內置MOSFET的IC當然 不用我們再考慮了,一般大于1A電流會考慮外置MOSFET.為了獲得到更大、更靈活的LED功率能力,外置MOSFET是獨一的選擇方式,IC需要合適 的驅動能力,MOSFET輸入電容是關鍵的參數(shù)。下圖Cgd和Cgs是MOSFET等效結電容。一般IC的PWM OUT輸出內部集成了限流電阻,具體數(shù)值大小同IC的峰值驅動輸出能力有關,可以近似認為R=Vcc/Ipeak.一般結合IC驅動能力 Rg選擇在10-20Ω左右。一般的應用中IC的驅動可以直接驅動MOSFET,但是考慮到通常驅動走線不是直線,感量可能會更大,并且為了防止外部干擾,還是要使用Rg驅動電阻進行抑制.考慮到走線分布電容的影響,這個電阻要盡量靠近MOSFET的柵極。場效應管有三種類型,分別是MOSFET、JFET和IGBT,它們各自具有不同的特性和應用領域。深圳小噪音場效應管現(xiàn)貨直發(fā)
合理的熱設計余量,這個就不多說了,各個企業(yè)都有自己的降額規(guī)范,嚴格執(zhí)行就可以了,不行就加散熱器。MOSFET發(fā)熱原因分析,做電源設計,或者做驅動方面的電路,難免要用到MOS管。MOS管有很多種類,也有很多作用。做電源或者驅動的使用,當然就是用它的開關作用。無論N型或者P型MOS管,其工作原理本質是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性,不會發(fā)生像三極管做開關時的因基極電流引起的電荷存儲效應,因此在開關應用中,MOS管的開關速度應該比三極管快。東莞MOS場效應管制造商選擇場效應管時,應考慮其耐壓、耐流等參數(shù),以確保其在工作環(huán)境中能夠穩(wěn)定可靠地運行。
在要求輸入阻抗較高的場合使用時,必須采取防潮措施,以免由于溫度影響使場效應管的輸入電阻降低。如果用四引線的場效應管,其襯底引線應接地。陶瓷封裝的芝麻管有光敏特性,應注意避光使用。對于功率型場效應管,要有良好的散熱條件。因為功率型場效應管在高負荷條件下運用,必須設計足夠的散熱器,確保殼體溫度不超過額定值,使器件長期穩(wěn)定可靠地工作??傊_保場效應管安全使用,要注意的事項是多種多樣,采取的安全措施也是各種各樣,廣大的專業(yè)技術人員,特別是廣大的電子愛好者,都要根據自己的實際情況出發(fā),采取切實可行的辦法,安全有效地用好場效應管。
計算導通損耗。MOSFET器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計算,由于導通電阻隨溫度變化,因此功率耗損也會隨之按比例變化。對便攜 式設計來說,采用較低的電壓比較容易(較為普遍),而對于工業(yè)設計,可采用較高的電壓。注意RDS(ON)電阻會隨著電流輕微上升。關于RDS(ON)電 阻的各種電氣參數(shù)變化可在制造商提供的技術資料表中查到。計算系統(tǒng)的散熱要求。設計人員必須考慮兩種不同的情況,即較壞情況和真實情況。建議采用針對較壞情況的計算結果,因為這個結果提供更大的安全余量,能 確保系統(tǒng)不會失效。在MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測量數(shù)據;比如封裝器件的半導體結與環(huán)境之間的熱阻,以及較大的結溫。開關損耗其實也是一個很重要的指標。從下圖可以看到,導通瞬間的電壓電流乘積相當大。一定程度上決定了器件的開關性能。不過,如果系統(tǒng)對開關性能要求比較高,可以選擇柵極電荷QG比較小的功率MOSFET。場效應管還具有低輸出阻抗,可以提供較大的輸出電流。
現(xiàn)在的高清、液晶、等離子電視機中開關電源部分除了采用了PFC技術外,在元器件上的開關管均采用性能優(yōu)異的MOS管取代過去的大功率晶體三極管,使整機的效率、可靠較大程度上提高,故障率大幅的下降。MOS管和大功率晶體三極管在結構、特性有著本質上的區(qū)別,所以在應用上,它的驅動電路比晶體三極管復雜。所有的FET都有柵極(gate)、漏極(drain)、源極(source)三個端,分別大致對應雙極性晶體管的基極(base)、集電極(collector)和發(fā)射極(emitter)。場效應管在電子設備中扮演著關鍵角色。廣州金屬半導體場效應管
場效應管具有較長的使用壽命,可靠性高,降低了設備的維護成本。深圳小噪音場效應管現(xiàn)貨直發(fā)
靜態(tài)電特性:注①:Vgs(off)其實就是開啟電壓Vgs(th),只不過這里看的角度不一樣。注②:看完前文的讀者應該知道為什么這里兩個Rds(on)大小有差異,不知道的回去前面重新看。動態(tài)點特性:注①:Ciss = Cgs + Cgd ;Coss = Cds ;Crss = Cgd;注②:MOS管開啟速度較主要關注的參數(shù)是Qg,也就是形成反型層需要的總電荷量!注③:接通/斷開延遲時間t d(on/off)、上升/下降時間tr / tf,各位工程時使用的時候請根據實際漏級電路ID,柵極驅動電壓Vg進行判斷。深圳小噪音場效應管現(xiàn)貨直發(fā)