氧化鉿性質熔點2810°C密度9.68g/mLat25°C(lit.)折射率2.13(1700nm)形態(tài)powder顏色Off-white比重9.68水溶解性Insolubleinwater.Merck14,4588InChemicalbookChIKeyCJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-NCAS數據庫12055-23-1(CASDataBaseReference)EPA化學物質信息Hafniumoxide(HfO2)(12055-23-1)氧化鉿（HfO2）是白色晶體粉末。純氧化鉿以三種形式存在，一種是無定型狀態(tài)，另外兩種為晶體。在＜400℃煅燒氫氧化鉿、氧氯化鉿等不穩(wěn)定的化合物時，可以得到無定型氧化鉿。將其氧化鉿Chemicalbook繼續(xù)加熱至450~480℃，開始轉化為單斜晶體，繼續(xù)加熱至1000~1650℃發(fā)生晶格常數逐步增加的趨勢，并轉化為4個氧化鉿分子的單體。當1700~1865℃時開始轉化為四方晶系。氧化鉿的氫鍵供體數量？湖北氧化鉿供應

基本信息IUPAC名稱:dioxohafnium元素含量比重:O(oxygen)15.2%、Hf(hafnium)84.8%二氧化鉿分子結構密度:9.68g/cm3熔點:2758℃摩爾質量:210.49g/molCAS號:12055-23-1蒸發(fā)壓力:在2678℃時1Pa;在2875℃時10Pa線膨脹系數:5.6×10-6/K溶解度:不溶解于水純度:99.99薄膜特性:透光范圍~220~12000nm;折射率(250nm)~2.15(500nm)~2蒸發(fā)條件:用電子***，氧分壓~1~2×10-2Pa。蒸發(fā)溫度~2600~2800℃，基片溫度~250℃，蒸發(fā)速率2nm/s應用領域:UV增透膜，干涉膜海南氧化鉿氣味氧化鉿的運輸注意事項？

制備氧化鉿可由鉿的碳化物、四氯化物、硫化物、硼化物、氮化物或水合氧化物直接高溫灼燒制取。應用領域氧化鉿（HfO2）為鋯鉿分離的產物，目前只有美、法等國家在生產核級鋯時產生有氧化鉿。中國早期就已經具備生產核級Zr，并生產少量氧化鉿的能力。但是產品數量稀少，價格昂貴。作為鉿的主要化學產品，通常用作光學鍍膜材料，很少量開始試用于高效集成電路，氧化鉿在**領域的應用尚待開發(fā)。氧化鉿在光學鍍膜領域的應用HChemicalbookfO2的熔點比較高、同時鉿原子的吸收截面較大，捕獲中子的能力強，化學性質特別穩(wěn)定，因此在原子能工業(yè)中具有非常大應用的價值。自上世紀以來，光學鍍膜得到了很快的發(fā)展，HfO2在光學方面的特性已經越來越適應光學鍍膜技術的要求，所以HfO2在鍍膜領域的應用也越來越***，特別是它對光有比較寬的透明波段，在光透過氧化鉿薄膜時，對光的吸收少，大部分通過折射透過薄膜，因此HfO2在光學鍍膜領域的應用越來越被重視。

CAS號:12055-23-1英文名稱:HAFNIUMOXIDE英文同義詞:HfO2;Hafnia;dioxohafniuM;Hafnia,felt;HAFNIUMOXIDE;Hafniaparalvei;HAFNIUM(+4)OXIDE;Hafniabulkfiber;HAFNIUMChemicalbook(IV)OXIDE;hafniumoxide(hfo2)中文名稱:氧化鉿中文同義詞:氧化鉿;氧化鉿粉;氧化鉿氈;納米氧化鉿;納米二氧化鉿;氧化鉿25G;氧化鉿布,緞紋;氧化鉿纖維散棉;氧化鉿(IV);氧化鉿(III)CBNumber:CB5737990分子式:HfO2分子量:210.49氧化鉿化學性質熔點:2810°C密度:9.68g/mLat25°C(lit.)折射率:2.13(1700nm)形態(tài):powder顏色:Off-white氧化鉿的英文名稱是什么？

產品特性與用途二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數的氧化物。作為一種介電材料，因其較高的介電常數值(~20)，較大的禁帶寬度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性，HfO2被認為是替代場效應晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料。如果互補金屬氧化物半導體器件尺寸低于1μm，以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質的技術會帶來芯片的發(fā)熱量增加、多晶硅損耗等一系列問題，隨著晶體管的尺寸縮小，二氧化硅介質要求必須越來Chemicalbook越薄，但是漏電流的數值會因為量子效應的影響隨著二氧化硅介質厚度的較小而急劇升高，所以急需一種更可行的物質來取代二氧化硅作為柵介質。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數的陶瓷材料，近來在工業(yè)界特別是微電子領域被引起極度的關注，由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2)，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結構的發(fā)展的尺寸極限問題。氧化鉿的毒理學數據？化學試劑氧化鉿價格比較

氧化鉿的 共價鍵單元數量？湖北氧化鉿供應

氧化鉿物理化學性質密度9.68熔點2812oC分子式HfO2分子量210.48900精確質量211.93600PSA34.14000外觀性狀粉末折射率2.13(1700nm)儲存條件常溫密閉，陰涼通風干燥穩(wěn)定性常溫常壓下穩(wěn)定避免的物料酸計算化學1、氫鍵供體數量：12、氫鍵受體數量：23、可旋轉化學鍵數量：04、拓撲分子極性表面積（TPSA）：34.15、重原子數量：36、表面電荷：07、復雜度：18.38、同位素原子數量：09、確定原子立構中心數量：010、不確定原子立構中心數量：011、確定化學鍵立構中心數量：012、不確定化學鍵立構中心數量：013、共價鍵單元數量：1。湖北氧化鉿供應