早期的二極管包含“貓須晶體（"Cat's Whisker" Crystals）”以及真空管(英國稱為“熱游離閥（Thermionic Valves）”)?，F(xiàn)今較普遍的二極管大多是使用半導體材料如硅或鍺。正向性，外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區(qū)。這個不能使二極管導通的正向電壓稱為死區(qū)電壓。當正向電壓大于死區(qū)電壓以后，PN結(jié)內(nèi)電場被克服，二極管正向?qū)ǎ娏麟S電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內(nèi)，導通時二極管的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為二極管的正向電壓。二極管技術(shù)不斷發(fā)展，涌現(xiàn)出多種類型和應用領(lǐng)域，為電子工程師提供更多選擇。深圳阻尼二極管制造商

下面對二極管伏安特性曲線加以說明：正向特性，二極管兩端加正向電壓時，就產(chǎn)生正向電流，當正向電壓較小時，正向電流極?。◣缀鯙榱悖@一部分稱為死區(qū)，相應的A（A′）點的電壓稱為死區(qū)電壓或門檻電壓（也稱閾值電壓），硅管約為0.5V，鍺管約為0.1V，如圖中OA（OA′）段。當正向電壓超過門檻電壓時，正向電流就會急劇地增大，二極管呈現(xiàn)很小電阻而處于導通狀態(tài)。這時硅管的正向?qū)▔航导s為0.6~0.7V，鍺管約為0.2~0.3V，如圖中AB（A′B′）段。二極管正向?qū)〞r，要特別注意它的正向電流不能超過較大值，否則將燒壞PN結(jié)。深圳阻尼二極管制造商二極管在逆向電壓下要避免擊穿，以防損壞器件。

發(fā)光二極管，施加正向偏置，可以發(fā)光的二極管。由發(fā)光種類與特性又有紅外線二極管、各種顏色的可見光二極管、紫外線二極管等。激光二極管，當LED產(chǎn)生的光是帶寬極窄的同調(diào)光（Coherent Light）時，則稱為激光二極管。光電二極管，光線射入PN結(jié)，P區(qū)空穴、N區(qū)電子大量發(fā)生，產(chǎn)生電壓（光電效應）。借由測量此電壓或電流，可作為光感應器使用。有PN、PIN、肖特基、APD等類型。太陽電池也是利用此種效應。隧道二極管（Tunnel Diode）、江崎二極管（Esaki Diode）、透納二極管，由日本人江崎玲于奈于1957年發(fā)明。是利用量子穿隧效應的作用，會出現(xiàn)在一定偏置范圍內(nèi)正向電壓增加時流通的電流量反而減少的“負電阻”的現(xiàn)象。這是較能耐受核輻射的半導體二極管。

半導體二極管的非線性電流-電壓特性，可以根據(jù)選擇不同的半導體材料和摻雜不同的雜質(zhì)從而形成雜質(zhì)半導體來改變。特性改變后的二極管在使用上除了用做開關(guān)的方式之外，還有很多其他的功能，如：用來調(diào)節(jié)電壓（齊納二極管），限制高電壓從而保護電路（雪崩二極管），無線電調(diào)諧（變?nèi)荻O管），產(chǎn)生射頻振蕩（隧道二極管、耿氏二極管、IMPATT二極管）以及產(chǎn)生光（發(fā)光二極管）。半導體二極管中，有利用P型和N型兩種半導體接合面的PN結(jié)效應，也有利用金屬與半導體接合產(chǎn)生的肖特基效應達到整流作用的類型。若是PN結(jié)型的二極管，在P型側(cè)就是陽極，N型側(cè)則是陰極。二極管是一種電子器件，具有單向?qū)щ娦?，可用于整流、開關(guān)和信號調(diào)節(jié)等應用。

二極管是否損壞如何判斷：（1）極性的判別，將萬用表置于R×100檔或R×1k檔，兩表筆分別接二極管的兩個電極，測出一個結(jié)果后，對調(diào)兩表筆，再測出一個結(jié)果。兩次測量的結(jié)果中，有一次測量出的阻值較大（為反向電阻），一次測量出的阻值較小（為正向電阻）。在阻值較小的一次測量中，黑表筆接的是二極管的正極，紅表筆接的是二極管的負極。溫度對二極管的性能有較大的影響，溫度升高時，反向電流將呈指數(shù)規(guī)律增加，如硅二極管溫度每增加8℃，反向電流將約增加一倍；鍺二極管溫度每增加12℃，反向電流大約增加一倍。另外，溫度升高時，二極管的正向壓降將減小，每增加1℃，正向壓降VD大約減小2 mV，即具有負的溫度系數(shù)。部分特殊用途的二極管，如肖特基二極管，具有低壓降和快速恢復的特點。中山家用電器二極管參數(shù)

二極管的整流作用可將交流轉(zhuǎn)化為直流。深圳阻尼二極管制造商

反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價鍵結(jié)構(gòu)，使價電子脫離共價鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。雪崩擊穿，另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數(shù)值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產(chǎn)生新的電子-空穴對。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對其電流不加限制，都可能造成PN結(jié)長久性損壞。深圳阻尼二極管制造商