江崎二極管，阻尼二極管又稱(chēng)隧道二極管、穿隧效應(yīng)二極管、穿隧二極管、透納二極管，英文名稱(chēng)為T(mén)unnel Diode，它是一種可以高速切換的半導(dǎo)體二極管，其切換速度可到達(dá)微波頻率的范圍，其原理是利用量子穿隧效應(yīng)。它是以隧道效應(yīng)電流為主要電流分量的晶體二極管。江崎二極管是采用砷化鎵（GaAs）和銻化鎵（GaSb）等材料混合制成的半導(dǎo)體二極管，其優(yōu)點(diǎn)是開(kāi)關(guān)特性好，速度快、工作頻率高；缺點(diǎn)是熱穩(wěn)定性較差。一般應(yīng)用于某些開(kāi)關(guān)電路或高頻振蕩等電路中。二極管的原理是基于PN結(jié)的特性，其中P區(qū)富含正電荷，N區(qū)富含負(fù)電荷。蕪湖二極管廠家

反向偏置（Reverse Bias），在陽(yáng)極側(cè)施加相對(duì)陰極負(fù)的電壓，就是反向偏置，所加電壓為反向偏置。這種情況下，因?yàn)镹型區(qū)域被注入空穴，P型區(qū)域被注入電子，兩個(gè)區(qū)域內(nèi)的主要載流子都變?yōu)椴蛔?，因此結(jié)合部位的耗盡層變得更寬，內(nèi)部的靜電場(chǎng)也更強(qiáng)，擴(kuò)散電位也跟著變大。這個(gè)擴(kuò)散電位與外部施加的電壓互相抵銷(xiāo)，讓反向的電流更難以通過(guò)。更多的細(xì)節(jié)請(qǐng)參閱“PN結(jié)”條目。實(shí)際的元件雖然處于反向偏置狀態(tài)，也會(huì)有微小的反向電流（漏電流、漂移電流）通過(guò)。當(dāng)反向偏置持續(xù)增加時(shí)，還會(huì)發(fā)生 隧道擊穿 或 雪崩擊穿 或 崩潰 ，發(fā)生急遽的電流增加。開(kāi)始產(chǎn)生這種擊穿現(xiàn)象的（反向）電壓被稱(chēng)為 擊穿電壓 。超過(guò)擊穿電壓以后反向電流急遽增加的區(qū)域被稱(chēng)為 擊穿區(qū) （ 崩潰區(qū) ）。在擊穿區(qū)內(nèi)，電流在較大的范圍內(nèi)變化而二極管反向壓降變化較小。穩(wěn)壓二極管就利用這個(gè)區(qū)域的動(dòng)作特性而制成，可以作為電壓源使用。蕪湖二極管廠家二極管的導(dǎo)通特性與P-N結(jié)有關(guān)。

二極管的誕生得益于半導(dǎo)體技術(shù)，從原理上講它涉及到微觀電子學(xué)，所以它的底層原理是比較復(fù)雜的，但我們實(shí)際運(yùn)用時(shí)主要在于根據(jù)我們電路的特點(diǎn)選擇合適的二極管型號(hào)，所以底層原理這里沒(méi)有說(shuō)明，之后在實(shí)際電子設(shè)計(jì)中再將進(jìn)一步了解。你是否還記得，很多時(shí)候你媽媽興沖沖的走到你面前，眉飛色舞的要和你說(shuō)點(diǎn)啥，可是話到嘴邊卻給忘了！然后她會(huì)拍拍腦袋尷尬的說(shuō)：我這二極管又短路了，雖然她老人家大概率不知道二極管到底是個(gè)啥，有什么作用，但是還是很自然的用二極管短路表達(dá)了當(dāng)前的窘境。因?yàn)槠渌项^老太太碰到這個(gè)情況都是這樣說(shuō)的，而且大家都能心領(lǐng)神會(huì)！而你也一定會(huì)會(huì)心的一笑，表示理解和認(rèn)同。不好意思忘了，可是，你真的了解媽媽口中的二極管嗎？如果不了解，或者一知半解，這里我們就一起來(lái)聊一聊關(guān)于二極管的前世今生和功能作用吧！

二極管是否損壞如何判斷：?jiǎn)呜?fù)導(dǎo)電性能的檢測(cè)及好壞的判斷，通常，鍺材料二極管的正向電阻值為1kΩ左右，反向電阻值為300左右。硅材料二極管的電阻值為5kΩ左右，反向電阻值為（無(wú)窮大）。正向電阻越小越好，反向電阻越大越好。正、反向電阻值相差越懸殊，說(shuō)明二極管的單向?qū)щ娞匦栽胶?。若測(cè)得二極管的正、反向電阻值均接近0或阻值較小，則說(shuō)明該二極管內(nèi)部已擊穿短路或漏電損壞。若測(cè)得二極管的正、反向電阻值均為無(wú)窮大，則說(shuō)明該二極管已開(kāi)路損壞。二極管是一種半導(dǎo)體器件，具有導(dǎo)通方向和截止方向的特性。

反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢(shì)壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時(shí)，破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，致使電流急劇增大，這種擊穿稱(chēng)為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢(shì)壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。雪崩擊穿，另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí)，外加電場(chǎng)使電子漂移速度加快，從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞，把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵，產(chǎn)生新的電子-空穴對(duì)。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場(chǎng)加速后又撞出其它價(jià)電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱(chēng)為雪崩擊穿。無(wú)論哪種擊穿，若對(duì)其電流不加限制，都可能造成PN結(jié)長(zhǎng)久性損壞。反向偏置時(shí)，PN結(jié)的耗盡區(qū)增大，導(dǎo)致電流截止。蕪湖二極管廠家

二極管可用于電池充電和放電保護(hù)，防止過(guò)充和過(guò)放。蕪湖二極管廠家

快恢復(fù)二極管英文名稱(chēng)為Fast Recovery Diodes，簡(jiǎn)稱(chēng)FRD，是一種具有開(kāi)關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管，主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用?？旎謴?fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通PN結(jié)二極管不同，它屬于PIN結(jié)型二極管，即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構(gòu)成PIN硅片。因基區(qū)很薄，反向恢復(fù)電荷很小，所以快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間較短，正向壓降較低，反向擊穿電壓（耐壓值）較高?？旎謴?fù)二極管的外形和普通二極管相同，原理圖和PCB庫(kù)的參照整流二極管。蕪湖二極管廠家