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鄂州MENS微納加工

來源: 發(fā)布時間:2022-09-05

納秒和飛秒之間,皮秒激光微納加工應用獨具優(yōu)勢!與傳統(tǒng)的微納加工技術相比,激光微納加工具有如下獨特的優(yōu)點:非接觸加工不損壞工具、能量可調(diào)、加工方式靈活、可實現(xiàn)柔性加工等。其中全固態(tài)皮秒激光具有極窄的脈沖寬度(皮秒)、極高的峰值功率(兆瓦)以及優(yōu)異的光束質(zhì)量,被廣泛應用于各種金屬、非金屬材料的精密加工。研究表明,脈沖寬度高于10ps的皮秒激光加工過程中有明顯的熱效應存在,而且隨著激光與材料作用時間的增加,工件表面會產(chǎn)生微裂紋以及再鑄層;脈沖寬度低于5ps的皮秒激光與材料作用時會產(chǎn)生非線性效應,這對金屬材料的加工非常不利。因此,適合微納精密加工用的皮秒激光的脈沖寬度在5~10ps之間。為了提高加工效率,重復頻率一般設定在十萬赫茲量級,而平均功率則根據(jù)所加工材料的燒蝕閾值而定。微機電系統(tǒng)、微光電系統(tǒng)、生物微機電系統(tǒng)等是微納米技術的重要應用領域!鄂州MENS微納加工

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    微納加工中蒸鍍的物理過程包括:沉積材料蒸發(fā)或升華為氣態(tài)粒子→氣態(tài)粒子快速從蒸發(fā)源向基片表面輸送→氣態(tài)粒子附著在基片表面形核、長大成固體薄膜→薄膜原子重構或產(chǎn)生化學鍵合。將襯底放入真空室內(nèi),以電阻、電子束、激光等方法加熱膜料,使膜料蒸發(fā)或升華,氣化為具有一定能量(~eV)的粒子(原子、分子或原子團)。氣態(tài)粒子以基本無碰撞的直線運動飛速傳送至襯底,到達襯底表面的粒子一部分被反射,另一部分吸附在襯底上并發(fā)生表面擴散,沉積原子之間產(chǎn)生二維碰撞,形成簇團,有的可能在表面短時停留后又蒸發(fā)。粒子簇團不斷地與擴散粒子相碰撞,或吸附單粒子,或放出單粒子。此過程反復進行,當聚集的粒子數(shù)超過某一臨界值時就變?yōu)榉€(wěn)定的核,再繼續(xù)吸附擴散粒子而逐步長大,終通過相鄰穩(wěn)定核的接觸、合并,形成連續(xù)薄膜。膜方法簡單、薄膜純度和致密性高、膜結構和性能獨特等優(yōu)點。所謂濺射鍍膜是指在真空室中,利用荷能粒子(如正離子)轟擊靶材,使靶材表面原子或原子團逸出,逸出的原子在工件的表面形成與靶材成分相同的薄膜,這種制備薄膜的方法稱為濺射鍍膜。目前,濺射法主要用于形成金屬或合金薄膜,特別是用于制作電子元件的電極和玻璃表面紅外線反射薄膜。 攀枝花電子微納加工目前微納制造領域較常用的一種微細加工技術是LIGA!

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       當微納加工技術應用到光電子領域,就形成了新興的納米光電子技術,主要研究納米結構中光與電子相互作用及其能量互換的技術.納米光電子技術在過去的十多年里,一方面,以低維結構材料生長和能帶工程為基礎的納米制造技術有了長足的發(fā)展,包括分子束外延(MBE)、金屬有機化學氣相淀積(MOCVD)和化學束外延(CBE),使得在晶片表面外延生長方向(直方向)的外延層精度控制到單個原子層,從而獲得了具有量子尺寸效應的半導體材料;另一方面,平面納米加工工藝實現(xiàn)了納米尺度的光刻和橫向刻蝕,使得人工橫向量子限制的量子線與量子點的制作成為可能.同時,光子晶體概念的出現(xiàn),使得納米平面加工工藝廣地應用到光介質(zhì)材料折射率周期性的改變中。

   廣東省科學院半導體研究所力于推動微納加工技術的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化,為歐洲的微納產(chǎn)品制造商及設備供應商提供技術支撐,幫助他們在關鍵技術領域建立、維持全球地位。 廣東省科學院半導體研究所發(fā)布的微納加工技術前景展望總結了其戰(zhàn)略研究議程(SRA)的要點,確定出微納加工發(fā)展的新趨勢,為維持和進一步增強歐洲工業(yè)在微納加工技術領域中的地位,提供了未來投資和研發(fā)戰(zhàn)略指導。從短期來看,微納加工技術不會對環(huán)境和能源成本產(chǎn)生重大的影響。受到當前加工技術的限制,這些技術在早期的發(fā)晨階段往往會有較高的能源成本。與此同時,微納加工一旦成熟,將會消耗更少的能源與資源,就此而言,微納加工無凝是一項令人振奮的技術。例如,與去除邊角料獲得終產(chǎn)品不同的是,微納加工采用的積層法將會使得廢料更少。高精度的微細結構可以通過電子束直寫或激光直寫制作!

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    激光微納加工相比納秒激光器、連續(xù)激光器,飛秒激光加工是“冷加工”,其加工過程中幾近不會有熱:傳導。飛秒激光加工優(yōu)勢在于:峰值能量高、加工精度高、對材料幾乎無熱損傷等,其具體加工方式包括:蝕刻、改性、切割、打孔、周雕刻以及集成電路光刻等。廣東省科學院半導體研究所微納加工平臺,面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領域,致力于打造高級的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設備,建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線,加工尺寸覆蓋2-6英寸(部分8英寸),同時形成了一支與硬件有機結合的專業(yè)人才隊伍。平臺當前緊抓技術創(chuàng)新和公共服務,面向國內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享,為技術咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術驗證以及產(chǎn)品中試提供技術支持。 我造技術的研究從其誕生之初就一直牢據(jù)行國的微納制造技術的研究與世界先進水平業(yè)的杰出位置。鄂州MENS微納加工

新一代微納制造系統(tǒng)應滿足的要求:能生產(chǎn)多種多樣高度復雜的微納產(chǎn)品!鄂州MENS微納加工

在微電子與光電子集成中,薄膜的形成方法主要有兩大類,及沉積和外延生長。沉積技術分為物理沉積、化學沉積和混合方法沉積。蒸發(fā)沉積(熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā))和濺射沉積是典型的物理方法;化學氣相沉積是典型的化學方法;等離子體增強化學氣相沉積是物理與化學方法相結合的混合方法。薄膜沉積過程,通常生成的是非晶膜和多晶膜,沉積部位和晶態(tài)結構都是隨機的,而沒有固定的晶態(tài)結構。外延生長實質(zhì)上是材料科學的薄膜加工方法,其含義是:在一個單晶的襯底上,定向地生長出與基底晶態(tài)結構相同或相似的晶態(tài)薄層。其他薄膜成膜方法,如電化學沉積、脈沖激光沉積法、溶膠凝膠法、自組裝法等,也都廣用于微納制作工藝中。鄂州MENS微納加工

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