HfC陶瓷具有優(yōu)異的耐超高溫性能,在航空航天領域具有廣闊的應用前景。本文通過先驅體轉化法,以四氯化鉿,乙酰**,乙醇,1,4-丁二醇為原料合成了HfC陶瓷先驅體。采用元素分析、紅外光譜、核磁共振、TGA等對先驅體的組成、結構及性能進行了表征。結果表明:先驅體是一種主鏈含Hf-O鍵和-C4H8-鍵,側鏈含乙酰**的線性聚合物。先驅體1000℃陶瓷產率為53.1wt%。采用元素分析、紅外光譜、XRD、SEM等對先驅體的無機化過程及陶瓷產物的組成、結構與性能進行了表征。結果表明:1000℃時陶瓷產物主要為HfO2,1400℃逐漸轉化為HfC陶瓷。所制備的HfC陶瓷先驅體具有制備工藝簡單、溶解性能優(yōu)良、陶瓷產物性能好的優(yōu)點,在聚合物浸漬裂解工藝制備超高溫陶瓷基復合材料上有很好的應用前景，四氯化鉿四氯化鉿的雜質有哪些 ？四川水性四氯化鉿供應

         鉿的冶煉，與鋯基本相同:第一步為礦石的分解，有三種方法:鋯石氯化得(Zr，Hf)Cl。鋯石的堿熔。鋯石與NaOH在600左右熔融，有90%以上的(Zr，Hf)O轉變?yōu)镹a(Zr，Hf)O，其中的SiO變成NaSiO，用水溶除去。Na(Zr，Hf)O用HNO溶解后可作鋯鉿分離的原液，但因含有SiO膠體，給溶劑萃取分離造成困難。用KSiF燒結，水浸后得K(Zr，Hf)F溶液。溶液可以通過分步結晶分離鋯鉿;第二步為鋯鉿分離，可用鹽酸-MIBK(甲基異丁基酮)系統(tǒng)和HNO-TBP(磷酸三丁酯)系統(tǒng)的溶劑萃取分離方法。利用高壓下(高于**氣壓)HfCl和ZrCl熔體蒸氣壓的差異而進行多級分餾的技術早有研究，可省去二次氯化過程，降低成本。但由于(Zr，Hf)Cl和HCl的腐蝕問題，既不易找到合適的分餾柱材質，又會使ZrCl和HfCl質量降低，增加提純費用，70年代仍停留在中間廠試驗階段;第三步為HfO的二次氯化以制得還原用粗HfCl;第四步為HfCl的提純和加鎂還原。該過程與ZrCl的提純和還原相同，所得半成品為粗海綿鉿;第五步為真空蒸餾粗海綿鉿，以除去MgCl和回收多余的金屬鎂，所得成品為海綿金屬鉿。如還原劑不用鎂而用鈉，則第五步改為水浸四川水性四氯化鉿供應四氯化鉿的作用是什么 ？

   注冊商標：明確標示生產廠商注冊的商標。質量標準：質量標準同時用顏色和漢語拼音代碼兩種方式顯示。顏色顯示區(qū)域為標簽下部廠商信息區(qū)域;漢語拼音代碼(如BZ、SH、DZ、SY)位置標示。中文名稱及型態(tài)：產品名稱以中國化學會1982年公布的“無機化學物質系統(tǒng)命名原則”、“有機化學物質系統(tǒng)命名原則”為主要依據，兼顧長期使用的俗名、商品名。并且盡可能準確地給出能夠描述該化學試劑的型態(tài)或劑型，例如：水溶液、醇溶液、粉、塊、棒、膏，甚至粒度如200目等。英文名稱：產品名稱以IUPAC1982年公布的“無機化學物質系統(tǒng)命名原則”、“有機化學物質系統(tǒng)命名原則”為主要依據，兼顧長期使用的俗名、商品名。CAS登錄號：由方括號內的9位數(shù)構成，以連字符分成三個部分分子式=分子量：正確書寫分子簡式，即分子示量式，按照1968年公布國際原子量準確計算分子量。如NaOH=。主成份含量：按照國家標準或企業(yè)標準所規(guī)定的分子方法，測定的該化學試劑的質量百分比含量。如。包裝量：固體物質給出該化學試劑的質量包裝量，如1g、5g、10g、25g、100g、250g、500g、1000g等。液體或氣體給出該化學試劑的體積包裝量，如1ml、5ml、10ml、25ml、100ml、250ml、500ml、1000ml等。

制備方法氯化鉿的制備裝置采用如圖所示裝置進行合成。反應管為內徑18mm、長50cm的硼硅酸玻璃管，其一端為陽型磨口接頭，將10處拉細，在距10處2.5cm處裝入硼硅酸玻璃棉。把5.0~15.0g的二氧化鉿裝入管內，反應管置于電爐9(長度約20cm)的中心。隨后，使另-端在8處與活塞7熔接。從6處將50~100mL的干燥四氯化碳裝入容積為300mL的燒瓶5中，然后將6封閉。關閉活塞4，將活塞7旋至適當?shù)奈恢?，通入氮氣。使氮氣先經過五氧化二磷干燥塔1、2及安全阱3以后，再進入反應管。若將電爐加熱到300~400℃，由于所含濕氣被蒸出，可用火焰將濕氣從反應管端逐出。然后，將陰型干燥管與反應管的一端11的陽型接頭接合在一起。在12處裝入硼硅酸玻璃棉，在12與13之間裝入氯化鈣。在磨口連接處涂以硅酮潤滑脂。充分擠壓使該處密封良好。按好干燥管以后，在干燥氮氣中將試樣加熱一夜。隨后將裝有濃氫氧化鈉水溶液的瓶14與干燥管連接起來，開始合成反應。注意，因為從14出來的氣體中也會含有處理不盡的光氣，所以必須導入通風櫥內進行排氣。四氯化鉿是什么，有什么作用？

美國ibm公司的科研人員，在2001年4月，用碳納米管制造出了晶體管，這一利用電子的波性，而不是常規(guī)導線實現(xiàn)傳遞住處的技術突破，有可能導致更快更小的產品出現(xiàn)，并可能使現(xiàn)有的硅芯片技術逐漸被淘汰。在碳納米管研究方興未艾的同時，納米事業(yè)的新秀－－“納米帶”又問世了。在美國佐治亞理工學院工作的三位中國科學家2001年初利用高溫氣體固相法，在世界上合成了半導體化物納米帶狀結構。這是繼發(fā)現(xiàn)多壁碳納米管和合成單壁納米管以來，一維納米材料合成領域的又一大突破。這種納米帶的橫截面是一個窄矩形結構，帶寬為30～300mm，厚度為5～10nm，而長度可達幾毫米，是迄今為止合成的惟一具有結構可控且無缺陷的寬帶半導體準一維帶狀結構。已經成功合成了氧化錫、氧化銦、氧化隔等材料納米帶。由于半導體氧化物納米帶克服了碳納米管的不穩(wěn)定性和內部缺陷問題，具有比碳納米管更獨特和優(yōu)越的結構及物理性能，因而能夠更早地投入工業(yè)生產和商業(yè)開發(fā)。四氯化鉿的性質穩(wěn)定么 ？四川水性四氯化鉿供應

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