微納加工技術(shù)是先進制造的重要組成部分，是衡量國家高質(zhì)量的制造業(yè)水平的標(biāo)志之一，具有多學(xué)科交叉性和制造要素極端性的特點，在推動科技進步、促進產(chǎn)業(yè)發(fā)展、拉動科技進步、保障**安全等方面都發(fā)揮著關(guān)鍵作用。微納加工技術(shù)的基本手段包括微納加工方法與材料科學(xué)方法兩種。很顯然，微納加工技術(shù)與微電子工藝技術(shù)有密切關(guān)系。微納加工大致可以分為“自上而下”和“自下而上”兩類。“自上而下”是從宏觀對象出發(fā)，以光刻工藝為基礎(chǔ)，對材料或原料進行加工，小結(jié)果尺寸和精度通常由光刻或刻蝕環(huán)節(jié)的分辨力決定?！白韵露稀奔夹g(shù)則是從微觀世界出發(fā)，通過控制原子、分子和其他納米對象的相互作用力將各種單元構(gòu)建在一起，形成微納結(jié)構(gòu)與器件。干法刻蝕能夠滿足亞微米/納米線寬制程技術(shù)的要求，且在微納加工技術(shù)中被大量使用。常州超快微納加工

    濺射鍍膜有兩種方式：一種稱為離子束濺射，指真空狀態(tài)下用離子束轟擊靶表面，使濺射出的粒子在基體表面成膜，該工藝較為昂貴，主要用于制取特殊的薄膜；另一種稱為陰極濺射，主要利用低壓氣體放電現(xiàn)象，使處于等離子狀態(tài)下的離子轟擊靶面，濺射出的粒子沉積在基體上。它采用平行板電極結(jié)構(gòu)，膜料物質(zhì)做成的大面積靶為陰極，支持基體的基板為陽極，安裝于鐘罩式真空容器內(nèi)。為減少污染，先將鐘罩內(nèi)的壓強抽到小于10-3~10-4Pa，然后充入Ar氣，使壓強維持在1~10Pa。在兩極之間加數(shù)千伏的電壓進行濺射鍍膜。與蒸發(fā)鍍膜相比，濺射鍍膜時靶材（膜料）無相變，化合物成分穩(wěn)定，合金不易分餾，因此適合制備的膜材非常廣。由于濺射沉積到襯底上的粒子能量比蒸發(fā)時的能量高50倍，它們對襯底有清洗和升溫作用，所以形成的薄膜附著力大。特別是濺射鍍膜容易控制膜的成分，通過直接濺射或者反應(yīng)濺射，可以制備大面積均勻的各種合金膜、化合物膜、多層膜和復(fù)合膜。濺射鍍膜易實現(xiàn)連續(xù)化、自動化作業(yè)和規(guī)?；a(chǎn)。但是，由于濺射時要使用高電壓和氣體，所以裝置比較復(fù)雜，薄膜易受濺射氣氛的影響，薄膜沉積速率也較低。此外，濺射鍍膜需要事先制備各種成分的靶，裝卸靶不太方便。 九江微納加工中心微納加工平臺包括光刻、磁控濺射、電子束蒸鍍、濕法腐蝕、干法腐蝕、表面形貌測量！

    MEMS（微機電系統(tǒng)），是指以微型化、系統(tǒng)化的理論為指導(dǎo)，通過半導(dǎo)體制造等微納加工手段，形成特征尺度為微納米量級的系統(tǒng)裝置。相對于先進的集成電路（IC）制造工藝（遵循摩爾定律），MEMS制造工藝不單純追求線寬而注重功能特色化，即利用微納結(jié)構(gòu)或/和敏感材料實現(xiàn)多種傳感和執(zhí)行功能，工藝節(jié)點通常從500nm到110nm，襯底材料也不局限硅，還包括玻璃、聚合物、金屬等。由MEMS技術(shù)構(gòu)建的產(chǎn)品往往具有體積小、重量輕、功耗低、成本低等優(yōu)點，已廣泛應(yīng)用于汽車、手機、工業(yè)、醫(yī)療、**、航空航天等領(lǐng)域。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所微納加工平臺，面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域，致力于打造的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備，建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時形成了一支與硬件有機結(jié)合的專業(yè)人才隊伍。平臺當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù)，面向國內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享，為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗證以及產(chǎn)品中試提供技術(shù)支持。

