射頻MEMS技術(shù)傳統(tǒng)上分為固定的和可動(dòng)的兩類。固定的MEMS器件包括本體微機(jī)械加工傳輸線、濾波器和耦合器，可動(dòng)的MEMS器件包括開(kāi)關(guān)、調(diào)諧器和可變電容。按技術(shù)層面又分為由微機(jī)械開(kāi)關(guān)、可變電容器和電感諧振器組成的基本器件層面；由移相器、濾波器和VCO等組成的組件層面；由單片接收機(jī)、變波束雷達(dá)、相控陣?yán)走_(dá)天線組成的應(yīng)用系統(tǒng)層面。MEMS工藝以成膜工序、光刻工序、蝕刻工序等常規(guī)半導(dǎo)體工藝流程為基礎(chǔ)。硅基MEMS加工技術(shù)主要包括體硅MEMS加工技術(shù)和表面MEMS加工技術(shù)。體硅MEMS加工技術(shù)的主要特點(diǎn)是對(duì)硅襯底材料的深刻蝕，可得到較大縱向尺寸可動(dòng)微結(jié)構(gòu)。表面MEMS加工技術(shù)主要通過(guò)在硅片上生長(zhǎng)氧化硅、氮化硅、多晶硅等多層薄膜來(lái)完成MEMS器件的制作。利用表面工藝得到的可動(dòng)微結(jié)構(gòu)的縱向尺寸較小，但與IC工藝的兼容性更好，易與電路實(shí)現(xiàn)單片集成。MEMS側(cè)重于超精密機(jī)械加工，涉及微電子、材料、力學(xué)、化學(xué)、機(jī)械學(xué)諸多學(xué)科領(lǐng)域。吉林物聯(lián)網(wǎng)半導(dǎo)體器件加工

刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟，是與光刻相聯(lián)系的圖形化處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過(guò)光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過(guò)其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分?？涛g是用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過(guò)程，其基本目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩模圖形。隨著微制造工藝的發(fā)展，廣義上來(lái)講，刻蝕成了通過(guò)溶液、反應(yīng)離子或其它機(jī)械方式來(lái)剝離、去除材料的一種統(tǒng)稱，成為微加工制造的一種普適叫法。海南新材料半導(dǎo)體器件加工MEMS加工技術(shù)：傳統(tǒng)機(jī)械加工方法指利用大機(jī)器制造小機(jī)器,再利用小機(jī)器制造微機(jī)器。

光刻工藝的基本流程是首先是在晶圓（或襯底）表面涂上一層光刻膠并烘干。烘干后的晶圓被傳送到光刻機(jī)里面。光線透過(guò)一個(gè)掩模把掩模上的圖形投影在晶圓表面的光刻膠上，實(shí)現(xiàn)曝光，激發(fā)光化學(xué)反應(yīng)。對(duì)曝光后的晶圓進(jìn)行第二次烘烤，即所謂的曝光后烘烤，后烘烤使得光化學(xué)反應(yīng)更充分。較后，把顯影液噴灑到晶圓表面的光刻膠上，對(duì)曝光圖形顯影。顯影后，掩模上的圖形就被存留在了光刻膠上。涂膠、烘烤和顯影都是在勻膠顯影機(jī)中完成的，曝光是在光刻機(jī)中完成的。勻膠顯影機(jī)和光刻機(jī)一般都是聯(lián)機(jī)作業(yè)的，晶圓通過(guò)機(jī)械手在各單元和機(jī)器之間傳送。整個(gè)曝光顯影系統(tǒng)是封閉的，晶圓不直接暴露在周圍環(huán)境中，以減少環(huán)境中有害成分對(duì)光刻膠和光化學(xué)反應(yīng)的影響。

微流控技術(shù)是以微管道為網(wǎng)絡(luò)連接微泵、微閥、微儲(chǔ)液器、微電極、微檢測(cè)元件等具有光、電和流體輸送功能的元器件，較大限度地把采樣、稀釋、加試劑、反應(yīng)、分離、檢測(cè)等分析功能集成在芯片上的微全分析系統(tǒng)。目前，微流控芯片的大小約幾個(gè)平方厘米，微管道寬度和深度(高度)為微米和亞微米級(jí)。微流控芯片的加工技術(shù)起源于半導(dǎo)體及集成電路芯片的微細(xì)加工，但它又不同于以硅材料二維和淺深度加工為主的集成電路芯片加工技術(shù)。近來(lái)，作為微流控芯片基礎(chǔ)的芯片材料和加工技術(shù)的研究已受到許多發(fā)達(dá)國(guó)家的重視。濕化學(xué)蝕刻普遍應(yīng)用于制造半導(dǎo)體。

單晶圓清洗取代批量清洗是先進(jìn)制程的主流，單晶圓清洗通常采用單晶圓清洗設(shè)備，采用噴霧或聲波結(jié)合化學(xué)試劑對(duì)單晶圓進(jìn)行清洗。單晶圓清洗首先能夠在整個(gè)制造周期提供更好的工藝控制，即改善了單個(gè)晶圓和不同晶圓間的均勻性，這提高了良率；其次更大尺寸的晶圓和更緊縮的制程設(shè)計(jì)對(duì)于雜質(zhì)更敏感，那么批量清洗中若出現(xiàn)交叉污染的影響會(huì)更大，進(jìn)而危及整批晶圓的良率，這會(huì)帶來(lái)高成本的芯片返工支出；另外圓片邊緣清洗效果更好，多品種小批量生產(chǎn)的適配性等優(yōu)點(diǎn)也是單晶圓清洗的優(yōu)勢(shì)之一。從硅圓片制成一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體器件，按大工序可分為前道工藝和后道工藝。吉林物聯(lián)網(wǎng)半導(dǎo)體器件加工

在MEMS制程中，刻蝕就是用化學(xué)的、物理的或同時(shí)使用化學(xué)和物理的方法。吉林物聯(lián)網(wǎng)半導(dǎo)體器件加工

半導(dǎo)體器件生產(chǎn)工藝說(shuō)明：①鑄錠：首先需要加熱砂以分離一氧化碳和硅，重復(fù)該過(guò)程，直到獲得超高純電子級(jí)硅（EG-Si）。高純度硅熔化成液體，然后凝固成單晶固體形式，稱為“錠”，這是半導(dǎo)體制造的第一步。硅錠（硅柱）的制造精度非常高，達(dá)到納米級(jí)。②鑄錠切割：上一步完成后，需要用金剛石鋸將錠的兩端切掉，然后切成一定厚度的片。錠片的直徑?jīng)Q定了晶片的尺寸。更大更薄的晶圓可以分成更多的單元，這有助于降低生產(chǎn)成本。切割硅錠后，需要在切片上加上“平坦區(qū)域”或“縮進(jìn)”標(biāo)記，以便在后續(xù)步驟中以此為標(biāo)準(zhǔn)來(lái)設(shè)定加工方向。吉林物聯(lián)網(wǎng)半導(dǎo)體器件加工