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智能排產(chǎn)功能在MES管理系統(tǒng)中有哪些應(yīng)用
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特殊濺射沉積技術(shù):以上面幾種做基礎(chǔ),為達(dá)到某些特殊目的而產(chǎn)生的濺射技術(shù)。1、反應(yīng)濺射:可分為兩類,第一種情況是靶為純金屬、合金或混合物,通入的氣體是反應(yīng)氣體,或Ar加上一部分反應(yīng)氣體;第二種情況是靶為化合物,在純氬氣氣氛中濺射產(chǎn)生分解,使膜內(nèi)缺少一種或多種靶成分,在濺射時(shí)需要補(bǔ)充反應(yīng)氣體以補(bǔ)償損失的成分。常用的反應(yīng)氣體有氧、氮、氧+氮、乙炔、甲烷等。1)反應(yīng)過程,反應(yīng)發(fā)生在表面--靶或基體上,活性氣體也可以形成活性基團(tuán),濺射原子與活性基團(tuán)碰撞也會形成化合物沉積在基體上。當(dāng)通入的反應(yīng)氣體壓強(qiáng)很低,或靶的濺射產(chǎn)額很高時(shí)化合物的合成發(fā)生在基體上,而且化合物的成分取決于濺射粒子和反應(yīng)氣體到達(dá)基體的相對速度,這種條件下,靶面的化學(xué)反應(yīng)消失或者是化合物分解的速度遠(yuǎn)大于合成的速度;當(dāng)氣體壓強(qiáng)繼續(xù)升高,或?yàn)R射產(chǎn)額降低時(shí)化合反應(yīng)達(dá)到某個域值,此后在靶上的化學(xué)合成速度大于逸出速度,認(rèn)為化合物在靶面進(jìn)行。這提高了薄膜工藝的效率,使它們能夠在較低的壓力下更快地生長。江西射頻磁控濺射優(yōu)點(diǎn)
磁控濺射靶材鍍膜過程中,影響靶材鍍膜沉積速率的因素:濺射電壓:濺射電壓對成膜速率的影響有這樣一個規(guī)律:電壓越高,濺射速率越快,而且這種影響在濺射沉積所需的能量范圍內(nèi)是緩和的、漸進(jìn)的。在影響濺射系數(shù)的因素中,在濺射靶材和濺射氣體之后,放電電壓確實(shí)很重要。一般來說,在正常的磁控濺射過程中,放電電壓越高,濺射系數(shù)越大,這意味著入射離子具有更高的能量。因此,固體靶材的原子更容易被濺射出并沉積在基板上形成薄膜。上海真空磁控濺射技術(shù)磁控濺射具有設(shè)備簡單、易于控制、涂覆面積大、附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。
高能脈沖磁控濺射技術(shù)介紹及特點(diǎn):高能脈沖磁控濺射技術(shù)是利用較高的脈沖峰值功率和較低的脈沖占空比來產(chǎn)生高濺射金屬離化率的一種磁控濺射技術(shù)。力學(xué)所引進(jìn)德國電源,與等離子體淹沒離子注入沉積方法相結(jié)合,形成一種新穎的成膜過程與質(zhì)量調(diào)控技術(shù),是可應(yīng)用于大型矩形靶的離化率可控磁控濺射新技術(shù),填補(bǔ)了國內(nèi)在該方向的研究空白。將高能沖擊磁控濺射與高壓脈沖偏壓技術(shù)復(fù)合,利用其高離化率和淹沒性的特點(diǎn),通過成膜過程中入射粒子能量與分布的有效操控,實(shí)現(xiàn)高膜基結(jié)合力、高質(zhì)量、高均勻性薄膜的制備。同時(shí)結(jié)合全新的粒子能量與成膜過程反饋控制系統(tǒng),開展高離化率等離子體發(fā)生、等離子體的時(shí)空演變及荷能粒子成膜物理過程控制等方面的研究與工程應(yīng)用。