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安徽脈沖磁控濺射工藝

來源: 發(fā)布時間:2023-04-12

磁控濺射方法可用于制備多種材料,如金屬、半導體、絕緣子等。它具有設備簡單、易于控制、涂覆面積大、附著力強等優(yōu)點。磁控濺射發(fā)展至今,除了上述一般濺射方法的優(yōu)點外,還實現(xiàn)了高速、低溫、低損傷。磁控濺射鍍膜常見領(lǐng)域應用:1.各種功能薄膜:如具有吸收、透射、反射、折射、偏振等功能.例如,在低溫下沉積氮化硅減反射膜以提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率;2.微電子:可作為非熱鍍膜技術(shù),主要用于化學氣相沉積(CVD).3.裝飾領(lǐng)域的應用:如各種全反射膜和半透明膜;比如手機殼、鼠標等。磁控濺射鍍膜常見領(lǐng)域應用:微電子??勺鳛榉菬徨兡ぜ夹g(shù),主要用于化學氣相沉積。安徽脈沖磁控濺射工藝

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磁控濺射技術(shù)原理如下:電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞,電離出大量的氬離子和電子,電子飛向基片。氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材,濺射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛倫茲力的影響,被束縛在靠近靶面的等離子體區(qū)域內(nèi),該區(qū)域內(nèi)等離子體密度很高,二次電子在磁場的作用下圍繞靶面作圓周運動,該電子的運動路徑很長。在運動過程中不斷的與氬原子發(fā)生碰撞電離出大量的氬離子轟擊靶材,經(jīng)過多次碰撞后電子的能量逐漸降低,擺脫磁力線的束縛,遠離靶材,較終沉積在基片上。磁控濺射就是以磁場束縛和延長電子的運動路徑,改變電子的運動方向,提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。電子的歸宿不只只是基片,真空室內(nèi)壁及靶源陽極也是電子歸宿。但一般基片與真空室及陽極在同一電勢。北京磁控濺射儀器在氣體可以電離的壓強范圍內(nèi)如果改變施加的電壓,電路中等離子體的阻抗會隨之改變。

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磁控濺射法是在高真空充入適量的氬氣,在陰極和陽極之間施加幾百K直流電壓,在鍍膜室內(nèi)產(chǎn)生磁控型異常輝光放電,使氬氣發(fā)生電離。磁控濺射法優(yōu)勢特點:較常用的制備磁性薄膜的方法是磁控濺射法。氬離子被陰極加速并轟擊陰極靶表面,將靶材表面原子濺射出來沉積在基底表面上形成薄膜。通過更換不同材質(zhì)的靶和控制不同的濺射時間,便可以獲得不同材質(zhì)和不同厚度的薄膜。磁控濺射法具有鍍膜層與基材的結(jié)合力強、鍍膜層致密、均勻等優(yōu)點。

磁控濺射的工藝研究:濺射變量。電壓和功率:在氣體可以電離的壓強范圍內(nèi)如果改變施加的電壓,電路中等離子體的阻抗會隨之改變,引起氣體中的電流發(fā)生變化。改變氣體中的電流可以產(chǎn)生更多或更少的離子,這些離子碰撞靶體就可以控制濺射速率。一般來說,提高電壓可以提高離化率。這樣電流會增加,所以會引起阻抗的下降。提高電壓時,阻抗的降低會大幅度地提高電流,即大幅度提高了功率。如果氣體壓強不變,濺射源下的基片的移動速度也是恒定的,那么沉積到基片上的材料的量則決定于施加在電路上的功率。在VONARDENNE鍍膜產(chǎn)品中所采用的范圍內(nèi),功率的提高與濺射速率的提高是一種線性的關(guān)系。磁控濺射是物理的氣相沉積的一種,也是物理的氣相沉積中技術(shù)較為成熟的。

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磁控濺射的工藝研究:1、功率。每一個陰極都具有自己的電源。根據(jù)陰極的尺寸和系統(tǒng)設計,功率可以在0~150KW之間變化。電源是一個恒流源。在功率控制模式下,功率固定同時監(jiān)控電壓,通過改變輸出電流來維持恒定的功率。在電流控制模式下,固定并監(jiān)控輸出電流,這時可以調(diào)節(jié)電壓。施加的功率越高,沉積速率就越大。2、速度。另一個變量是速度。對于單端鍍膜機,鍍膜區(qū)的傳動速度可以在每分鐘0~600英寸之間選擇。對于雙端鍍膜機,鍍膜區(qū)的傳動速度可以在每分鐘0~200英寸之間選擇。在給定的濺射速率下,傳動速度越低則表示沉積的膜層越厚。3、氣體。較后一個變量是氣體,可以在三種氣體中選擇兩種作為主氣體和輔氣體來進行使用。真空磁控濺射涂層技術(shù)與真空蒸發(fā)涂層技術(shù)相比有許多優(yōu)點。深圳金屬磁控濺射工藝

磁控濺射鍍膜的應用領(lǐng)域:在不銹鋼刀片涂層技術(shù)中的應用。安徽脈沖磁控濺射工藝

高能脈沖磁控濺射技術(shù)是利用較高的脈沖峰值功率和較低的脈沖占空比來產(chǎn)生高濺射金屬離化率的一種磁控濺射技術(shù)。電源與等離子體淹沒離子注入沉積方法相結(jié)合,形成一種新穎的成膜過程與質(zhì)量調(diào)控技術(shù),是可應用于大型矩形靶的離化率可控磁控濺射新技術(shù),填補了國內(nèi)在該方向的研究空白。將高能沖擊磁控濺射與高壓脈沖偏壓技術(shù)復合,利用其高離化率和淹沒性的特點,通過成膜過程中入射粒子能量與分布的有效操控,實現(xiàn)高膜基結(jié)合力、高質(zhì)量、高均勻性薄膜的制備。同時結(jié)合全新的粒子能量與成膜過程反饋控制系統(tǒng),開展高離化率等離子體發(fā)生、等離子體的時空演變及荷能粒子成膜物理過程控制等方面的研究與工程應用。其中心技術(shù)具有自主知識產(chǎn)權(quán),已申請相關(guān)發(fā)明專利兩項。該項技術(shù)對實現(xiàn)PVD沉積關(guān)鍵瓶頸問題的突破具有重大意義,有助于提升我國在表面工程加工領(lǐng)域的國際競爭力。如在交通領(lǐng)域,該技術(shù)用于汽車發(fā)動機三部件,可降低摩擦25%,減少油耗3%;機械加工領(lǐng)域,沉積先進鍍層可使刀具壽命提高2~10倍,加工速度提高30-70%。安徽脈沖磁控濺射工藝

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