每顆芯片誕生之初，都要經過光刻機的雕刻，精度要達到頭發(fā)絲的千分之一，如今，全世界能夠生產光刻機的國家只有四個，中國成為了其中的一員，實現了從無到有的突破。光刻機又被稱為：掩模對準曝光機、曝光系統(tǒng)、光刻系統(tǒng)等。常用的光刻機是掩模對準光刻，所以它被稱為掩模對準系統(tǒng)。它指的是通過將硅晶片表面上的膠整平，然后將掩模上的圖案轉移到光刻膠，將器件或電路結構暫時“復制”到硅晶片上的過程。它不是簡單的激光器，但它的曝光系統(tǒng)基本上使用的是復雜的紫外光源。光刻機是芯片制造的中心設備之一，根據用途可分為幾類：光刻機生產芯片；有光刻機包裝；還有一款投影光刻機用在LED制造領域。光刻是將掩模版上的圖形轉移到涂有光致抗蝕劑（或稱光刻膠）的襯底上。天津接觸式光刻

光刻噴嘴噴霧模式和硅片旋轉速度是實現硅片間溶解率和均勻性的可重復性的關鍵調節(jié)參數。水坑（旋覆浸沒）式顯影（PuddleDevelopment）。噴覆足夠（不能太多，較小化背面濕度）的顯影液到硅片表面，并形成水坑形狀（顯影液的流動保持較低，以減少邊緣顯影速率的變化）。硅片固定或慢慢旋轉。一般采用多次旋覆顯影液：首先次涂覆、保持10～30秒、去除；第二次涂覆、保持、去除。然后用去離子水沖洗（去除硅片兩面的所有化學品）并旋轉甩干。優(yōu)點：顯影液用量少；硅片顯影均勻；較小化了溫度梯度。天津接觸式光刻接觸式光刻曝光主要優(yōu)點是可以使用價格較低的設備制造出較小的特征尺寸。

根據曝光方式的不同，光刻機主要分為接觸式，接近式以及投影式三種。接觸式光刻機，曝光時，光刻版壓在涂有光刻膠的襯底上，優(yōu)點是設備簡單，分辨率高，沒有衍射效應，缺點是光刻版與涂有光刻膠的晶圓片直接接觸，每次接觸都會在晶圓片和光刻版上產生缺陷，降低光刻版使用壽命，成品率低。接近式光刻機，光刻版與光刻膠有一個很小的縫隙，因為光刻版與襯底沒有接觸，缺陷減少，優(yōu)點是避免晶圓片與光刻版直接接觸，缺陷少，缺點是分辨率低，存在衍射效應。投影式曝光，一般光學系統(tǒng)將掩模版上的圖像縮小4x或5x倍，聚焦并與硅片上已有的圖形對準后曝光，每次曝光一小部分，曝完一個圖形后，硅片移動到下一個曝光位置繼續(xù)對準曝光，這種曝光方式分辨率比較高，但不產生缺陷。

光刻膠若性能不達標會對芯片成品率造成重大影響。目前中國光刻膠國產化水平嚴重不足，重點技術差距在半導體光刻膠領域，有2-3代差距，隨著下游半導體行業(yè)、LED及平板顯示行業(yè)的快速發(fā)展，未來國內光刻膠產品國產化替代空間巨大。同時，國內光刻膠企業(yè)積極抓住中國晶圓制造擴產的百年機遇，發(fā)展光刻膠業(yè)務，力爭早日追上國際先進水平，打進國內新建晶圓廠的供應鏈。光刻膠的國產化公關正在各方面展開，在面板屏顯光刻膠領域，中國已經出現了一批有競爭力的本土企業(yè)。在半導體和面板光刻膠領域，盡管國產光刻膠距離國際先進水平仍然有差距，但是在政策的支持和自身的不懈努力之下，中國已經有一批光刻膠企業(yè)陸續(xù)實現了技術突破。光刻膠涂覆后，在硅片邊緣的正反兩面都會有光刻膠的堆積。

一般微電子化學品具有一定的腐蝕性，對生產設備有較高的要求，且生產環(huán)境需要進行無塵或微塵處理。制備較優(yōu)微電子化學品還需要全封閉、自動化的工藝流程，以避免污染，提高質量。因此，光刻膠等微電子化學品生產在安全生產、環(huán)保設備、生產工藝系統(tǒng)、過程控制體系以及研發(fā)投資等方面要求較高。如果沒有強大的資金實力，企業(yè)就難以在設備、研發(fā)和技術服務上取得競爭優(yōu)勢，以提升可持續(xù)發(fā)展能力。因此，光刻膠這樣的微電子化學品行業(yè)具備較高的資金壁壘。廣東省科學院半導體研究所。深紫外線堅膜使正性光刻膠樹脂發(fā)生交聯形成一層薄的表面硬殼，增加光刻膠的熱穩(wěn)定性。MEMS光刻

非接觸式曝光，掩膜板與光刻膠層的略微分開，可以避免與光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷。天津接觸式光刻

光刻膠是光刻工藝中較關鍵材料，國產替代需求緊迫。光刻工藝是指在光照作用下，借助光刻膠將掩膜版上的圖形轉移到基片上的技術，在半導體制造領域，隨著集成電路線寬縮小、集成度大為提升，光刻工藝技術難度大幅提升，成為延續(xù)摩爾定律的關鍵技術之一。同時，器件和走線的復雜度和密集度大幅度提升，較好制程關鍵層次需要兩次甚至多次曝光來實現。其中，光刻膠的質量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關鍵因素。光刻膠經過幾十年不斷的發(fā)展和進步，應用領域不斷擴大，衍生出非常多的種類。不同用途的光刻膠曝光光源、反應機理、制造工藝、成膜特性、加工圖形線路的精度等性能要求不同，導致對于材料的溶解性、耐蝕刻性、感光性能、耐熱性等要求不同。因此每一類光刻膠使用的原料在化學結構、性能上都比較特殊，要求使用不同品質等級的光刻膠**化學品。天津接觸式光刻

廣東省半導體所，2016-04-07正式啟動，成立了微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務等幾大市場布局，應對行業(yè)變化，順應市場趨勢發(fā)展，在創(chuàng)新中尋求突破，進而提升芯辰實驗室,微納加工的市場競爭力，把握市場機遇，推動電子元器件產業(yè)的進步。旗下芯辰實驗室,微納加工在電子元器件行業(yè)擁有一定的地位，品牌價值持續(xù)增長，有望成為行業(yè)中的佼佼者。我們在發(fā)展業(yè)務的同時，進一步推動了品牌價值完善。隨著業(yè)務能力的增長，以及品牌價值的提升，也逐漸形成電子元器件綜合一體化能力。廣東省半導體所始終保持在電子元器件領域優(yōu)先的前提下，不斷優(yōu)化業(yè)務結構。在微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務等領域承攬了一大批高精尖項目，積極為更多電子元器件企業(yè)提供服務。