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化學(xué)試劑氧化鉿身體防護(hù)

來源: 發(fā)布時(shí)間:2021-12-14

制備氧化鉿可由鉿的碳化物、四氯化物、硫化物、硼化物、氮化物或水合氧化物直接高溫灼燒制取。應(yīng)用領(lǐng)域氧化鉿(HfO2)為鋯鉿分離的產(chǎn)物,目前只有美、法等國家在生產(chǎn)核級(jí)鋯時(shí)產(chǎn)生有氧化鉿。中國早期就已經(jīng)具備生產(chǎn)核級(jí)Zr,并生產(chǎn)少量氧化鉿的能力。但是產(chǎn)品數(shù)量稀少,價(jià)格昂貴。作為鉿的主要化學(xué)產(chǎn)品,通常用作光學(xué)鍍膜材料,很少量開始試用于高效集成電路,氧化鉿在**領(lǐng)域的應(yīng)用尚待開發(fā)。氧化鉿在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用HChemicalbookfO2的熔點(diǎn)比較高、同時(shí)鉿原子的吸收截面較大,捕獲中子的能力強(qiáng),化學(xué)性質(zhì)特別穩(wěn)定,因此在原子能工業(yè)中具有非常大應(yīng)用的價(jià)值。自上世紀(jì)以來,光學(xué)鍍膜得到了很快的發(fā)展,HfO2在光學(xué)方面的特性已經(jīng)越來越適應(yīng)光學(xué)鍍膜技術(shù)的要求,所以HfO2在鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用也越來越***,特別是它對(duì)光有比較寬的透明波段,在光透過氧化鉿薄膜時(shí),對(duì)光的吸收少,大部分通過折射透過薄膜,因此HfO2在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用越來越被重視。氧化鉿的性質(zhì)與穩(wěn)定性?化學(xué)試劑氧化鉿身體防護(hù)

應(yīng)用領(lǐng)域氧化鉿(HfO2)為鋯鉿分離的產(chǎn)物,目前只有美、法等國家在生產(chǎn)核級(jí)鋯時(shí)產(chǎn)生有氧化鉿。中國早期就已經(jīng)具備生產(chǎn)核級(jí)Zr,并生產(chǎn)少量氧化鉿的能力。但是產(chǎn)品數(shù)量稀少,價(jià)格昂貴。作為鉿的主要化學(xué)產(chǎn)品,通常用作光學(xué)鍍膜材料,很少量開始試用于高效集成電路,氧化鉿在**領(lǐng)域的應(yīng)用尚待開發(fā)。氧化鉿在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用HfO2的熔點(diǎn)比較高、同時(shí)鉿原子的吸收截面較大Chemicalbook,捕獲中子的能力強(qiáng),化學(xué)性質(zhì)特別穩(wěn)定,因此在原子能工業(yè)中具有非常大應(yīng)用的價(jià)值。自上世紀(jì)以來,光學(xué)鍍膜得到了很快的發(fā)展,HfO2在光學(xué)方面的特性已經(jīng)越來越適應(yīng)光學(xué)鍍膜技術(shù)的要求,所以HfO2在鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用也越來越***,特別是它對(duì)光有比較寬的透明波段,在光透過氧化鉿薄膜時(shí),對(duì)光的吸收少,大部分通過折射透過薄膜,因此HfO2在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用越來越被重視。產(chǎn)品特性與用途山西氧化鉿均價(jià)氧化鉿的安全性描述?

氧化鉿(HfO2)為鋯鉿分離的產(chǎn)物,目前只有美、法等國家在生產(chǎn)核級(jí)鋯時(shí)產(chǎn)生有氧化鉿。中國早期就已經(jīng)具備生產(chǎn)核級(jí)Zr,并生產(chǎn)少量氧化鉿的能力。但是產(chǎn)品數(shù)量稀少,價(jià)格昂貴。作為鉿的主要化學(xué)產(chǎn)品,通常用作光學(xué)鍍膜材料,很少量開始試用于高效集成電路,氧化鉿在**領(lǐng)域的應(yīng)用尚待開發(fā)。氧化鉿在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用HfO2的熔點(diǎn)比較高、同時(shí)鉿原子的吸收截面較大,捕Chemicalbook獲中子的能力強(qiáng),化學(xué)性質(zhì)特別穩(wěn)定,因此在原子能工業(yè)中具有非常大應(yīng)用的價(jià)值。自上世紀(jì)以來,光學(xué)鍍膜得到了很快的發(fā)展,HfO2在光學(xué)方面的特性已經(jīng)越來越適應(yīng)光學(xué)鍍膜技術(shù)的要求,所以HfO2在鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用也越來越***,特別是它對(duì)光有比較寬的透明波段,在光透過氧化鉿薄膜時(shí),對(duì)光的吸收少,大部分通過折射透過薄膜,因此HfO2在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用越來越被重視。

文名稱:氧化鉿中文同義詞:氧化鉿(III);Hafnium(IV)鎜xide(99.998%-Hf)PURATREM;氧化鉿(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZR<1.5%;氧化鉿;氧化鉿,99.95%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<0.5%;氧化鉿,SPECTROGRAPHICGRADE,99.9%(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<50PPM;氧化鉿(IV),99.995%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<0.2%;氧化鉿,99.95%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICChemicalbookALLY英文名稱:HAFNIUMOXIDE英文同義詞:HAFNIUMOXIDE,99.99%;HafniuM(IV)oxide,99.99%,(traceMetalbasis);dioxohafniuM;HafniuM(IV)oxide,(traceMetalbasis);Hafnium(IV)oxidepowder,98%;Hafniumoxide/99.999%;HAFNIUMOXIDE,99.8%;HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%CAS號(hào):12055-23-1分子式:HfO2分子量:210.49EINECS號(hào):235-013-2氧化鉿的 泄露應(yīng)急處理?

性質(zhì)白色粉末,有單斜、四方和立方三種晶體結(jié)構(gòu)。密度分別為10.3,10.1和10.43g/cm3。熔點(diǎn)2780~2920K。沸點(diǎn)5400K。熱膨脹系數(shù)5.8×10-6/℃。不溶于水、鹽酸和硝酸,可溶于濃硫酸和氟氫酸。由硫酸鉿、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取。為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。應(yīng)用二氧化鉿(HfO?)是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注,由于它**可能替代硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?),以解決MOSFET中傳統(tǒng)SiO?/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題。氧化鉿的銷售價(jià)格是多少?江西氧化鉿應(yīng)急處理

氧化鉿的拓?fù)浞肿訕O性表面積?化學(xué)試劑氧化鉿身體防護(hù)

性質(zhì)白色粉末,有單斜、四方和立方三種晶體結(jié)構(gòu)。密度分別為10.3,10.1和10.43g/cm3。熔點(diǎn)2780~2920K。沸點(diǎn)5400K。熱膨脹系數(shù)5.8×10-6/℃。不溶于水、鹽酸和硝酸,可溶于濃硫酸和氟氫酸。由硫酸鉿、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取。為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。

應(yīng)用二氧化鉿(HfO?)是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注,由于它**可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?),以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO?/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題。 化學(xué)試劑氧化鉿身體防護(hù)