N溝道耗盡型MOSFET場效應管的基本結構:a.結構:N溝道耗盡型MOS管與N溝道增強型MOS管基本相似。b.區(qū)別:耗盡型MOS管在vGS=0時,漏——源極間已有導電溝道產生,而增強型MOS管要在vGS≥VT時才出現(xiàn)導電溝道。c.原因:制造N溝道耗盡型MOS管時,在SiO2絕緣層中摻入了大量的堿金屬正離子Na+或K+(制造P溝道耗盡型MOS管時摻入負離子),如圖1(a)所示,因此即使vGS=0時,在這些正離子產生的電場作用下,漏——源極間的P型襯底表面也能感應生成N溝道(稱為初始溝道),只要加上正向電壓vDS,就有電流iD。 如果加上正的vGS,柵極與N溝道間的電場將在溝道中吸引來更多的電子,溝道加寬,溝道電阻變小,iD增大。反之vGS為負時,溝道中感應的電子減少,溝道變窄,溝道電阻變大,iD減小。當vGS負向增加到某一數(shù)值時,導電溝道消失,iD趨于零,管子截止,故稱為耗盡型。溝道消失時的柵-源電壓稱為夾斷電壓,仍用VP表示。與N溝道結型場效應管相同,N溝道耗盡型MOS管的夾斷電壓VP也為負值,但是,前者只能在vGS<0的情況下工作。而后者在vGS=0,vGS>0JFET是一種可用作功率放大器或開關的場效應管。深圳耗盡型場效應管市場價格
結型場效應管(JFET):1、結型場效應管的分類:結型場效應管有兩種結構形式,它們是N溝道結型場效應管和P溝道結型場效應管。結型場效應管也具有三個電極,它們是:柵極;漏極;源極。電路符號中柵極的箭頭方向可理解為兩個PN結的正向導電方向。2、結型場效應管的工作原理(以N溝道結型場效應管為例),N溝道結構型場效應管的結構及符號,由于PN結中的載流子已經耗盡,故PN基本上是不導電的,形成了所謂耗盡區(qū),當漏極電源電壓ED一定時,如果柵極電壓越負,PN結交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚,則漏、源極之間導電的溝道越窄,漏極電流ID就愈??;反之,如果柵極電壓沒有那么負,則溝道變寬,ID變大,所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化,就是說,場效應管是電壓控制元件。深圳耗盡型場效應管市場價格MOSFET通過柵極與源極電壓調節(jié),是現(xiàn)代電子器件中常見的元件。
MOSFET的特性和作用:MOS管導作用,MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的,由于SiO2絕緣層的存在,在柵極G和源極S之間等效是一個電容存在,電壓VGS產生電場從而導致源source和drain是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。目前在市場應用方面,排名頭一的是消費類電子電源適配器產品。而MOS管的應用領域排名第二的是計算機主板、NB、計算機類適配器、LCD顯示器等產品,隨著國情的發(fā)展計算機主板、計算機類適配器、LCD顯示器對MOS管的需求有要超過消費類電子電源適配器的現(xiàn)象了。第三的就屬網絡通信、工業(yè)控制、汽車電子以及電力設備領域了,這些產品對于MOS管的需求也是很大的,特別是現(xiàn)在汽車電子對于MOS管的需求直追消費類電子了。
溝道增強型MOSFET場效應管的工作原理:vGS對iD及溝道的控制作用① vGS=0 的情況,增強型MOS管的漏極d和源極s之間有兩個背靠背的PN結。當柵——源電壓vGS=0時,即使加上漏——源電壓vDS,而且不論vDS的極性如何,總有一個PN結處于反偏狀態(tài),漏——源極間沒有導電溝道,所以這時漏極電流iD≈0。② vGS>0 的情況,若vGS>0,則柵極和襯底之間的SiO2絕緣層中便產生一個電場。電場方向垂直于半導體表面的由柵極指向襯底的電場。這個電場能排斥空穴而吸引電子。排斥空穴:使柵極附近的P型襯底中的空穴被排斥,剩下不能移動的受主離子(負離子),形成耗盡層。吸引電子:將 P型襯底中的電子(少子)被吸引到襯底表面。MOSFET在數(shù)字電路、功率放大器等領域普遍應用。
場效應管主要參數(shù):一、飽和漏源電流。飽和漏源電流IDSS:是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,柵極電壓UGS=0時的漏源電流。二、夾斷電壓,夾斷電壓Up是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,使漏源間剛截止時的柵極電壓。三、開啟電壓。開啟電壓UT是指加強型絕緣柵場效應管中,使漏源間剛導通時的柵極電壓。四、跨導??鐚m是表示柵源電壓UGS對漏極電流ID的控制才能,即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gm是權衡場效應管放大才能的重要參數(shù)。確保場效應管的散熱問題,提高其穩(wěn)定性和可靠性。徐州源極場效應管
場效應管是一種半導體器件,通過外部電場調節(jié)電導。深圳耗盡型場效應管市場價格
SOA失效的預防措施:1:確保在較差條件下,MOSFET的所有功率限制條件均在SOA限制線以內。2:將OCP功能一定要做精確細致。在進行OCP點設計時,一般可能會取1.1-1.5倍電流余量的工程師居多,然后就根據(jù)IC的保護電壓比如0.7V開始調試RSENSE電阻。有些有經驗的人會將檢測延遲時間、CISS對OCP實際的影響考慮在內。但是此時有個更值得關注的參數(shù),那就是MOSFET的Td(off)。它到底有什么影響呢,我們看下面FLYBACK電流波形圖(圖形不是太清楚,十分抱歉,建議雙擊放大觀看)。電流波形在快到電流尖峰時,有個下跌,這個下跌點后又有一段的上升時間,這段時間其本質就是IC在檢測到過流信號執(zhí)行關斷后,MOSFET本身也開始執(zhí)行關斷,但是由于器件本身的關斷延遲,因此電流會有個二次上升平臺,如果二次上升平臺過大,那么在變壓器余量設計不足時,就極有可能產生磁飽和的一個電流沖擊或者電流超器件規(guī)格的一個失效。深圳耗盡型場效應管市場價格