產品特性與用途二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數的氧化物。作為一種介電材料，因其較高的介電常數值(~20)，較大的禁帶寬度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性，HfO2被認為是替代場效應晶體管中傳統SiO2介電層的理想材料。如果互補金屬氧化物半導體器件尺寸低于1μm，以二氧化硅為傳統柵介質的技術會帶來芯片的發(fā)熱量增加、多晶硅損耗等一系列問題，隨著晶體管的尺寸縮小，二氧化硅介質要求必須越來Chemicalbook越薄，但是漏電流的數值會因為量子效應的影響隨著二氧化硅介質厚度的較小而急劇升高，所以急需一種更可行的物質來取代二氧化硅作為柵介質。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數的陶瓷材料，近來在工業(yè)界特別是微電子領域被引起極度的關注，由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2)，以解決目前MOSFET中傳統SiO2/Si結構的發(fā)展的尺寸極限問題。生產方法當加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿。也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經灼燒而得。氧化鉿的穩(wěn)定性和反應活性？吉林分析純氧化鉿

性質氧化鉿為白色立方晶體，比重9.68。熔點2，758±25℃。沸點約5，400℃。單斜晶系的二氧化鉿在1，475～1，600℃足量氧氣氛中轉化為四方晶系。不溶于水和一般無機酸，但在氫氟酸中緩慢溶解?；瘜W反應與熱的濃硫酸或酸式硫酸鹽作用形成硫酸鉿[ChemicalbookHf(SO4)2]，與碳混合后加熱通氯生成四氯化鉿(HfCl4)，與氟硅酸鉀作用生成氟鉿酸鉀(K2HfF6)，與碳在1，500℃以上作用形成碳化鉿HfC。制備氧化鉿可由鉿的碳化物、四氯化物、硫化物、硼化物、氮化物或水合氧化物直接高溫灼燒制取。應用領域北京氧化鉿供應氧化鉿的CAS登錄號是多少？

中文名稱:氧化鉿中文同義詞:氧化鉿(III);Hafnium(IV)鎜xide(99.998%-Hf)PURATREM;氧化鉿(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZR<1.5%;氧化鉿;氧化鉿,99.95%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<0.5%;氧化鉿,SPECTROGRAPHICGRADE,99.9%(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<50PPM;氧化鉿(IV),99.995%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<0.2%;氧化鉿,99.95%,(METALSChemicalbookBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY英文名稱:HAFNIUMOXIDE英文同義詞:HAFNIUMOXIDE,99.99%;HafniuM(IV)oxide,99.99%,(traceMetalbasis);dioxohafniuM;HafniuM(IV)oxide,(traceMetalbasis);Hafnium(IV)oxidepowder,98%;Hafniumoxide/99.999%;HAFNIUMOXIDE,99.8%;HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%

產品特性與用途二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數的氧化物。作為一種介電材料，因其較高的介電常數值(~20)，較大的禁帶寬度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性，HfO2被認為是替代場效應晶體管中傳統SiO2介電層的理想材料。如果互補金屬氧化物半導體器件尺寸低于1μm，以二氧化硅為傳統柵介質的技術會帶來芯片的發(fā)熱量增加、多晶硅損耗等一系列問題，隨著晶體管的尺寸縮小，二氧化硅介質要求必須越來越薄，但是漏電流的數值會因為量子效Chemicalbook應的影響隨著二氧化硅介質厚度的較小而急劇升高，所以急需一種更可行的物質來取代二氧化硅作為柵介質。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數的陶瓷材料，近來在工業(yè)界特別是微電子領域被引起極度的關注，由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2)，以解決目前MOSFET中傳統SiO2/Si結構的發(fā)展的尺寸極限問題。用途為生產金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。氧化鉿的毒理學數據？

應用領域氧化鉿（HfO2）為鋯鉿分離的產物，目前只有美、法等國家在生產核級鋯時產生有氧化鉿。中國早期就已經具備生產核級Zr，并生產少量氧化鉿的能力。但是產品數量稀少，價格昂貴。作為鉿的主要化學產品，通常用作光學鍍膜材料，很少量開始試用于高效集成電路，氧化鉿在**領域的應用尚待開發(fā)。氧化鉿在光學鍍膜領域的應用HfO2的熔點比較高、同時鉿原子的吸收截面較大Chemicalbook，捕獲中子的能力強，化學性質特別穩(wěn)定，因此在原子能工業(yè)中具有非常大應用的價值。自上世紀以來，光學鍍膜得到了很快的發(fā)展，HfO2在光學方面的特性已經越來越適應光學鍍膜技術的要求，所以HfO2在鍍膜領域的應用也越來越***，特別是它對光有比較寬的透明波段，在光透過氧化鉿薄膜時，對光的吸收少，大部分通過折射透過薄膜，因此HfO2在光學鍍膜領域的應用越來越被重視。生產方法當加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿。也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經灼燒而得。氧化鉿的折射率是多少？廣西氧化鉿代理價錢

氧化鉿的銷售價格是多少？吉林分析純氧化鉿

產品特點：白色粉末，有單斜、四方和立方三種晶體結構。密度分別為10.3，10.1和9.68g/cm3。熔點2780~2920K。沸點5400K。氧化鉿 性質熔點 2810 °C密度 9.68 g/mL at 25 °C(lit.)折射率 2.13 (1700 nm)熱膨脹系數5.8×10-6/℃。不溶于水、鹽酸和硝酸，可溶于濃硫酸和氟氫酸。由硫酸鉿、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取。為生產金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。產品應用：二氧化鉿(HfO?)是一種具有寬帶隙和高介電常數的陶瓷材料，近來在工業(yè)界特別是微電子領域被引起極度的關注，由于它可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?)，以解決目前MOSFET中傳統SiO?/Si結構的發(fā)展的尺寸極限問題。吉林分析純氧化鉿