場效應管由源極(Source)、漏極(Drain)和柵極(Gate)三個主要部分組成。在JFET中,柵極和通道之間通過PN結隔離;而在MOSFET中,柵極和通道之間由一層絕緣材料(通常是二氧化硅)隔離。當在柵極施加適當?shù)碾妷簳r,會在柵極下方的半導體中形成一個導電溝道,從而控制漏極和源極之間的電流流動。主要參數(shù)閾值電壓(Vth):使場效應管開始導電的較小柵極電壓。閾值電壓是場效應管從截止區(qū)(Cutoff Region)過渡到飽和區(qū)(Saturation Region)的臨界電壓。當柵極-源極電壓(VGS)低于Vth時,場效應管處于關閉狀態(tài),通道不導電;當VGS超過Vth時,通道形成,電流開始流動。場效應管也可以用作開關,可以控制電路的通斷。上海雙柵極場效應管現(xiàn)貨直發(fā)
對于開關頻率小于100kHz的信號一般?。?00~500)kHz載波頻率較好,變壓器選用較高磁導如5K、7K等高頻環(huán)形磁芯,其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好。這種驅動電路只適合于信號頻率小于100kHz的場合,因信號頻率相對載波頻率太高的話,相對延時太多,且所需驅動功率增大,UC3724和UC3725芯片發(fā)熱溫升較高,故100kHz以上開關頻率只對較小極電容的MOSFET才可以。對于1kVA左右開關頻率小于100kHz的場合,它是一種良好的驅動電路。該電路具有以下特點:單電源工作,控制信號與驅動實現(xiàn)隔離,結構簡單尺寸較小,尤其適用于占空比變化不確定或信號頻率也變化的場合。無錫漏極場效應管廠家場效應管具有較高的耐熱性能,適用于高溫環(huán)境。
場效應管主要參數(shù):1、漏源擊穿電壓。漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時,場效應管正常工作所能接受的較大漏源電壓。這是一項極限參數(shù),加在場效應管上的工作電壓必須小于BUDS。2、較大耗散功率。較大耗散功率PDSM也是—項極限參數(shù),是指場效應管性能不變壞時所允許的較大漏源耗散功率。運用時場效應管實踐功耗應小于PDSM并留有—定余量。3、較大漏源電流。較大漏源電流IDSM是另一項極限參數(shù),是指場效應管正常工作時,漏源間所允許經(jīng)過的較大電流。場效應管的工作電流不應超越IDSM。
本文介紹N溝道增強型MOSFET場效應管;(1)結構,在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上,制作兩個高摻雜濃度的N+區(qū),并用金屬鋁引出兩個電極,分別作漏極d和源極s。然后在半導體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層,在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個鋁電極,作為柵極g。襯底上也引出一個電極B,這就構成了一個N溝道增強型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數(shù)管子在出廠前已連接好)。它的柵極與其它電極間是絕緣的。確保場效應管的散熱問題,提高其穩(wěn)定性和可靠性。
下面對MOS失效的原因總結以下六點,然后對1,2重點進行分析:1:雪崩失效(電壓失效),也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓,并且超過達到了一定的能力從而導致MOSFET失效。2:SOA失效(電流失效),既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效,分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大,損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。3:體二極管失效:在橋式、LLC等有用到體二極管進行續(xù)流的拓撲結構中,由于體二極管遭受破壞而導致的失效。4:諧振失效:在并聯(lián)使用的過程中,柵極及電路寄生參數(shù)導致震蕩引起的失效。5:靜電失效:在秋冬季節(jié),由于人體及設備靜電而導致的器件失效。6:柵極電壓失效:由于柵極遭受異常電壓尖峰,而導致柵極柵氧層失效。場效應管是一種半導體器件,可以控制電流的流動。上海雙柵極場效應管現(xiàn)貨直發(fā)
IGBT結合了場效應管和雙極晶體管的優(yōu)點,適用于高電壓和高頻率的場合。上海雙柵極場效應管現(xiàn)貨直發(fā)
Drain和backgate之間的PN結反向偏置,所以只有很小的電流從drain流向backgate,如果GATE電壓超過了閾值電壓,在GATE電介質下就出現(xiàn)了channel。這個channel就像一薄層短接drain和source的N型硅,由電子組成的電流從source通過channel流到drain,總的來說,只有在gate 對source電壓V 超過閾值電壓Vt時,才會有drain電流。在對稱的MOS管中,對source和drain的標注有一點任意性,定義上,載流子流出source,流入drain,因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來決定了。有時晶體管上的偏置電壓是不定的,兩個引線端就會互相對換角色,這種情況下,電路設計師必須指定一個是drain另一個是source。上海雙柵極場效應管現(xiàn)貨直發(fā)