根據(jù)曝光方式的不同，光刻機(jī)主要分為接觸式，接近式以及投影式三種。接觸式光刻機(jī)，曝光時(shí)，光刻版壓在涂有光刻膠的襯底上，優(yōu)點(diǎn)是設(shè)備簡單，分辨率高，沒有衍射效應(yīng)，缺點(diǎn)是光刻版與涂有光刻膠的晶圓片直接接觸，每次接觸都會(huì)在晶圓片和光刻版上產(chǎn)生缺陷，降低光刻版使用壽命，成品率低。接近式光刻機(jī)，光刻版與光刻膠有一個(gè)很小的縫隙，因?yàn)楣饪贪媾c襯底沒有接觸，缺陷減少，優(yōu)點(diǎn)是避免晶圓片與光刻版直接接觸，缺陷少，缺點(diǎn)是分辨率低，存在衍射效應(yīng)。投影式曝光，一般光學(xué)系統(tǒng)將掩模版上的圖像縮小4x或5x倍，聚焦并與硅片上已有的圖形對(duì)準(zhǔn)后曝光，每次曝光一小部分，曝完一個(gè)圖形后，硅片移動(dòng)到下一個(gè)曝光位置繼續(xù)對(duì)準(zhǔn)曝光，這種曝光方式分辨率比較高，但不產(chǎn)生缺陷。光刻技術(shù)是集成電路制造中利用光學(xué)- 化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法。北京光刻廠商

光刻膠旋轉(zhuǎn)速度，速度越快，厚度越??；影響光刻膠均勻性的參數(shù)：旋轉(zhuǎn)加速度，加速越快越均勻；與旋轉(zhuǎn)加速的時(shí)間點(diǎn)有關(guān)。一般旋涂光刻膠的厚度與曝光的光源波長有關(guān)（因?yàn)椴煌?jí)別的曝光波長對(duì)應(yīng)不同的光刻膠種類和分辨率）：I-line較厚，約0.7～3μm；KrF的厚度約0.4～0.9μm；ArF的厚度約0.2～0.5μm。軟烘方法：真空熱板，85～120C,30～60秒；目的：除去溶劑（4～7%）；增強(qiáng)黏附性；釋放光刻膠膜內(nèi)的應(yīng)力；防止光刻膠玷污設(shè)備；邊緣光刻膠的去除：光刻膠涂覆后，在硅片邊緣的正反兩面都會(huì)有光刻膠的堆積。半導(dǎo)體光刻外協(xié)光刻膠旋轉(zhuǎn)速度，速度越快，厚度越薄。

日本能把持光刻膠這么多年背后的深層次邏輯是什么？究其原因，主要是技術(shù)和市場兩大壁壘過高導(dǎo)致的。首先，光刻膠作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)材料，扮演著極其重要的角色，甚至可以和光刻機(jī)相媲美，但市場規(guī)模卻很小。2019年的全球光刻膠市場的規(guī)模才90億美元，不及一家大型IC設(shè)計(jì)企業(yè)的年?duì)I收，行業(yè)成長空間有限，自然進(jìn)入的企業(yè)就少。另一方面，光刻膠又是一個(gè)具有極高技術(shù)壁壘的產(chǎn)業(yè)。由于不同的客戶會(huì)有不同的應(yīng)用需求，同一個(gè)客戶也有不同的光刻應(yīng)用需求。導(dǎo)致光刻膠的種類極其繁雜，必須通過調(diào)整光刻膠的配方，滿足差異化應(yīng)用需求，這也是光刻膠制造商較中心的技術(shù)。