2012年北京工業(yè)大學(xué)Duan等使用課題組自行研制的皮秒激光器對金屬鉬、鈦和不銹鋼進行了精密制孔研究，并利用旋切制孔方式對厚度為0.3mm的金屬鉬實現(xiàn)了孔徑?小于200μm的微孔加工，利用螺旋制孔方式在厚度為1mm不銹鋼上實現(xiàn)了孔徑為200μm的制孔效果。實驗指出大口徑微孔加工應(yīng)采用旋切制孔方式，而加工較小口徑時則更宜選用螺旋制孔方式。皮秒激光精密微孔加工過程中，對于厚度較小的材料(d<1μm)，由于激光與材料作用的時間較短，以采用高峰值功率、窄脈寬的激光為宜，而對于厚度在百微米甚至超過1mm的金屬材料的微孔加工，除了要考慮激光峰值功率以及脈沖寬度外，選擇合適的制孔方式是必要的。此外，根據(jù)材料結(jié)構(gòu)的不同還應(yīng)該選擇是否采用偏振輸出等因素。微納加工包括光刻、磁控濺射、電子束蒸鍍、濕法腐蝕、干法腐蝕、表面形貌測量等!

    微納加工中蒸鍍的物理過程包括：沉積材料蒸發(fā)或升華為氣態(tài)粒子→氣態(tài)粒子快速從蒸發(fā)源向基片表面輸送→氣態(tài)粒子附著在基片表面形核、長大成固體薄膜→薄膜原子重構(gòu)或產(chǎn)生化學(xué)鍵合。將襯底放入真空室內(nèi)，以電阻、電子束、激光等方法加熱膜料，使膜料蒸發(fā)或升華，氣化為具有一定能量（～eV）的粒子（原子、分子或原子團）。氣態(tài)粒子以基本無碰撞的直線運動飛速傳送至襯底，到達襯底表面的粒子一部分被反射，另一部分吸附在襯底上并發(fā)生表面擴散，沉積原子之間產(chǎn)生二維碰撞，形成簇團，有的可能在表面短時停留后又蒸發(fā)。粒子簇團不斷地與擴散粒子相碰撞，或吸附單粒子，或放出單粒子。此過程反復(fù)進行，當(dāng)聚集的粒子數(shù)超過某一臨界值時就變?yōu)榉€(wěn)定的核，再繼續(xù)吸附擴散粒子而逐步長大，終通過相鄰穩(wěn)定核的接觸、合并，形成連續(xù)薄膜。膜方法簡單、薄膜純度和致密性高、膜結(jié)構(gòu)和性能獨特等優(yōu)點。所謂濺射鍍膜是指在真空室中，利用荷能粒子（如正離子）轟擊靶材，使靶材表面原子或原子團逸出，逸出的原子在工件的表面形成與靶材成分相同的薄膜，這種制備薄膜的方法稱為濺射鍍膜。目前，濺射法主要用于形成金屬或合金薄膜，特別是用于制作電子元件的電極和玻璃表面紅外線反射薄膜。 微納加工技術(shù)的特點：微型化。宜昌微納加工平臺

微納加工技術(shù)對現(xiàn)代的生活、生產(chǎn)產(chǎn)生了巨大的促進作用，并催生了一批新興產(chǎn)業(yè)。常州超快微納加工

微納加工當(dāng)中，GaN材料的刻蝕一般采用光刻膠來做掩膜，但是刻蝕GaN和光刻膠，選擇比接近1:1，如果需要刻蝕深度超過3微米以上的都需要采用厚膠來做掩膜。對于刻蝕更深的GaN,那就需要采用氧化硅來做刻蝕的掩模，刻蝕GaN的氣體對于刻蝕氧化硅刻蝕比例可以達到8:1。應(yīng)用于MEMS制作的襯底可以說是各種各樣的，如硅晶圓、玻璃晶圓、塑料、還其他的材料。硅晶圓包括氧化硅片、SOI硅片、高阻硅片等，硅片晶圓包括單晶石英玻璃、高硼硅玻璃、光學(xué)玻璃、光敏玻璃等。塑料材料包括PMMA、PS、光學(xué)樹脂等材料。其他材料包括陶瓷、AlN材料、金屬等材料。常州超快微納加工

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是以提供微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)為主的****，公司位于長興路363號，成立于2016-04-07，迄今已經(jīng)成長為電子元器件行業(yè)內(nèi)同類型企業(yè)的佼佼者。廣東省半導(dǎo)體所以微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)為主業(yè)，服務(wù)于電子元器件等領(lǐng)域，為全國客戶提供先進微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。多年來，已經(jīng)為我國電子元器件行業(yè)生產(chǎn)、經(jīng)濟等的發(fā)展做出了重要貢獻。