與雙極型晶體管相比,場效應(yīng)管具有如下特點。(1)場效應(yīng)管是電壓控制器件,它通過VGS(柵源電壓)來控制ID(漏極電流);(2)場效應(yīng)管的控制輸入端電流極小,因此它的輸入電阻(107~1012Ω)很大。(3)它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,因此它的溫度穩(wěn)定性較好;(4)它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù);(5)場效應(yīng)管的抗輻射能力強;(6)由于它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲,所以噪聲低。使用場效應(yīng)管時需注意靜電防護,防止損壞敏感的柵極?;葜萁饘賵鲂?yīng)管現(xiàn)貨直發(fā)
MOS管發(fā)熱情況有:1.電路設(shè)計的問題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個原因。如果N-MOS做開關(guān),G級電壓要比電源高幾V,才能完全導(dǎo)通,P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗,等效直流阻抗比較大,壓降增大,所以U*I也增大,損耗就意味著發(fā)熱。這是設(shè)計電路的較忌諱的錯誤。2.頻率太高,主要是有時過分追求體積,導(dǎo)致頻率提高,MOS管上的損耗增大了,所以發(fā)熱也加大了。3.沒有做好足夠的散熱設(shè)計,電流太高,MOS管標(biāo)稱的電流值,一般需要良好的散熱才能達(dá)到。所以ID小于較大電流,也可能發(fā)熱嚴(yán)重,需要足夠的輔助散熱片。4.MOS管的選型有誤,對功率判斷有誤,MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮,導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大?;葜軲OS場效應(yīng)管參數(shù)場效應(yīng)管的使用方法需要注意輸入電壓和功率的限制,避免損壞器件。
結(jié)型場效應(yīng)管(JFET):1、結(jié)型場效應(yīng)管的分類:結(jié)型場效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式,它們是N溝道結(jié)型場效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場效應(yīng)管。結(jié)型場效應(yīng)管也具有三個電極,它們是:柵極;漏極;源極。電路符號中柵極的箭頭方向可理解為兩個PN結(jié)的正向?qū)щ姺较颉?、結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理(以N溝道結(jié)型場效應(yīng)管為例),N溝道結(jié)構(gòu)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號,由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡,故PN基本上是不導(dǎo)電的,形成了所謂耗盡區(qū),當(dāng)漏極電源電壓ED一定時,如果柵極電壓越負(fù),PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚,則漏、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄,漏極電流ID就愈??;反之,如果柵極電壓沒有那么負(fù),則溝道變寬,ID變大,所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化,就是說,場效應(yīng)管是電壓控制元件。
場效應(yīng)管應(yīng)用場景:電路主電源開關(guān),完全切斷,低功耗省電。大功率負(fù)載供電開關(guān),如:電機,太陽能電池充電\放電,電動車電池充電逆變器SPWM波升壓部分功率電路;功放,音響的功率線性放大電路;數(shù)字電路中用于電平信號轉(zhuǎn)換;開關(guān)電源中,高頻大功率狀態(tài);用于LED燈的恒流驅(qū)動電路;汽車、電力、通信、工業(yè)控制、家用電器等。MOS管G、S、D區(qū)分以及電流流向。MOS管G、S、D表示什么?G:gate 柵極S:source 源極D:drain 漏極。MOS管是金屬(Metal)—氧化物(Oxid)—半導(dǎo)體(Semiconductor)場效應(yīng)晶體管。市面上常有的一般為N溝道和P溝道。N溝道的電源一般接在D,輸出S,P溝道的電源一般接在S,輸出D。MOSFET是最常見的場效應(yīng)管,其優(yōu)勢在于高輸入電阻和低功耗。
MOSFET的作用如下:1.可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。2.很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。3.可以用作可變電阻。4.可以方便地用作恒流源。5.可以用作電子開關(guān)。6.在電路設(shè)計上的靈活性大。柵偏壓可正可負(fù)可零,三極管只能在正向偏置下工作,電子管只能在負(fù)偏壓下工作。另外輸入阻抗高,可以減輕信號源負(fù)載,易于跟前級匹配。場效應(yīng)管的主要作用是在電路中放大或開關(guān)信號,用于控制電流或電壓。佛山小噪音場效應(yīng)管價格
場效應(yīng)管利用電場控制載流子的流動,通過改變柵極電壓,控制源極和漏極之間的電流。惠州金屬場效應(yīng)管現(xiàn)貨直發(fā)
MOS管參數(shù):功率MOSFET的一定較大額定值:注①:漏源較大電壓VDSS,可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值,故只有一個方向。注②:柵源較大電壓VGSS,即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓,由于柵極與P型半導(dǎo)體襯底中加了SiO2絕緣層,只要電壓一定值超過絕緣層耐壓均會擊穿,故有兩個方向“±”。注③:漏級較大電流ID與體二極管流過的反向漏級較大電流IDR(或稱為IS)一般規(guī)格書中數(shù)值一致,均為流過N型半導(dǎo)體與P型半導(dǎo)體襯底形成的PN結(jié)的較大電流。注④:ID(pulse)需要看施加電流的脈沖寬度,脈寬不一致的不能沿用規(guī)格書數(shù)據(jù)。注⑤:雪崩電流IAP同樣需要關(guān)注脈沖寬度?;葜萁饘賵鲂?yīng)管現(xiàn)貨直發(fā)