其中心技術(shù)具有自主知識產(chǎn)權(quán),已申請相關(guān)發(fā)明專利兩項(xiàng)。該項(xiàng)技術(shù)對實(shí)現(xiàn)PVD沉積關(guān)鍵瓶頸問題的突破具有重大意義,有助于提升我國在表面工程加工領(lǐng)域的國際競爭力。如在交通領(lǐng)域,該技術(shù)用于汽車發(fā)動機(jī)三部件,可降低摩擦25%,減少油耗3%;機(jī)械加工領(lǐng)域,沉積先進(jìn)鍍層可使刀具壽命提高2~10倍,加工速度提高30-70%。
磁控濺射技術(shù)是近年來新興的一種材料表面鍍膜技術(shù),該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了金屬、絕緣體等多種材料的表面鍍膜,具有高速、低溫、低損傷的特點(diǎn).利用磁控濺射技術(shù)進(jìn)行超細(xì)粉體的表面鍍膜處理,不但能有效提高超細(xì)粉體的分散性,大幅度提高鍍層與粉體之間的結(jié)合力,還能賦予超細(xì)粉體的新的特異性能。在各種濺射鍍膜技術(shù)中,磁控濺射技術(shù)是較重要的技術(shù)之一,為了制備大面積均勻且批量一致好的薄膜,釆用優(yōu)化靶基距、改變基片運(yùn)動方式、實(shí)行膜厚監(jiān)控等措施。多工位磁控濺射鍍膜儀器由于其速度比可調(diào)以及同時(shí)制作多個基片,效率大幅度提高,被越來越多的重視和使用。磁鐵有助于加速薄膜的生長,因?yàn)閷υ舆M(jìn)行磁化有助于增加目標(biāo)材料電離的百分比。
磁控濺射的基本原理就是以磁場改變電子運(yùn)動方向,束縛和延長運(yùn)動路徑,提高電子的電離概率和有效地利用了電子的能量。因此在形成高密度等離子體的異常輝光放電中,正離子對靶材轟擊所引起的靶材濺射更加有效,同時(shí)受正交電磁場的束縛的電子只能在其能量將要耗盡時(shí)才能沉積在基片上,這就是磁控濺射具有低溫高速兩大特點(diǎn)的機(jī)理。磁控濺射的特點(diǎn)是成膜速率高,基片溫度低,膜的粘附性好,可實(shí)現(xiàn)大面積鍍膜。該技術(shù)可以分為直流磁控濺射法和射頻磁控濺射法。隨著工業(yè)的需求和表面技術(shù)的發(fā)展,新型磁控濺射如高速濺射、自濺射等成為磁控濺射領(lǐng)域新的發(fā)展趨勢。江蘇射頻磁控濺射過程
磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程。江西射頻磁控濺射優(yōu)點(diǎn)
物相沉積的基本特點(diǎn):物相沉積技術(shù)工藝過程簡單,對環(huán)境改善,無污染,耗材少,成膜均勻致密,與基體的結(jié)合力強(qiáng)。該技術(shù)普遍應(yīng)用于航空航天、電子、光學(xué)、機(jī)械、建筑、輕工、冶金、材料等領(lǐng)域,可制備具有耐磨、耐腐蝕、裝飾、導(dǎo)電、絕緣、光導(dǎo)、壓電、磁性、潤滑、超導(dǎo)等特性的膜層。隨著高科技及新興工業(yè)發(fā)展,物相沉積技術(shù)出現(xiàn)了不少新的先進(jìn)的亮點(diǎn),如多弧離子鍍與磁控濺射兼容技術(shù),大型矩形長弧靶和濺射靶,非平衡磁控濺射靶,孿生靶技術(shù),帶狀泡沫多弧沉積卷繞鍍層技術(shù),條狀纖維織物卷繞鍍層技術(shù)等,使用的鍍層成套設(shè)備,向計(jì)算機(jī)全自動,大型化工業(yè)規(guī)模方向發(fā)展。江西射頻磁控濺射優(yōu)點(diǎn)
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