對(duì)于國產(chǎn)光刻膠來說，今年的九月是極為特殊的一個(gè)月份。9月23日，發(fā)改委聯(lián)合工信部、科技部、財(cái)政部共同發(fā)布了《關(guān)于擴(kuò)大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)投資培育壯大新增長點(diǎn)增長極的指導(dǎo)意見》，《意見》提出，加快新材料產(chǎn)業(yè)強(qiáng)弱項(xiàng)，具體涉及加快在光刻膠、大尺寸硅片、電子封裝材料等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破。而在《意見》還未發(fā)布之前，部分企業(yè)已經(jīng)聞聲先動(dòng)了。除了幾家企業(yè)加大投資、研發(fā)國產(chǎn)光刻膠之外，還有兩家企業(yè)通過購買光刻機(jī)的方式，開展光刻膠的研發(fā)。光刻膠產(chǎn)業(yè)，尤其是較優(yōu)光刻膠一直是日本企業(yè)所把持，這已不是什么鮮為人知的信息了。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。影響光刻膠均勻性的參數(shù)：旋轉(zhuǎn)加速度，加速越快越均勻。

通常來說，在使用工藝方法一致的情況下，波長越短，加工分辨率越佳。靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法：首先把光刻膠通過滴膠頭堆積在襯底的中心，然后低速旋轉(zhuǎn)使得光刻膠鋪開，再以高速旋轉(zhuǎn)甩掉多余的光刻膠。在高速旋轉(zhuǎn)的過程中，光刻膠中的溶劑會(huì)揮發(fā)一部分。靜態(tài)涂膠法中的光刻膠堆積量非常關(guān)鍵，量少了會(huì)導(dǎo)致光刻膠不能充分覆蓋硅片，量大了會(huì)導(dǎo)致光刻膠在硅片邊緣堆積甚至流到硅片的背面，影響工藝質(zhì)量。動(dòng)態(tài)噴灑法：隨著硅片尺寸越來越大，靜態(tài)涂膠已經(jīng)不能滿足較新的硅片加工需求。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。光刻涂膠四周呈現(xiàn)放射性條紋，主要可能的原因是光刻膠有顆粒、襯底未清洗干凈。福建光刻加工廠商

光刻是將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移到涂有光致抗蝕劑（或稱光刻膠）的襯底上。北京光刻廠商

光刻技術(shù)是集成電路制造中利用光學(xué)- 化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術(shù)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個(gè)數(shù)量級(jí)（從毫米級(jí)到亞微米級(jí)），已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術(shù)；使用波長已從4000埃擴(kuò)展到 0.1埃數(shù)量級(jí)范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。光刻技術(shù)是指在光照作用下，借助光致抗蝕劑（又名光刻膠）將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上的技術(shù)。其主要過程為：首先紫外光通過掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面，引起曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)；再通過顯影技術(shù)溶解去除曝光區(qū)域或未曝光區(qū)域的光刻膠（前者稱正性光刻膠，后者稱負(fù)性光刻膠），使掩膜版上的圖形被復(fù)制到光刻膠薄膜上；較后利用刻蝕技術(shù)將圖形轉(zhuǎn)移到基片上。北京光刻廠商

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所匯集了大量的優(yōu)秀人才，集企業(yè)奇思，創(chuàng)經(jīng)濟(jì)奇跡，一群有夢想有朝氣的團(tuán)隊(duì)不斷在前進(jìn)的道路上開創(chuàng)新天地，繪畫新藍(lán)圖，在廣東省等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的信譽(yù)，信奉著“爭取每一個(gè)客戶不容易，失去每一個(gè)用戶很簡單”的理念，市場是企業(yè)的方向，質(zhì)量是企業(yè)的生命，在公司有效方針的領(lǐng)導(dǎo)下，全體上下，團(tuán)結(jié)一致，共同進(jìn)退，**協(xié)力把各方面工作做得更好，努力開創(chuàng)工作的新局面，公司的新高度，未來廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)和您一起奔向更美好的未來，即使現(xiàn)在有一點(diǎn)小小的成績，也不足以驕傲，過去的種種都已成為昨日我們只有總結(jié)經(jīng)驗(yàn)，才能繼續(xù)上路，讓我們一起點(diǎn)燃新的希望，放飛新的夢想！