yīng)