微納加工技術(shù)具有高精度、科技含量高、產(chǎn)品附加值高等特點，能突顯一個國家工業(yè)發(fā)展水平，在推動科技進(jìn)步、促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展、提升生活品質(zhì)等方面都發(fā)揮著重要作用。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所微納加工平臺，是國內(nèi)少數(shù)擁有完整半導(dǎo)體工藝鏈的研究平臺之一，可進(jìn)行鍍膜、光刻、刻蝕等工藝，加工尺寸覆蓋2-6英寸。微納加工平臺將面向國內(nèi)外科研機構(gòu)和企業(yè)提供全方面的開放服務(wù)，對半導(dǎo)體材料與器件的深入研發(fā)給予全方面支持，能夠為廣大科研單位和企業(yè)提供高質(zhì)量檔次服務(wù)。干法刻蝕能夠滿足亞微米/納米線寬制程技術(shù)的要求，且在微納加工技術(shù)中被大量使用。云南MEMS微納加工外協(xié)

電子束光刻技術(shù)是利用電子束在涂有電子抗蝕劑的晶片上直接描畫或投影復(fù)印圖形的技術(shù).電子抗蝕劑是一種對電子敏感的高分子聚合物，經(jīng)過電子束掃描過的電子抗蝕劑發(fā)生分子鏈重組，使曝光圖形部分的抗蝕劑發(fā)生化學(xué)性質(zhì)改變。經(jīng)過顯影和定影，獲得高分辨率的抗蝕劑曝光圖形。電子束光刻技術(shù)的主要工藝過程為涂膠、前烘、電子束曝光、顯影和堅膜?，F(xiàn)代的電子束光刻設(shè)備已經(jīng)能夠制作小于10nm的精細(xì)線條結(jié)構(gòu)。電子束光刻設(shè)備也是制作光學(xué)掩膜版的重要工具。影響曝光精度的內(nèi)部工藝因素主要取決于電子束斑尺寸、掃描步長、電子束流劑量和電子散射引起的鄰近效應(yīng)。江蘇半導(dǎo)體微納加工廠商光刻膠是微納加工中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料之一。

    高精度的微細(xì)結(jié)構(gòu)可以通過電子束直寫或激光直寫制作，這類光刻技術(shù)，像“寫字”一樣，通過控制聚焦電子束（光束）移動書寫圖案進(jìn)行曝光，具有很高的曝光精度，但這兩種方法制作效率極低，尤其在大面積制作方面捉襟見肘，目前直寫光刻技術(shù)適用于小面積的微納結(jié)構(gòu)制作。近年來，三維浮雕微納結(jié)構(gòu)的需求越來越大，如閃耀光柵、菲涅爾透鏡、多臺階微光學(xué)元件等。據(jù)悉，蘋果公司新上市的手機產(chǎn)品中人臉識別模塊就采用了多臺階微光學(xué)元件，以及當(dāng)下如火如荼的無人駕駛技術(shù)中激光雷達(dá)光學(xué)系統(tǒng)也用到了復(fù)雜的微光學(xué)元件。這類精密的微納結(jié)構(gòu)光學(xué)元件需采用灰度光刻技術(shù)進(jìn)行制作。直寫技術(shù)，通過在光束移動過程中進(jìn)行相應(yīng)的曝光能量調(diào)節(jié)，可以實現(xiàn)良好的灰度光刻能力。

       作為前沿加工技術(shù)，飛秒激光加工具有熱影響區(qū)小、與材料相互作用呈非線性過程、超出衍射極限的高分辨率加工等特點，可以實現(xiàn)對各種材料的高質(zhì)量、高精度微納米加工和三維微納結(jié)構(gòu)制造。飛秒激光對材料的加工方式靈活多樣，既可實現(xiàn)增材、減材和等材制造，又能夠以激光直寫和激光并行加工的方式制備微納結(jié)構(gòu)。其中，飛秒激光直寫通常用于復(fù)雜、不規(guī)則的微納結(jié)構(gòu)加工，具有較高的空間分辨率、加工靈活性和自由度，然而鑒于其逐點加工的技術(shù)特點，加工效率較低；飛秒激光并行加工包括基于數(shù)字微鏡器件的光刻技術(shù)、空間光調(diào)制器和激光干涉加工等方法，具有較高的加工效率，但無法加工任意三維微結(jié)構(gòu)。飛秒激光加工方式各有優(yōu)缺點，可以根據(jù)應(yīng)用中的實際需求來選擇合適的加工技術(shù)。微納加工技術(shù)對現(xiàn)代的生活、生產(chǎn)產(chǎn)生了巨大的促進(jìn)作用，并催生了一批新興產(chǎn)業(yè)。

     在過去的50多年中，微納加工技術(shù)的進(jìn)步極大地促進(jìn)了微電子技術(shù)和光電子技術(shù)的發(fā)展。微電子技術(shù)的發(fā)展以超大規(guī)模集成電路為，集成度以每18個月翻一番的速度提高，使得以90nm為小電路尺寸的集成電路芯片已經(jīng)開始批量生產(chǎn).以光刻與刻蝕為基礎(chǔ)的平面為加工技術(shù)已經(jīng)成為超大規(guī)模集成電路的技術(shù)，隨著電子束光刻技術(shù)和電感耦合等離子體(ICP)刻蝕技術(shù)的出現(xiàn)，平面微納加工工藝正在推動以單電子器件與自旋電子器件為的新一代納米電子學(xué)的發(fā)展.微納加工技術(shù)對現(xiàn)代的生活、生產(chǎn)產(chǎn)生了巨大的促進(jìn)作用，并催生了一批新興產(chǎn)業(yè)。河北半導(dǎo)體微納加工外協(xié)

微納制造技術(shù)是指尺度為毫米、微米和納米量級的零件。云南MEMS微納加工外協(xié)

      光刻是微納加工技術(shù)中關(guān)鍵的工藝步驟，光刻的工藝水平?jīng)Q定產(chǎn)品的制程水平和性能水平。光刻的原理是在基底表面覆蓋一層具有高度光敏感性光刻膠，再用光線（一般是紫外光、深紫外光、極紫外光）透過光刻板照射在基底表面，被光線照射到的光刻膠會發(fā)生反應(yīng)。此后用顯影液洗去被照射/未被照射的光刻膠， 就實現(xiàn)了圖形從光刻板到基底的轉(zhuǎn)移。光刻膠分為正性光刻和負(fù)性光刻兩種基本工藝，區(qū)別在于兩者使用的光刻膠的類型不同。負(fù)性光刻使用的光刻膠在曝光后會因為交聯(lián)而變得不可溶解，并會固化，不會被溶劑洗掉，從而該部分硅片不會在后續(xù)流程中被腐蝕掉，負(fù)性光刻光刻膠上的圖形與掩模版上圖形相反。云南MEMS微納加工外協(xié)

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所專注技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā)，發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊不斷壯大。一批專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊，是實現(xiàn)企業(yè)戰(zhàn)略目標(biāo)的基礎(chǔ)，是企業(yè)持續(xù)發(fā)展的動力。公司業(yè)務(wù)范圍主要包括：微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等。公司奉行顧客至上、質(zhì)量為本的經(jīng)營宗旨，深受客戶好評。一直以來公司堅持以客戶為中心、微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)市場為導(dǎo)向，重信譽，保質(zhì)量，想客戶之所想，急用戶之所急，全力以赴滿足客戶的一切需要。