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四川氧化鉿廠家

來源: 發(fā)布時(shí)間:2021-11-22

氧化鉿又稱氧化鉿(IV),它是一種無機(jī)化工產(chǎn)品,其分子式為HfO2,分子量為210.4888。產(chǎn)品特性與用途二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物。作為一種介電材料,因其較高的介電常數(shù)值(~20),較大的禁帶寬度(~5.5eV),以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性,HfO2被認(rèn)為是替代場(chǎng)效應(yīng)晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料。如果互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件尺寸低于1μm,以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質(zhì)的技術(shù)會(huì)帶來芯片的發(fā)熱量增加、多晶硅損耗等一系列問題,隨著晶體管的尺寸縮小,二氧化硅介質(zhì)要求必須越來Chemicalbook越薄,但是漏電流的數(shù)值會(huì)因?yàn)榱孔有?yīng)的影響隨著二氧化硅介質(zhì)厚度的較小而急劇升高,所以急需一種更可行的物質(zhì)來取代二氧化硅作為柵介質(zhì)。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注,由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2),以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題。氧化鉿的精確質(zhì)量是多少?四川氧化鉿廠家

基本信息IUPAC名稱:dioxohafnium元素含量比重:O(oxygen)15.2%、Hf(hafnium)84.8%密度:9.68g/cm3熔點(diǎn):2758℃摩爾質(zhì)量:210.49g/molCAS號(hào):12055-23-1蒸發(fā)壓力:在2678℃時(shí)1Pa;在2875℃時(shí)10Pa線膨脹系數(shù):5.6×10-6/K溶解度:不溶解于水純度:99.99薄膜特性:透光范圍~220~12000nm;折射率(250nm)~2.15(500nm)~2蒸發(fā)條件:用電子***,氧分壓~1~2×10-2Pa。蒸發(fā)溫度~2600~2800℃,基片溫度~250℃,蒸發(fā)速率2nm/s應(yīng)用領(lǐng)域:UV增透膜,干涉膜云南氧化鉿的外觀氧化鉿的 泄露應(yīng)急處理?

外觀和描述:氧化鉿是鉿的主要氧化物,通常狀況下為白色無臭無味晶體。英文名稱:hafniumdioxide中文名:二氧化鉿CASNo.:12055-23-1化學(xué)式:HfO2分子量:210.6密度:9.68克/立方厘米熔點(diǎn):約2850℃沸點(diǎn):約沸點(diǎn)5400℃2、性質(zhì):氧化鉿是一種、無味的白色固體,不溶于水、鹽酸和硝酸,可溶于濃硫酸和氟氫酸;化學(xué)性質(zhì)不活潑,具有薄膜特性:透光范圍~220~12000nm;折射率(250nm)~2.15(500nm)~2,且高熔點(diǎn),所以用途***。3、用途:1)金屬鉿及其化合物的原料;2)耐火材料、抗放射性涂料和特殊的催化劑;3)度玻璃涂層。

計(jì)算化學(xué)數(shù)據(jù)1、氫鍵供體數(shù)量:12、氫鍵受體數(shù)量:23、可旋轉(zhuǎn)化學(xué)鍵數(shù)量:04、拓?fù)浞肿訕O性表面積(TPSA):34.15、重原子數(shù)量:36、表面電荷:07、復(fù)雜度:18.38、同位素原子數(shù)量:09、確定原子立構(gòu)中心數(shù)量:010、不確定原子立構(gòu)中心數(shù)量:011、確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量:012、不確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量:013、共價(jià)鍵單元數(shù)量:1。生態(tài)學(xué)數(shù)據(jù)通常對(duì)水是不危害的,若無**許可,勿將材料排入周圍環(huán)境。性質(zhì)與穩(wěn)定性常溫常壓下穩(wěn)定避免的物料酸。氧化鉿的 共價(jià)鍵單元數(shù)量?

氧化鉿(HfO2)為鋯鉿分離的產(chǎn)物,目前只有美、法等國家在生產(chǎn)核級(jí)鋯時(shí)產(chǎn)生有氧化鉿。中國早期就已經(jīng)具備生產(chǎn)核級(jí)Zr,并生產(chǎn)少量氧化鉿的能力。但是產(chǎn)品數(shù)量稀少,價(jià)格昂貴。作為鉿的主要化學(xué)產(chǎn)品,通常用作光學(xué)鍍膜材料,很少量開始試用于高效集成電路,氧化鉿在**領(lǐng)域的應(yīng)用尚待開發(fā)。氧化鉿在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用HfO2的熔點(diǎn)比較高、同時(shí)鉿原子的吸收截面較大,捕Chemicalbook獲中子的能力強(qiáng),化學(xué)性質(zhì)特別穩(wěn)定,因此在原子能工業(yè)中具有非常大應(yīng)用的價(jià)值。自上世紀(jì)以來,光學(xué)鍍膜得到了很快的發(fā)展,HfO2在光學(xué)方面的特性已經(jīng)越來越適應(yīng)光學(xué)鍍膜技術(shù)的要求,所以HfO2在鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用也越來越***,特別是它對(duì)光有比較寬的透明波段,在光透過氧化鉿薄膜時(shí),對(duì)光的吸收少,大部分通過折射透過薄膜,因此HfO2在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用越來越被重視。氧化鉿的應(yīng)用領(lǐng)域有那些?云南氧化鉿的外觀

氧化鉿的熔點(diǎn)是多少?四川氧化鉿廠家

用途為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。生產(chǎn)方法當(dāng)加熱到高溫時(shí)鉿與氧直接化合生成氧化鉿。也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。性質(zhì)氧化鉿為白色立方晶體,比重9.68。熔點(diǎn)2,758±25℃。沸點(diǎn)約5,400℃。單斜晶系的二氧化鉿在1,475~1,600℃足量氧氣氛中轉(zhuǎn)化為四方晶系。不溶于水和一般無機(jī)酸,但在氫氟酸中緩慢溶解。化學(xué)反應(yīng)與熱的濃硫酸或酸式硫酸鹽作用形成硫酸鉿[ChemicalbookHf(SO4)2],與碳混合后加熱通氯生成四氯化鉿(HfCl4),與氟硅酸鉀作用生成氟鉿酸鉀(K2HfF6),與碳在1,500℃以上作用形成碳化鉿HfC。制備氧化鉿可由鉿的碳化物、四氯化物、硫化物、硼化物、氮化物或水合氧化物直接高溫灼燒制取。應(yīng)用領(lǐng)域四川氧化鉿廠家